期刊文献+

纳米尺寸非晶氮化硅结构模型研究 被引量:1

Study on Structural Model of Nanometer-sized Scale Amorphous Si_3N_4
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 根据晶态和非晶态氮化硅原子的相关性结构特征,构造出了正四面体N结构和平面三角形Si结构相互嵌套的基本结构单元,模拟出了纳米量级非晶氮化硅的结构模型,其主要结构参数与实验吻合,这种模型可进一步用于非晶和纳米非晶氮化硅材料的结构和性能研究之中. According to the structural characteristics of atomic coherence in crystal and amorphous Si3N4, a primitive structural unit is constructed with one tegular qnadrahedron N strurmre and a pla nar triangle Si structure, and a model of nanometer- sized scale amorphous Si3N4 is simulated whose structural parameters are in good agreement with experimental work, which will be ed in the future boy of structural and physical properties of amorphous Si3N4 and nanometer-sized amorphous Si3N4.
出处 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期42-46,共5页 JUSTC
基金 国家科学基金
关键词 纳米材料 非晶氮化硅 氮化硅 nanometer-sized materials amorphous Si_3N_4 structural model simulation
  • 相关文献

参考文献2

  • 1张立德,1991年
  • 2郑兆勃,非晶固态材料引论,1987年

同被引文献21

  • 1庄大明,刘家浚,李文治,朱宝亮,张绪寿,张平余.工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响[J].摩擦学学报,1995,15(2):97-103. 被引量:4
  • 2徐东,朱宏,汤丽娟,杨云洁,郑志宏,柳襄怀,谷口滋次,柴田俊夫.离子束增强沉积氮化硅膜及TiAl抗高温氧化性能的改善[J].金属学报,1995,31(4). 被引量:8
  • 3埃克托瓦L 王广阳(译).薄膜物理学[M].北京:科学出版社,1986.149.
  • 4Vargheese K D,Rao G M.Ion-assisted deposition of silicon nitride films using electron cyclotron resonance plasma,J Vac Sci Technol,2001,19(4):1336-1340
  • 5Zhai Guangjie,Yang Jianshu,Nelson.Surface structures of silicon nitride thin films on Si (111).Thin Solid Films,2000,366(5):121-128
  • 6Shimozuma M.Room temperature demposition of silicon nitride films using very low frequency (50 Hz) plasma CVD.J Electron Mater,1985,14:573
  • 7Lanford W A,Rand M J,The Hydrogen content of plasma-deposite siliicon nitrides.J Appl Phvs,1978,49:30
  • 8Semmache B.Silico nitride and oxynitride deposition by RT-LPCVD.Thin Solid Films,1997,296(1):32
  • 9Zhang Huafu,Qi Kangcheng,Wu Jian.Preparation methods and applications of silicon nitride thin film.Materials Review,2004,18,298-300
  • 10Sarita T,Satake T,Adachi H,et al.Mass spectrometric and kinetic study of low pressure chemical vapor deposition of Si3N4 thin films from SiH2Cl2 and NH3.J Electrochem Soc,1994,29 (4):3505-3511

引证文献1

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部