摘要
综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果。研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义。
In this paper, recent researches of quantum chemistry calculation for GaN growth mechanisms are presented. The recent GaN growth models are discussed in detail, meanwhile the computational results from various GaN growth models are provided. The results indicate that the method of quantum chemistry calculation could provide a variety of information of chemical reaction during GaN growth, which will help to understand micro-mechanism of GaN growth.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期127-129,共3页
Materials Reports
基金
国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049)
国家高技术研究发展规划(2006AA03A142
2006AA03A118
2006AA03A103)
国家自然科学基金(60676057)
自然科学基金优秀群体(60421003)
教育部重大项目(10416)
高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)
江苏省自然科学基金项目(BK2005210)
北京科技大学科研专项发展金(20050600190)
作者简介
张禹：男，1970年生，副教授，博士，博士后，主要研究领域为Ⅲ／∨族半导体材料的模型化、仿真与设计 E-mail：yuzhang@sas．ustb．edu．cn
