摘要
针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率.发现在RTP炉中进行铝吸杂时,双面蒸镀铝少子寿命的增加比单面蒸镀时明显,在830℃时吸杂效果最优;而在CTP炉中吸杂时,单面蒸镀铝少子寿命的增加更明显,在600,700℃时吸杂效果最优.
To analyse the influence of aluminium（Al） gettering on multicrystalline silicon （mc-si） solar cell, the paper compares the lifetime, electrical performance and IQE of mc-si with single and double side 2 gmeter Al coating gettered by RTP and CTP. Double side Al coating results in higher lifetime than single side by RTP, but the opposite result is obtained by CTP. The best effect of Al gettering has been achieved at 830℃ by RTP and at 600℃ and 700℃ by CTP.
出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第2期249-252,共4页
Joural of Jiangnan University (Natural Science Edition)
作者简介
石湘波（1980-）．女．河南洛阳人，检测技术与自动化装置硕士研究生．
通讯联系人：施正荣（1963-）。江苏镇江人，高级工程师。工学博士．硕士生导师．主要从事提高太阳电池转化效率等研究．Email：zrshi@suntechpower．com
