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纳米非晶硅薄膜的界面发光特性 被引量：1

Analysis of Interface Luminescence in Nano-Sized Amorphous Silicon
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摘要 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.
作者 傅广生 张江勇 丁文革 吕雪芹 于威
机构地区 河北大学物理科学与技术学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期91-94,共4页 半导体学报（英文版）
基金 河北省自然科学基金资助项目(批准号:E2006000999,E2004000119)
关键词 纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
作者简介 傅广生,通信作者.Email:dwg@mail.hbu.cn
  • 相关文献

参考文献12

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引证文献1

二级引证文献4

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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