地层结构外延法在塔中隆起古生界多期剥蚀量估算中的应用 被引量：7

1

作者 周小军 林畅松 +3 位作者 丁文龙 李三忠 彭丽 陈清清 《西安石油大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第2期6-11,共6页

许多常用的剥蚀量估算方法存在着局限性.这些方法通常只能估算某一界面的总剥蚀量或者在单期构造活动区估算剥蚀量.采用地层结构外延法,探讨具有多期剥蚀历史的剥蚀量估算.地震剖面综合研究揭示,塔中地区存在3个主要剥蚀界面.对3个主要... 许多常用的剥蚀量估算方法存在着局限性.这些方法通常只能估算某一界面的总剥蚀量或者在单期构造活动区估算剥蚀量.采用地层结构外延法,探讨具有多期剥蚀历史的剥蚀量估算.地震剖面综合研究揭示,塔中地区存在3个主要剥蚀界面.对3个主要构造变革期剥蚀量的剖面和平面分布特征的分析表明,塔中地区剥蚀量的分布主要受构造控制;不同时期的剥蚀量分布差异,反映了该区的古剥蚀地貌特征和构造发育演化过程. 展开更多

关键词 塔中隆起 剥蚀量 古地貌 构造演化 地层结构外延法

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基于着火延迟数据的外延法预测燃料的十六烷值

2

作者 范玮卫 贾明 +1 位作者 常亚超 解茂昭 《燃烧科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期224-228,共5页

前期工作提出了一种用基础参比燃料骨架机理根据滞燃期数据预测燃料十六烷值的方法。该方法受到参比燃料的组分（即正十六烷和异十六烷）自身十六烷值的限制，不适用于十六烷值超出15～100的燃料。针对这一问题，进一步提出了根据混合... 前期工作提出了一种用基础参比燃料骨架机理根据滞燃期数据预测燃料十六烷值的方法。该方法受到参比燃料的组分（即正十六烷和异十六烷）自身十六烷值的限制，不适用于十六烷值超出15～100的燃料。针对这一问题，进一步提出了根据混合物的十六烷值，通过线性拟合方法预测十六烷值超出15～100的燃料的十六烷值，即外延法。结果表明，外延法可以预测十六烷值超出15～100的燃料的十六烷值，并且外延法无需已知纯燃料的十六烷值，但其具有误差累计特性。 展开更多

关键词 外延法 滞燃期 十六烷值 基础参比燃料骨架机理

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用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(下)

3

作者 龚琰民 《红外与激光技术》 CSCD 1990年第1期45-50,共6页

四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中... 四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中来形成p^+-n结; 展开更多

关键词 红外 光电二极管 HGCDTE 外延法

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用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(上)

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作者 龚琰民 《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期43-46,共4页

用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20<x<0.30),已制备了长波和中波红外(LWIR,MWIR)的p^+-n光电二极管。外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x... 用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20<x<0.30),已制备了长波和中波红外(LWIR,MWIR)的p^+-n光电二极管。外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x)是均匀的,标准偏差(Ax)低达0.0017。用双晶X射线摆动曲线和位错腐蚀法测定结构特性,测得在半最大值的全带宽(FWHM)低达34 arc sec,腐蚀坑的密度低达1×10~5m^(-2)。通过砷扩散形成p^+-n同质结;用标准的光刻技术制备无钝化的台面光电二极管.用MBE材料制备的MWIR和LWIR光电二极管呈现出良好的二极管性能,可与较成熟的液相外延技术制备的光电二极管所获得的性能相匹敌。对截止波长为4.66,9.96和12.90μm的二极管测得的77K的R_0A积分别是6.35×10~7,22.3和1.76Ωcm^2。对于在35K截止波长为16.23/μm的超长波红外(VLWIR)光电二极管的R_0A积,是1.36×10~2Ωcm^2。没有防反射涂层的LWIR二极管的量子效率为48.6％。此结果意味着;在论证MBE作为制备大的红外焦平面阵列的一种可行的生长技术方面,迈出了重要的一步。 展开更多

关键词 碲镉汞 光电二极管 分子束外延法

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分子束外延法生长HgcdTe新技术（下）

5

作者 Summ.,CJ 李玲 《红外》 CAS 1990年第12期25-29,共5页

关键词 分子束外延法 HGCDTE 晶体生长

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分子束外延法生长HgcdTe新技术（上）

6

作者 Summ.,CJ 李玲 《红外》 CAS 1990年第11期9-13,共5页

关键词 分子束外延法 晶体生长 HGCDTE

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利用分子束外延方法在GaAs衬底上制备CdTe单晶薄膜

7

作者 陆俭 陈卫东 +3 位作者 唐文国 于梅芳 乔怡敏 袁诗鑫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期41-45,共5页

利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整... 利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整度和洁净度是影响外延层晶向的两个关键因素。我们已在所得到的CdTe缓冲层上成功地生长出Hg_(1-x)Cd_xTe单晶薄膜。 展开更多

关键词 GAAS 衬底 CDTE薄膜 分子束 外延法

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应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式

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作者 王浩 廖常俊 +7 位作者 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期128-133,共6页

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。

关键词 原子层外延法 分子层外延法 金属有机化学气相淀积 参数调整 外延设备 ALE反应装置

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ZnS基电致发光薄膜及其制备方法 被引量：6

9

作者 王宝义 张仁刚 +2 位作者 万冬云 王雨田 魏龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第11期33-35,29,共4页

ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问... ZnS是一种优良的光电材料并获得了广泛的应用。介绍了ZnS基薄膜电致发光器件的发展历史、结构及发光机理,主要讨论了ZnS基发光薄膜及蒸发法、溅射法、化学气相沉积法、外延法和溶胶-凝胶法等制备方法的最新研究进展,指出了目前存在的问题及今后的发展趋势。 展开更多

关键词 ZnS基电致发光薄膜 蒸发法 溅射法 化学气相沉积法 外延法 溶胶-凝胶法

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具有平坦表面的导电性氧化膜外延生长法

10

作者 李梅 《稀土信息》 1998年第7期10-11,共2页

日本物质工学工业技术研究所开发出了一种制备表面更加平坦的外延薄膜的化学液相工艺流程（涂敷热分解法）,并用该法制成了La_1-xSr_xMnO₃（LSMO）材料。这种LSMO... 日本物质工学工业技术研究所开发出了一种制备表面更加平坦的外延薄膜的化学液相工艺流程（涂敷热分解法）,并用该法制成了La_1-xSr_xMnO₃（LSMO）材料。这种LSMO材料应用前景很好,它可以用于固体电解质型燃料电池,同时又可利用其很大的抗磁（CMR）功能作为磁记录材料被开发。 展开更多

关键词 外延生长法 平坦表面 LSMO 导电性 氧化膜 液相工艺 磁记录材料 热分解法 材料应用 制膜

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高速BiCMOS外延工艺研究 被引量：1

11

作者 吴兵 薛智民 +1 位作者 王清波 陈宝忠 《电子与封装》 2010年第6期29-34,共6页

外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数。文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发。高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章... 外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数。文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发。高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章研究了几个主要外延工艺参数对过渡区的影响,并提出了一种通过减压、低温、本征外延得到窄过渡区的工艺方法。试制结果表明自掺杂效应得到明显抑制,1.5μm外延层下过渡区宽度小于0.25μm,外延层质量良好,测试结果表明该工艺能够满足高速BiCMOS器件的需要。 展开更多

关键词 薄层外延 BICMOS 高频 过渡区 自掺杂 本征外延法

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VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜的生长及其光致发光

12

作者 张家骅 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期186-191,共6页

本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnS_xSe_(1-x)外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜的质量... 本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnS_xSe_(1-x)外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜的质量较高。 展开更多

关键词 气相外延法 ZNSE ZNS 外延膜

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VO_2薄膜常见制备方法综述 被引量：1

13

作者 侯典心 路远 杨玚 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第12期1020-1025,共6页

VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方... VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方法主要有蒸发法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积工艺、分子束外延法及磁控溅射法等。本文详细介绍了每种方法的相应制备原理与国内外研究现状,并用表格的方式简洁明了地对比出每种方法的优势与不足,为不同条件下VO_2薄膜的制备方法的选择提供了参考。同时,本文也对未来研究方向做出展望,对今后VO_2薄膜的制备与应用研究有重要的借鉴意义。 展开更多

关键词 相变材料 VO2制备方法 脉冲激光沉积工艺 分子束外延法 磁控溅射法

全文增补中

分子束外延生长掺铒GaAs和GaA1As的1.54ηm室温电致发光

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作者 高凯平 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第3期31-33,共3页

用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm^2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10^(-6)。本... 用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm^2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10^(-6)。本文还提供了有关从注入载流子到稀土能量传递的初始数据。 展开更多

关键词 电致发光 GaA1As 分子束外延生长 外量子效率 发光二极管 分子束外延法 异质结 能量传递 MOCVD 带边

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引信用非制冷快响应长波红外敏感技术

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作者 马明 徐博 +1 位作者 高玉竹 陈遵田 《探测与控制学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期53-57,共5页

为了解决引信近场探测对非制冷快响应长波红外敏感技术的需求,开展光子型材料在长波红外敏感技术方面的应用研究。采用熔体外延技术生长出的铟砷锑厚膜单晶通过工艺制备,形成一种可在非制冷条件下截止波长延伸到11μm的光子型红外探测... 为了解决引信近场探测对非制冷快响应长波红外敏感技术的需求,开展光子型材料在长波红外敏感技术方面的应用研究。采用熔体外延技术生长出的铟砷锑厚膜单晶通过工艺制备,形成一种可在非制冷条件下截止波长延伸到11μm的光子型红外探测器。通过对器件的性能测试及末敏弹扫描平台的应用表明,该器件在响应波段和响应时间两方面可有效提升红外引信的探测能力。 展开更多

关键词 红外引信 铟砷锑 熔体外延法 末敏弹

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利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 被引量：1

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作者 颜建锋 梁红伟 +5 位作者 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-106,共4页

在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,... 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析

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基于Elman神经网络的话务预测 被引量：3

17

作者 许光斌 刘鱼勇 楼正华 《移动通信》 2012年第9期45-48,共4页

文章采用Elman神经网络对话务量预测建立模型,利用MATLAB对一组实际话务量数据进行仿真分析,并与趋势外延法进行了精确性、稳健性和鲁棒性的对比,得出Elman神经网络优于趋势外延法的结论。

关键词 ELMAN神经网络 趋势外延法 误差占比 稳健性 鲁棒性

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具有p-n结特性的La_(1-x)Ca_xMnO_3/SrNb_xTi_(1-x)O_3巨磁阻多层膜的透射电镜研究

18

作者 虞红春 刘立峰 +4 位作者 李莹 田焕芳 周玉清 吕惠宾 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期403-403,共1页

关键词 SNTO材料 巨磁阻薄膜 LCMO材料 P-N结 激光分子束外延法 薄膜生长 结构分析 晶胞参数

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(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

19

作者 刘义族 于福聚 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第3期261-264,共4页

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δ... 用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 . 展开更多

关键词 分子束外延法 异质结 倾斜角 X射线双晶衍射法 HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜 失配位错 镉 汞 碲 镓 砷

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混凝土坝变形Wavelet-EGM-PE-ARIMA组合预测模型 被引量：7

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作者 汪程 杨光 +3 位作者 祖安君 陈悦 尹文中 邱小秦 《长江科学院院报》 CSCD 北大核心 2019年第8期67-72,共6页

混凝土坝的总变形可以归结为由水压和温度变化引起的变形以及随时间发展的变形。其中,水压变形和温度变形体现为总变形中的周期性分量,而时效变形体现为总变形中的趋势性分量。借助复合建模思想,提出一种混凝土坝变形Wavelet-EGM-PE-AR... 混凝土坝的总变形可以归结为由水压和温度变化引起的变形以及随时间发展的变形。其中,水压变形和温度变形体现为总变形中的周期性分量,而时效变形体现为总变形中的趋势性分量。借助复合建模思想,提出一种混凝土坝变形Wavelet-EGM-PE-ARIMA组合预测模型。首先利用小波多分辨分析功能,分解出大坝变形时间序列中的趋势性项、周期性项;其次,运用EGM模型实现对趋势性项的有效预测,采用周期外延模型实现对周期性项的有效预测,在此基础上,利用ARIMA模型实现对EGM模型和周期外延模型残差项的有效预测;最后通过某工程实例,检验所提出模型的有效性。计算结果表明:该组合模型充分考虑大坝各变形分量的变化规律,并基于此,实现对大坝变形时间序列有效的拟合和预测,且其拟合和预测精度均明显优于传统统计模型。 展开更多

关键词 混凝土坝 变形预测 小波分析 EGM(1 1)模型 周期外延法 差分自回归移动平均模型

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