溶液法旋涂制备Cu2SnSe3薄膜

1

作者 连亚军 郭华飞 +1 位作者 袁宁一 刘遵峰 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第3期391-395,400,共6页

采用水溶性前体溶液法旋涂制备Cu2SnSe 3晶体薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)对该薄膜进行测试表征,并测量其拉曼光谱、霍尔效应和吸收光谱。结果表明:该方法成本低、安全、节能、易于操作,且对硬... 采用水溶性前体溶液法旋涂制备Cu2SnSe 3晶体薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量分散光谱仪(EDS)对该薄膜进行测试表征,并测量其拉曼光谱、霍尔效应和吸收光谱。结果表明:该方法成本低、安全、节能、易于操作,且对硬件设备要求低;薄膜制备所需退火温度较低,且薄膜中的杂质少。 展开更多

关键词 溶液法 旋涂 cu2snse3薄膜

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Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量：1

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作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页

利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。 展开更多

关键词 cu2snse3薄膜 cu/Sn比率 硒化 物理性质

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基于YBa_2Cu_3O_7薄膜的超导故障限流器设计与试验分析 被引量：7

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作者 王晨 张晓锋 +2 位作者 庄劲武 许瀚 杨锋 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期103-107,共5页

针对直流电力系统短路电流分断困难的问题,提出了基于YBa2Cu3O7薄膜的电阻型超导故障限流器(SFCL)保护方案,设计了300V/200A的SFCL模型机。试验分析了不同的电源电压、负载电感和负载电阻等系统参数对薄膜限流效果及失超特性的影响。试... 针对直流电力系统短路电流分断困难的问题,提出了基于YBa2Cu3O7薄膜的电阻型超导故障限流器(SFCL)保护方案,设计了300V/200A的SFCL模型机。试验分析了不同的电源电压、负载电感和负载电阻等系统参数对薄膜限流效果及失超特性的影响。试验表明,YBa2Cu3O7薄膜能在短路电流到达临界电流Ic后准确动作,并在0.1ms时间里将短路电流峰值限制在2Ic以内。随着电源电压的增加,薄膜的失超传播速度和失超电阻值迅速增加。推导出限流器重要指标Umax、Imax与线路参数(L、R、Ue)、材料特性(Ic)的数值关系。 展开更多

关键词 YBa2cu3O7薄膜 超导故障限流器 直流电力系统 短路

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溶胶-凝胶法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的研究 被引量：2

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作者 陈源清 赵高扬 +2 位作者 薛人中 严复学 李颖 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1423-1425,1428,共4页

传统的TFA-MOD法制备YBa2Cu3O7-x薄膜,采用Y、Ba、Cu 3种金属的三氟醋酸盐(TFA)为先驱体,在热分解时,会产生大量的HF气体,即使通过将近20h的缓慢升温过程来对薄膜进行热分解,也难以获得较为光洁的表面,从而无法实现厚膜的制备。本文提... 传统的TFA-MOD法制备YBa2Cu3O7-x薄膜,采用Y、Ba、Cu 3种金属的三氟醋酸盐(TFA)为先驱体,在热分解时,会产生大量的HF气体,即使通过将近20h的缓慢升温过程来对薄膜进行热分解,也难以获得较为光洁的表面,从而无法实现厚膜的制备。本文提出了一种新的含氟溶胶-凝胶工艺,通过减少溶胶中F的含量,并利用二乙醇胺做修饰剂,缩短了热分解时间,提高了薄膜的表面光洁度。利用该方法在(010)LaAlO3衬底上制备了具有良好c轴取向,临界转变温度为89K的YBCO超导薄膜。 展开更多

关键词 YBA2cu3O7-X TFA 薄膜

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化学溶液沉积法制备YBa_2Cu_3O_7超导薄膜 被引量：1

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作者 文自立 曹光旱 +3 位作者 许祝安 张年生 沙键 焦正宽 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 2003年第3期268-270,共3页

用钇、钡、铜的环烷酸盐溶液为原料,采用化学溶液沉积法在LaAlO3(001)衬底上制备了YBa2Cu3O7超导薄膜.X射线衍射分析表明薄膜主要沿[001]方向外延生长.原子力显微研究显示晶粒排列严密、整齐有序,表面也较为平整.电阻测量显示该薄膜的... 用钇、钡、铜的环烷酸盐溶液为原料,采用化学溶液沉积法在LaAlO3(001)衬底上制备了YBa2Cu3O7超导薄膜.X射线衍射分析表明薄膜主要沿[001]方向外延生长.原子力显微研究显示晶粒排列严密、整齐有序,表面也较为平整.电阻测量显示该薄膜的超导起始转变温度为87K.本方法有望应用于大面积高温超导薄膜及带材的制备. 展开更多

关键词 YBa2cu3O7超导薄膜 化学溶液沉积法 制备方法 薄膜结构 超导起始转变温度 高温超导薄膜

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Cs_3Cu_2I_5晶体薄膜吸收谱的研究 被引量：1

6

作者 孙家林 国清华 +1 位作者 吴源 李师群 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期648-650,共3页

本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．０... 本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上，论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中，同时，揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。 展开更多

关键词 Cs3cu2I5 晶体薄膜 薄膜 吸收谱 激子状态

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热注射法合成Cu_2SnSe_3纳米晶及其光电转换性能 被引量：1

7

作者 刘仪柯 唐雅琴 +2 位作者 伍玉娇 刘芳洋 蒋良兴 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2348-2351,共4页

以乙酰丙酮铜、无水氯化亚锡为金属源,Se/OLA悬浊液为硒源,在油胺溶剂中热注射合成了Cu_2SnSe_3纳米晶。采用TEM、XRD、EDS分别对典型纳米晶产物的形貌、物相和组成做了分析表征。通过不同反应温度的条件实验,研究了反应温度对最终产物... 以乙酰丙酮铜、无水氯化亚锡为金属源,Se/OLA悬浊液为硒源,在油胺溶剂中热注射合成了Cu_2SnSe_3纳米晶。采用TEM、XRD、EDS分别对典型纳米晶产物的形貌、物相和组成做了分析表征。通过不同反应温度的条件实验,研究了反应温度对最终产物的影响,探讨了相关规律。采用光电化学池评价了纳米晶的光电转换性能,结果表明Cu_2SnSe_3纳米晶光电转换性能优良,表现出较好的应用前景。 展开更多

关键词 纳米晶 cu2snse3 热注射法 光电转换性能

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Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)半导体薄膜的红外热辐射响应研究 被引量：1

8

作者 李然 刘桂霞 +1 位作者 李冰冰 孙强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期259-263,共5页

采用直流磁控溅射后退火法制备了Y1Ba2Cu3O7-x/Si和Y1Ba2Cu3O7-x/ZrO2/SiO2两种半导体薄膜,对该薄膜进行了红外热辐射响应特性研究。采用X射线衍射、电阻温度系数法、喇曼散射表征手段对薄膜的显微结构进行了详细分析。结果表明,有过渡... 采用直流磁控溅射后退火法制备了Y1Ba2Cu3O7-x/Si和Y1Ba2Cu3O7-x/ZrO2/SiO2两种半导体薄膜,对该薄膜进行了红外热辐射响应特性研究。采用X射线衍射、电阻温度系数法、喇曼散射表征手段对薄膜的显微结构进行了详细分析。结果表明,有过渡层的Y1Ba2Cu3O7-x半导体薄膜均匀性好,信噪比高,在红外波段和亚毫米波段甚至毫米波段都有良好的热辐射响应,适于制做非制冷探测器的敏感元。 展开更多

关键词 Y1Ba2cu3O7-x 半导体薄膜 热辐射

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简易合成Cu_2SnSe_3作染料敏化太阳能电池对电极(英文)

9

作者 朱磊 强颖怀 +3 位作者 赵宇龙 顾修全 宋端鸣 宋昌斌 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2339-2344,共6页

采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、... 采用简易溶剂热法合成直径为150-250 nm的Cu2SnSe3纳米颗粒.以Cu2SnSe3"墨水"为前驱体采用滴落涂布法在掺氟二氧化锡基板上沉积Cu2SnSe3薄膜作为染料敏化太阳能电池(DSSC)对电极.利用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、能谱仪(EDS)等对Cu2SnSe3纳米颗粒的形貌、结构和组成进行表征.结果表明:产物纯净无杂项且符合化学计量比.以Cu2SnSe3为对电极的DSSC转化效率为7.75%,与铂对电极DSSC效率相当(7.21%).研究表明,DSSC的光电流密度和影响因子与Cu2SnSe3薄膜厚度密切相关,这是由于不同厚度的Cu2SnSe3薄膜作对电极所对应的催化位置数目和电阻值不同.电化学阻抗谱研究说明,Cu2SnSe3因具有类似铂良好的电催化性能而适合用作染料敏化太阳能电池对电极材料.本文以Cu2SnSe3代替贵金属铂,提供了一种廉价制备高效染料敏化太阳能电池对电极的新方法. 展开更多

关键词 cu2snse3 纳米颗粒 溶剂热 对电极 染料敏化太阳能电池

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斜切基片上c-取向YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的生长特性及开裂行为

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作者 王天生 漆汉宏 +4 位作者 田永君 胡文斐 赵新杰 陈莺飞 李林 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期470-472,共3页

用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂... 用脉冲激光沉积方法在斜切SrTiO3 (0 0 1)基片上制备了YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,并用原子力显微镜、X射线衍射仪及透射电镜研究了薄膜表面形貌、取向特征、结晶性和显微结构。结果表明 ,薄膜表面呈“台阶 台面”结构 ,并伴有与台阶边缘垂直的裂纹产生 ,说明薄膜以“台阶流动”方式生长 ;而且薄膜具有c 轴取向 ,但其结晶性不好。在薄膜中没有观察到a b孪晶的存在。薄膜的开裂和结晶性较差均是由于斜切基片台阶表面晶格四方畸变抑制了薄膜正交转变时a b孪晶的产生 ,而使晶格错配应变不能释放造成的。 展开更多

关键词 高温超导体 生长 斜切基片 脉冲激光沉积 开裂行为 YBA2cu3O7-Δ 钙钛矿型氧化物 超导薄膜

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退火对Ag与YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜接触界面的影响

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作者 王玉梅 赵永刚 +2 位作者 梁伟 张小平 曹必松 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期665-666,共2页

关键词 退火 AG YBA2cu3O7-Δ 超导薄膜 接触界面 高温超导体 银 接触点

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SrTiO_3斜切基片上外延生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的扫描探针显微镜研究

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作者 时东霞 巴德纯 +3 位作者 庞世瑾 胡文斐 李林 高鸿钧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期100-103,共4页

采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrT... 采用激光脉冲沉积法在钛酸锶SrTiO3 (0 0 1)斜切基片上外延生长YBa2 Cu3 O7 δ薄膜 ,在大气环境下采用扫描探针显微镜对YBa2 Cu3 O7 δ薄膜的表面纳米形貌进行直接观察。发现YBa2 Cu3 O7 δ薄膜具有相对光滑的表面形貌 ,薄膜表面由沿SrTiO3台阶趋向外延生长的纳米台阶组成 ,薄膜生长模式主要以台阶媒体生长为主。 展开更多

关键词 SrTiO3斜切基片 外延生长 扫描探针显微镜 YBA2cu3O7-Δ 薄膜 表面形貌 钛酸锶

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大气环境下YBa_2Cu_3O_7薄膜的摩擦行为和表面形貌

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作者 丁建宁 孟永钢 温诗铸 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期86-89,共4页

利用球 -盘摩擦试验装置考察了大气环境下 YBa2 Cu3O7薄膜和多晶硅薄膜同蓝宝石球及钢球对摩时的摩擦行为 ,并用原子力显微镜对其表面形貌进行了分析 .结果表明 :表面相对较粗糙的 YBa2 Cu3O7薄膜与蓝宝石球对摩时的摩擦系数低于多晶硅... 利用球 -盘摩擦试验装置考察了大气环境下 YBa2 Cu3O7薄膜和多晶硅薄膜同蓝宝石球及钢球对摩时的摩擦行为 ,并用原子力显微镜对其表面形貌进行了分析 .结果表明 :表面相对较粗糙的 YBa2 Cu3O7薄膜与蓝宝石球对摩时的摩擦系数低于多晶硅薄膜 /蓝宝石球的摩擦系数 ;而 2种薄膜与钢球对摩时的摩擦系数相当 ;YBa2 Cu3O7薄膜与蓝宝石球对摩时的启动摩擦非常稳定 ,而多晶硅薄膜的启动摩擦很不稳定 ;与钢球对摩时两者的启动摩擦则都比较稳定 .对 YBa2 Cu3O7薄膜的磨损表面形貌分析研究表明 ,其表面突出物结合疏松 ,容易从基体表面磨损脱落 . 展开更多

关键词 高温超导YBa2cu3O7薄膜 摩擦行为 表面形貌 MEMS 大气环境

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硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的制备与表征 被引量：4

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作者 魏海 刘旭文 +3 位作者 胡艳 唐惠梁 叶迎华 沈瑞琪 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期557-563,共7页

针对叠氮化铜(Cu(N3)2)静电感度高、难以实际应用的问题,设计了一种基于硅基底的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能薄膜材料。首先,采用改进的两步阳极氧化法在硅基底上制备多孔氧化铝薄膜,然后将其作为模板,先后通过化学气相沉积法和电化... 针对叠氮化铜(Cu(N3)2)静电感度高、难以实际应用的问题,设计了一种基于硅基底的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能薄膜材料。首先,采用改进的两步阳极氧化法在硅基底上制备多孔氧化铝薄膜,然后将其作为模板,先后通过化学气相沉积法和电化学沉积法在氧化铝孔道中制备内嵌铜纳米颗粒的定向碳纳米管(CNTs)阵列,最后利用气固相叠氮化反应制备得到可与微机电系统(MEMS,Micro-electro Mechanical Systems)加工工艺相兼容的硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等手段对材料的微观形貌、晶体结构和组成成分进行了表征,利用差示扫描量热法(DSC)对复合含能薄膜进行了热分解动力学研究,采用升降法测试了复合含能薄膜的静电感度。研究结果表明:硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的活化能约为230.00 kJ·mol^-1,热爆炸临界温度约为193.18℃;复合薄膜的静电感度明显得到改善,50%的发火能量约为4.0 mJ。 展开更多

关键词 复合含能薄膜 cu(N3)2@CNTs 静电感度 电化学沉积

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Se位掺杂对燃烧合成Cu_2SnSe_3热电性能的影响 被引量：2

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作者 马瑞 李宇洋 +4 位作者 刘光华 李江涛 韩叶茂 周敏 李来风 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第4期466-470,共5页

Cu_2SnSe_3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料,具有较低的热导率和较高的电导率,通过掺杂可大大提高Cu_2SnSe_3的热电优值,使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu_2SnSe_3块体材料,其相对密度在96%以... Cu_2SnSe_3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料,具有较低的热导率和较高的电导率,通过掺杂可大大提高Cu_2SnSe_3的热电优值,使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu_2SnSe_3块体材料,其相对密度在96%以上,最大热电优值为0.48,与传统烧结工艺制备的样品性能相当,整个反应过程在数分钟内即迅速完成,从而极大的简化了合成工艺。为进一步提高Cu_2SnSe_3材料的热电性能,本文利用燃烧合成方法制备多晶块体材料,采用S、Te两种元素对Cu_2SnSe_3进行掺杂,系统研究了掺杂对热电性能的影响。结果表明,S、Te两种元素的Se位掺杂提高了Seebeck系数,降低了热导率和电导率,最终使热电优值有所提升。S掺杂Cu_2SnSxSe_(3-x)样品中,当x=0.15时在温度773 K下取得最大ZT值为0.66。Te掺杂Cu_2SnTe_xSe_(3-x)样品中,当x=0.05时在温度773 K下取得最大ZT值为0.40。 展开更多

关键词 热电性能 cu2snse3 燃烧合成 Se位掺杂

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Cu/Al_2O_3复合薄膜的制备及其抗氧化性能 被引量：2

16

作者 盛澄成 徐阳 +1 位作者 魏取福 乔辉 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期596-599,606,共5页

本文在纺织纤维基材表面采用二次溅射沉积法制备了Cu/Al_2O_3复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDX)和矢量网络分析仪对室温环境下存放3600h的复合薄膜的表面形貌、元素含量以及屏蔽效能进行了测试,并与相同工艺条件下制备的纯C... 本文在纺织纤维基材表面采用二次溅射沉积法制备了Cu/Al_2O_3复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDX)和矢量网络分析仪对室温环境下存放3600h的复合薄膜的表面形貌、元素含量以及屏蔽效能进行了测试,并与相同工艺条件下制备的纯Cu薄膜进行了对比分析。结果表明:与纯Cu薄膜结构的不稳定性相比,由于复合薄膜表层Al_2O_3薄膜的结构稳定性和致密性,Cu/Al_2O_3复合薄膜在保证高屏蔽性能的前提下,具有整体结构的稳定性,表现出了良好的抗氧化性能。 展开更多

关键词 磁控溅射 cu/Al2O3复合薄膜 屏蔽效能 抗氧化性能

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Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响 被引量：1

17

作者 贾宏杰 程树英 +5 位作者 马为民 胡晟 崔广州 林真 周健飞 钟胜铨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期11171-11174,共4页

利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手... 利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(^-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高的光吸收系数2.07×10^4 cm^-1、合适的载流子浓度6.6×10^18 cm^-3、较高的载流子迁移率5.1 cm^2 v^-1s^-1及较窄的禁带宽度0.97 eV。 展开更多

关键词 cu2SnS3薄膜 磁控溅射 cu/Sn原子比 太阳电池吸收层

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氩氧混合气体及纯氧气氛下脉冲激光沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜的研究 被引量：1

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作者 张宇生 代秀红 +1 位作者 刘保亭 娄建忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期534-538,共5页

利用脉冲激光沉积法(PLD)在保证其它实验参数不变的情况下,分别在Ar∶O2为3∶1和纯O2的气氛中,在(001)SrTiO_3(STO)基片上制备了外延的高质量YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜。X射线衍射表明在氩氧混合气体下制备的YBCO薄膜具有更好的结晶... 利用脉冲激光沉积法(PLD)在保证其它实验参数不变的情况下,分别在Ar∶O2为3∶1和纯O2的气氛中,在(001)SrTiO_3(STO)基片上制备了外延的高质量YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜。X射线衍射表明在氩氧混合气体下制备的YBCO薄膜具有更好的结晶质量。扫描电子显微镜测量结果发现:相比于纯O2氛围下制备的YBCO样品,在氩氧混合氛围中制备的薄膜表面具有较小颗粒密度。通过四引线法获得YBCO薄膜的归一化电阻(R/R100K)随温度(T)的变化关系发现,虽然对应不同氛围制备的YBCO薄膜的零电阻转变温度均为90.0 K,但是,对应氩氧混合气体的YBCO具有更小的正常态电阻。研究结果表明脉冲激光制备YBCO的过程中,引入氩气可以改善YBCO薄膜的结构和性能。 展开更多

关键词 YBa2cu3O7-δ薄膜 氩气 表面形貌 超导性

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前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响

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作者 张琼 赵培 +3 位作者 吴慰 戴武斌 GOTO Takashi 徐源来 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期9-17,共9页

采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,B... 采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,Ba、Cu、Y前驱体加热温度分别为603、478、459 K时制备的薄膜在经813 K高温热处理12 h后,临界温度可达83 K。 展开更多

关键词 激光化学气相沉积 YBA2 cu3 O7-δ薄膜 高速沉积

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射频磁控溅射法制备Cu_2SnS_3薄膜结构和光学特性的研究

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作者 李学留 刘丹丹 +1 位作者 史成武 梁齐 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期400-408,共9页

利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结... 利用射频磁控溅射法并经快速退火处理制备Cu_2SnS_3薄膜,研究了使用SnS_2、Cu_2S混合靶(摩尔比分别为1∶1、1∶1.5、1∶2)及在不同溅射功率(40和80W)条件下所制备Cu_2SnS_3薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌和光学特性。结果表明:混合靶的SnS_2、Cu_2S最佳摩尔比为1∶1.5,利用该靶所制备薄膜均结晶;在溅射功率为80 W条件下,所制备薄膜结晶质量和择优取向度高,应变最小,Cu∶Sn∶S摩尔比为1.89∶1∶2.77,平均颗粒直径和平均粗糙度分别为332和0.742 nm,吸收系数达到10~4cm^(-1),禁带宽度为1.32 eV。制备了n-Si/p-CTS异质结器件,器件具有良好的整流特性和光电流响应特性。 展开更多

关键词 cu2SnS3薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性

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