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OBD-II随车电脑诊断系统 被引量:1
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作者 吕建新 田杰 《现代电子技术》 2002年第11期96-97,共2页
简要介绍了 OBD- II随车电脑诊断系统的发展及主要功能 。
关键词 OBD-Ⅱ 随车电脑诊断系统 故障码 功能
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基于BP神经网络的曲轴最佳滚压参数的研究 被引量:6
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作者 薛隆泉 徐国宁 +1 位作者 刘荣昌 贾小刚 《内燃机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期61-64,共4页
基于最佳残余应力理论,利用ANSYS有限元软件对480Q曲轴具体工况进行有限元模拟,得到对应的最佳残余应力。利用DEFORM有限元软件针对此曲轴进行了滚压试验,得到数组不同滚压参数对应的残余应力。利用神经网络进行训练得到滚压参数与残余... 基于最佳残余应力理论,利用ANSYS有限元软件对480Q曲轴具体工况进行有限元模拟,得到对应的最佳残余应力。利用DEFORM有限元软件针对此曲轴进行了滚压试验,得到数组不同滚压参数对应的残余应力。利用神经网络进行训练得到滚压参数与残余应力的对应关系。最后,利用此网络找到与最佳残余应力对应的最佳滚压参数,为实际生产提供可靠的参考。 展开更多
关键词 内燃机 曲轴 最佳残余应力 正交试验 神经网络
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爆炸式催泪弹安全性研究 被引量:9
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作者 郭三学 方宗德 范扬州 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第6期536-541,共6页
爆炸式催泪弹的安全性和可靠性设计是新型防暴弹的重要研究方向.本文针对爆炸式催泪弹的安全设计,利用最小自由能法获得了装药配方中炸药爆炸后的平衡组成,计算了爆炸式催泪弹反应过程释放的总能量、装药爆速、爆压.对弹体零件强度、爆... 爆炸式催泪弹的安全性和可靠性设计是新型防暴弹的重要研究方向.本文针对爆炸式催泪弹的安全设计,利用最小自由能法获得了装药配方中炸药爆炸后的平衡组成,计算了爆炸式催泪弹反应过程释放的总能量、装药爆速、爆压.对弹体零件强度、爆炸冲击波、破片及残骸杀伤性进行了理论分析和计算.通过试验,证明了研发的爆炸式催泪弹产品具有极高的安全性和可靠性. 展开更多
关键词 爆炸式催泪弹 安全性 可靠性 最小自由能法
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4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析 被引量:2
4
作者 吕红亮 车勇 +3 位作者 张义门 张玉明 郭辉 张林 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第2期78-82,共5页
采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μ... 采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。 展开更多
关键词 碳化硅 金属半导体场效应晶体管 非线性 VOLTERRA级数
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子母催泪弹发射机理仿真分析 被引量:3
5
作者 郭三学 罗雷 方宗德 《西安工业大学学报》 CAS 2007年第2期119-123,共5页
子母催泪弹以发烟迅速、多点投放、终点效应多源化等诸多优点,成为新型防暴弹的重要研究方向.但由于小型子母催泪弹发射机理复杂,目前还没有建立较成熟的理论体系.本文针对小型子母式催泪弹,采用经典弹道理论建立了高低压室发射方式的... 子母催泪弹以发烟迅速、多点投放、终点效应多源化等诸多优点,成为新型防暴弹的重要研究方向.但由于小型子母催泪弹发射机理复杂,目前还没有建立较成熟的理论体系.本文针对小型子母式催泪弹,采用经典弹道理论建立了高低压室发射方式的内外弹道数学模型.从理论上对子母催泪弹的弹体结构设计和装药设计的合理性进行了仿真计算,仿真结果和实验数据较吻合,可以说明对子母催泪弹建立的这种分析方法是合理的、有效的. 展开更多
关键词 子母催泪弹 发射机理 仿真计算 弹道
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陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
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作者 吕红亮 张义门 +3 位作者 张玉明 车勇 王悦湖 邵科 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期933-936,共4页
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既... 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据. 展开更多
关键词 碳化硅 MESFET 深能级陷阱 频率特性
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模糊综合评判在多目标优化设计中的应用 被引量:3
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作者 陈新 吴琦 +2 位作者 郭三学 赵晓青 王少华 《西安矿业学院学报》 1999年第4期351-355,共5页
叙述模糊综合评判方法及其在机械设计多目标问题中的应用,指出“型”与“量”两方面的优化处理相结合才能获得真正的最优解。最后以滑动轴承的多目标优化设计为例来说明模糊综合评判的应用过程。
关键词 多目标优化设计 模糊综合评判 隶属函数 轴承
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