摘要
飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。
The rapidly growing market of monolithic smart power IC＇s （SPIC） greatly accelerates the evolution of BCD technology. Advantages of SPICes fabricated with BCD technology are summarized, and BCD technologies of some well-known SPIC companies are also presented. Based on different applications, 5 types of BCD technologies： high-voltage BCD, high-power BCD, VLSI-BCD, RF-BCD and SOI-BCD, and their characteristics, are described. Finally, the developing trends of the BCD technology is discussed.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期315-319,共5页
Microelectronics
基金
国家自然科学基金(60476046)
国家部委基金(51408010304DZ0140)资助项目
作者简介
杨银堂（1962-），教授，博士生导师，研究方向为VLSI技术、深亚微米模拟集成电路设计、新型半导体器件和电路设计。
