CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量：25

1

作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页

采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多

关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS

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最大功率点跟踪原理及实现方法的研究 被引量：61

2

作者 赵庚申 王庆章 许盛之 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期997-1001,共5页

对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪... 对最大功率跟踪控制中DC-DC变换器的原理和控制方法进行了实验研究,利用DC-DC转换电路测量和单片机控制系统实现最大功率点跟踪,使太阳电池始终保持最大功率输出;同时提出了实现最大功率跟踪的控制方法,并通过实测结果说明最大功率跟踪系统的效果。 展开更多

关键词 光伏系统 DC-DC变换器 最大功率点跟踪

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头盔式LCoS视频数据处理系统的研究与设计 被引量：5

3

作者 黄茜 耿卫东 +3 位作者 商广辉 代永平 姜晓鹏 费旭峰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期286-290,共5页

系统地分析了头盔式LCoS场序彩色显示系统对视频数据格式、传输速率、系统功耗等的具体要求,设计了一款单片RAM的头盔式LCoS视频数据处理系统。采用RGB32的数据传输格式,充分利用了ZBTSRAM高速数据读、写切换的特点,在系统主时钟保持在1... 系统地分析了头盔式LCoS场序彩色显示系统对视频数据格式、传输速率、系统功耗等的具体要求,设计了一款单片RAM的头盔式LCoS视频数据处理系统。采用RGB32的数据传输格式,充分利用了ZBTSRAM高速数据读、写切换的特点,在系统主时钟保持在13.5MHz的情况下,实现了单路数据的传输速率达40.5Mbit/s,远远超过了系统23.13Mbti/s的数据传输要求。采用该结构的数据处理系统,使系统功耗降低了0.6W,面积减小了近40cm2。设计的头盔微型显示系统样机,实现了640×480VGA分辩率、子场刷新频率为150Hz的场序彩色显示功能。 展开更多

关键词 头盔显示器 LCOS 场序彩色 数据缓存 读写切换 ZBT SRAM

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P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究 被引量：2

4

作者 耿新华 孙云 +4 位作者 刘世国 李洪波 陆靖谷 孙建 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期358-362,共5页

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳... 用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。 展开更多

关键词 微晶化 硅碳硼合金 薄膜 掺杂特性

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蒸发硒化法制备CIS／CdS太阳电池研究 被引量：2

5

作者 李长健 朱践知 +2 位作者 飞海东 孙建 周桢华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期297-302,共6页

用蒸发硒化法制作的基于ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜的ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，面积为０．１ｃｍ２和１ｃｍ２电池的转换效率分别达到７．６２％和７．２８％，５ｃｍ×６ｃｍ电池的平均效率达到６．６７％。对制备工艺及关键技术... 用蒸发硒化法制作的基于ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜的ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，面积为０．１ｃｍ２和１ｃｍ２电池的转换效率分别达到７．６２％和７．２８％，５ｃｍ×６ｃｍ电池的平均效率达到６．６７％。对制备工艺及关键技术、电池性能和退火效应进行了分析探讨。 展开更多

关键词 蒸发 硒化 退火 太阳能电池

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效率为12.1%的Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池 被引量：10

6

作者 何青 孙云 +11 位作者 李凤岩 敖建平 刘芳芳 李伟 刘维一 孙国忠 周志强 薛玉明 朴英美 汲明亮 郑贵波 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期782-784,共3页

利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS... 利用共蒸发的三步法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并采用Mo/CIGS/CdS/ZnO 结构为基础做出转换效率超过10%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到12.1%(测试条件为:AM1.5,Global 1000W/m2)。通过与国际最高水平的CIGS太阳电池各参数的比较,分析了我们所制备的CIGS太阳电池在工艺和物理方面存在的问题。 展开更多

关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率

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Cu(In，Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 被引量：5

7

作者 张力 孙云 +4 位作者 何青 徐传明 肖建平 薛玉明 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期895-899,共5页

利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生... 利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%(测试条件为：AM1．5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 展开更多

关键词 CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜 预置层(In0.7Ga0.3)2Se3 集成组件

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SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响 被引量：3

8

作者 耿新华 刘世国 +3 位作者 李洪波 孙云 孙钟林 徐温元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期263-267,共5页

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改... 用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。 展开更多

关键词 SnO2/P 接触特性 填充因子 硅太阳电池 薄膜

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氢化非晶硅薄膜的电场诱导锂离子注入及其光伏特性

9

作者 王宝辉 王德军 +4 位作者 李铁津 耿新华 刘世国 孙云 孙钟林 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期5-8,共4页

采用电化学方法，在电场诱导下，对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行锂离子注入，并用光电化学方法对不同条件下处理的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明，处理电位小于－０．６０Ｖ时，理离子注入明显，经... 采用电化学方法，在电场诱导下，对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行锂离子注入，并用光电化学方法对不同条件下处理的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明，处理电位小于－０．６０Ｖ时，理离子注入明显，经过注入的薄膜光伏响应提高６０％左右． 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜 锂 离子注入 光伏响应 电场诱导

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氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn_(1-X)Ga_XSe_2/CdS的影响

10

作者 张辉 丁绍林 +6 位作者 汤会香 张会锐 马向阳 杨德仁 刘维一 张加友 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期430-433,共4页

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-XGaXSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-XGaXSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢... 将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-XGaXSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-XGaXSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIn0 7Ga0 3Se相的形成,这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响,这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的,而非普通的热处理所致。 展开更多

关键词 太阳电池薄膜 CIGS 氢 热处理

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光学神经网络中非线性输出器件的研制

11

作者 岳兵 傅红娟 +3 位作者 张延忻 耿新华 熊绍珍 孟志国 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第4期523-525,共3页

光学神经网络中非线性输出器件是一个瓶颈，本文报导了一种集成光电非线性输出器件（探测器阵列），给出了器件的结构、性能。

关键词 非线性输出器件 光学神经网络 PIN探测器

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多晶硅薄膜太阳电池的计算机模拟 被引量：4

12

作者 葛惠春 薛俊明 +4 位作者 耿新华 李洪波 王宗畔 王庆章 任慧志 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期145-149,共5页

建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly ... 建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型。利用该模型 ,分别模拟计算了单结多晶硅薄膜电池、a Si/poly Si双结电池、a Si/ poly Si/ poly Si三结电池 ,并对结果进行了讨论。结果表明实际可行的多晶硅电池应是具有陷光结构的a Si/ poly Si/ poly Si三结叠层电池 ,其子电池厚度为 0 2 3/ 0 95 / 3μm ,最高效率为 2 2 74 %。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜 叠层电池 计算机模型 陷光结构 太阳能电池

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