摘要
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
Latchup is a ubiquitous problem in PIC. In this paper, the reason of latchup on CMOS structure is analyzed; the lumped component which is used for analyzing the latchup, is extracted; the necessary condition for the produce of latchup is given; the testing way for latchup is enumerated; and at last some way for the latchup prevention is introduced.
出处
《电子与封装》
2007年第3期24-27,共4页
Electronics & Packaging
作者简介
牛征（1979-），男，河北武安人，电子与信息技术专业本科毕业，现从事专用集成电路设计工作。
