摘要
通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。
Undoped amorphous silicon film is deposited by PECVD, and annealed at 85℃ for 2h, 3h, 6h, 8h; 700℃ for 5h,7h,10h,13h;900℃ for 1h,3h,8h;720℃ ,790℃ ,840℃ ,900℃ ,94℃ for lh respectively. The thin films are analyzed using micro-Raman scattering and scanning electron microscope. The results show that the relation between annealed temperature and annealed time, and there is some critical points.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期89-91,共3页
Materials Reports
基金
国家高技术产业计划项目(发改办高技072490)
河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310)
作者简介
靳瑞敏：男，1967年生，博士，教授，研究方向为多晶硅太阳能电池E-mail：jinruimin2004@163．com
