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机械产品装配序列规划研究
被引量：
5
1
作者
彭琛
刘克能
周长省
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2006年第2期81-85,共5页
研究装配序列规划作为装配工艺中的核心内容,对实现生产自动化有着十分重要的意义,是目前国内外工艺领域的研究热点．在比较了各种装配序列规划方法的基础上,以某实际产品为例,借助干涉矩阵,就装配序列的生成展开了讨论．为防止随着装...
研究装配序列规划作为装配工艺中的核心内容,对实现生产自动化有着十分重要的意义,是目前国内外工艺领域的研究热点．在比较了各种装配序列规划方法的基础上,以某实际产品为例,借助干涉矩阵,就装配序列的生成展开了讨论．为防止随着装配单元数量的增加,产品的装配顺序方案呈指数增加,从而产生组合爆炸或大量的交互问答,同时也为了获得行之有效的装配序列．在已获取的一系列装配序列的基础上,综合装配约束关系及子装配本的识别对装配序列的获取进行了优化,生成合理的接近实际的装配序列．
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关键词
装配序列规划
干涉矩阵
优化
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职称材料
LDMOSFET电热耦合解析模型
2
作者
孙晓红
戴文华
+2 位作者
严唯敏
陈强
高怀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期370-376,424,共8页
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该...
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。
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关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
解析模型
晶体管模型
封装模型
热模型
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职称材料
0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块
被引量：
4
3
作者
丁华锋
严维敏
+2 位作者
王钟
胡善文
高怀
《电讯技术》
北大核心
2010年第11期80-84,共5页
提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑...
提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。
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关键词
发射机
达林顿结构
共射共基
负反馈
放大器
增益模块
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职称材料
题名
机械产品装配序列规划研究
被引量：
5
1
作者
彭琛
刘克能
周长省
机构
南京信息职业
技术
学院
机电工程
系
苏州大学
机电工程
系
南京理工
大学
机械
工程
学院
出处
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2006年第2期81-85,共5页
文摘
研究装配序列规划作为装配工艺中的核心内容,对实现生产自动化有着十分重要的意义,是目前国内外工艺领域的研究热点．在比较了各种装配序列规划方法的基础上,以某实际产品为例,借助干涉矩阵,就装配序列的生成展开了讨论．为防止随着装配单元数量的增加,产品的装配顺序方案呈指数增加,从而产生组合爆炸或大量的交互问答,同时也为了获得行之有效的装配序列．在已获取的一系列装配序列的基础上,综合装配约束关系及子装配本的识别对装配序列的获取进行了优化,生成合理的接近实际的装配序列．
关键词
装配序列规划
干涉矩阵
优化
Keywords
assembly sequence planning, interfere matrix, optimization
分类号
TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
LDMOSFET电热耦合解析模型
2
作者
孙晓红
戴文华
严唯敏
陈强
高怀
机构
东南
大学
国家ASIC
系
统
工程
中心
Infineon Technologies North America Corp
苏州大学应用技术学院机电工程系
Department of Electronic System
苏州
工业园区教育投资发展有限公司&
苏州
英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路
技术
中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期370-376,424,共8页
文摘
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。
关键词
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
解析模型
晶体管模型
封装模型
热模型
Keywords
LDMOSFET
analytical model
transistor model
package model
thermal model
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块
被引量：
4
3
作者
丁华锋
严维敏
王钟
胡善文
高怀
机构
东南
大学
苏州
研究院高频高功率器件与集成
技术
研究中心
苏州大学应用技术学院机电工程系
南京
大学
电子科学与
工程
系
声学研究所
东南
大学
国家ASIC
系
统
工程
技术
研究中心
出处
《电讯技术》
北大核心
2010年第11期80-84,共5页
文摘
提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。
关键词
发射机
达林顿结构
共射共基
负反馈
放大器
增益模块
Keywords
transmitter
Darlington structure
cascode
negative feedback
amplifier
gain block
分类号
TN721.1 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
机械产品装配序列规划研究
彭琛
刘克能
周长省
《南京师范大学学报（工程技术版）》
CAS
2006
5
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职称材料
2
LDMOSFET电热耦合解析模型
孙晓红
戴文华
严唯敏
陈强
高怀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
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职称材料
3
0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块
丁华锋
严维敏
王钟
胡善文
高怀
《电讯技术》
北大核心
2010
4
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职称材料
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