铸造多晶硅中的原生杂质被引量：3

在线阅读下载PDF

导出

摘要本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅中的原生杂质的性质及分布规律。研究发现,铸造多晶硅中氧的浓度从底部到顶部逐渐降低。铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部逐渐升高。而铸造多晶硅中铁的浓度分布则是底部和顶部浓度高,中间很低,这表明晶体底部高浓度的铁主要是由于铁的分凝所致,而这些铁主要来自于晶体凝固过程中坩埚的沾污。

作者唐骏席珍强邓海杨德仁

机构地区宁波晶元太阳能有限公司浙江大学硅材料国家重点实验室

出处《中国建设动态（阳光能源）》 2007年第1期43-44,共2页

基金国家科技攻关计划(2004BA410A02) 浙江省自然基金(Y105468) 教育部留学回国人员基金

关键词铸造多晶硅氧碳铁

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献63

1陈朝:应该建立符合我国光伏产业发展的太阳能级多晶硅材料标准[J].新材料产业,2008(6):16-17. 被引量：3
2裴立宅,刘翠娟.多孔硅的应用研究进展[J].光电技术应用,2004,19(4):16-19. 被引量：3
3赵慧,徐征,励旭东,李海玲,许颖,赵玉文,王文静.磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用[J].Journal of Semiconductors,2005,26(2):341-344. 被引量：11
4陈君,杨德仁,席珍强,阙端麟,关口隆史.铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流[J].太阳能学报,2005,26(1):1-5. 被引量：5
5陈金学,席珍强,吴冬冬,杨德仁.铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理[J].Journal of Semiconductors,2005,26(8):1549-1552. 被引量：4
6于站良,马文会,戴永年,杨斌,魏奎先.太阳能级硅制备新工艺研究进展[J].轻金属,2006(3):43-47. 被引量：29
7陈君,杨德仁,席珍强.铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究[J].太阳能学报,2006,27(4):364-368. 被引量：10
8石湘波,施正荣,朱拓,汪义川.铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响[J].江南大学学报（自然科学版）,2006,5(2):249-252. 被引量：2
9汪建军,刘金霞.太阳能电池及材料研究和发展现状[J].浙江万里学院学报,2006,19(5):73-77. 被引量：18
10石湘波,许志强,施正荣,朱拓,汪义川.铸造多晶硅的吸杂[J].江南大学学报（自然科学版）,2006,5(6):749-752. 被引量：6

引证文献3

1钟根香,周浪,周潘兵,万跃鹏.定向凝固多晶硅的结晶组织及晶体缺陷与杂质研究[J].材料导报,2008,22(12):14-18. 被引量：14
2吴洪军,陈秀华,马文会,梅向阳,蒋咏.太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状[J].材料导报,2010,24(15):135-140. 被引量：7
3刘耀南,梁萍兰,张存磊,席珍强.太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究[J].浙江理工大学学报（自然科学版）,2013,30(2):250-253. 被引量：1

二级引证文献21

1罗玉峰,宋华伟,张发云,彭华厦,胡云,饶森林.稳恒磁场对多晶硅定向凝固结晶阶段流速场的影响[J].金属热处理,2015,40(1):185-189.
2谢刚,杨大锦.2010年云南冶金年评[J].云南冶金,2011,40(2):41-51.
3张建文,殷欣欣,张海峰,姜春明.反应性化学品泄漏扩散的三维数值模拟[J].计算机与应用化学,2012,29(5):511-516.
4张建文,殷欣欣,张海峰,姜春明.四氯化硅泄漏迁移-转化过程数值模拟[J].安全与环境学报,2012,12(5):256-263. 被引量：1
5郑兰花,徐进,潘淼,陈朝,史珺.冶金法n型多晶硅片磷、硼吸杂实验的研究[J].半导体光电,2012,33(6):830-833. 被引量：1
6刘耀南,梁萍兰,张存磊,席珍强.太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究[J].浙江理工大学学报（自然科学版）,2013,30(2):250-253. 被引量：1
7王琤,赵波,徐芳华,张瀛,张建功.硅熔体弯曲液面附加压强计算及齿状坩埚参数设计[J].太阳能,2013(11):50-53.
8薛连伟.定向凝固制备铸造多晶硅研究进展[J].化工生产与技术,2013,20(5):32-35. 被引量：1
9胡艳,李沐益,郝海.多晶硅定向凝固温度场模拟的研究进展[J].材料导报,2014,28(11):22-26. 被引量：1
10魏奎先,郑达敏,马文会,杨斌,戴永年.定向凝固技术在冶金法多晶硅制备过程中的应用[J].真空科学与技术学报,2014,34(12):1358-1365. 被引量：7

1陈凤翔,崔容强,徐林.微波光电导中的灵敏度分析[J].太阳能学报,2006,27(1):23-29. 被引量：3
2高冬美,陆绮荣,韦艳冰,黄彬.微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命[J].激光技术,2011,35(5):610-612.
3于丽君,段晋胜.多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析[J].电子工业专用设备,2012,41(6):26-30. 被引量：6
4李龙亮,陈长缨,莫晨晓,干雄龙,魏其锋,王桂宾.FS-MWPCD少子寿命测量系统的信号处理设计[J].半导体光电,2013,34(5):895-898. 被引量：1
5晒一晒又能再听40小时音乐[J].IT时代周刊,2009,19(14):40-40.
6李凤,马忠权,孟夏杰,吕鹏,于征汕,何波.表面钝化对少子寿命、铁-硼对浓度和复合中心浓度的影响[J].科学通报,2010,55(2):188-193. 被引量：4
7何璇,陈长缨,洪岳,张浩.基于激光-微波双辐射源少子寿命的测定装置[J].半导体光电,2012,33(2):218-220. 被引量：1
8何璇,陈长缨,洪岳,张浩.基于微波反射光电导法的硅材料少子寿命的研究及系统构建[J].自动化与信息工程,2011,32(6):8-11.
9汤志成.德生CR-200 卧式收音机剖析与改造[J].电子世界,2007(5):46-47.
10Weidong Huang,Meng Wang.Progress and development trends in the numerical modeling of solidification[J].Chinese Science Bulletin,2014,59(15):1709-1718. 被引量：3

中国建设动态（阳光能源）

2007年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

铸造多晶硅中的原生杂质被引量：3

同被引文献63

引证文献3

二级引证文献21

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

铸造多晶硅中的原生杂质 被引量：3

同被引文献63

引证文献3

二级引证文献21

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

铸造多晶硅中的原生杂质被引量：3