用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(下)

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摘要四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中来形成p^+-n结;

作者龚琰民

出处《红外与激光技术》 CSCD 1990年第1期45-50,共6页

关键词红外光电二极管 HGCDTE 外延法

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红外与激光技术

1990年第1期

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