p型TOPCon结构的隧穿氧化和钝化工艺研究

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作者 高嘉庆 屈小勇 +5 位作者 吴翔 郭永刚 王永冈 汪梁 谭新 杨鑫泽 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期133-138,共6页

为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准... 为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准升每分钟)以上,p-poly的隐开路电压平均值达到730 mV,暗饱和电流密度低至3.5 fA/cm^(2)。氧化温度和时间分别达到620℃和30 min时,p-poly的隐开路电压可提升至735 mV;随着氧化温度的提高或者氧化时间的延长,p-poly的隐开路电压趋于稳定。硼扩散温度为960℃时,p-poly的方块电阻保持在132Ω/,硅基体中的掺杂结深为0.25μm,获得了良好的钝化性能。本文所确定的工艺参数可制备出具有良好钝化性能的p-poly结构,对未来p型TOPCon结构在高效晶硅电池上的产业化应用提供了一定的数据支撑。 展开更多

关键词 p型topcon结构 低压化学气相沉积 钝化质量 隐开路电压 暗饱和电流密度 太阳能电池

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β相氧化镓p型导电研究进展 被引量：1

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作者 查显弧 万玉喜 张道华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期177-189,共13页

β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga_(2)O_(3)价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga_(2)O_(3)p型掺杂的主要策略。对于β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga_(2)O_(3)的p型导电问题,系统阐述了β-Ga_(2)O_(3)电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga_(2)O_(3)p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3) p型导电 电子结构 受主能级 固溶 p-N结

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一株鸡大肠杆菌1型及P型菌毛蛋白结构基因的克隆 被引量：4

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作者 戴鼎震 汤厚宽 +2 位作者 郑明球 蔡宝祥 陈溥言 《中国预防兽医学报》 CAS CSCD 2000年第4期281-284,共4页

据国外发表的人致病性大肠杆菌 1型及P型菌毛蛋白结构基因 (pilA及papA)序列 ,设计并合成了分别位于PilA及papA保守区的 2对引物。经PCR从 1株带有甘露糖敏感血凝特性 (MSHA)及甘露糖抵抗血凝特性 (MRHA)的鸡致病性大肠杆菌 (HJ2 0e)染... 据国外发表的人致病性大肠杆菌 1型及P型菌毛蛋白结构基因 (pilA及papA)序列 ,设计并合成了分别位于PilA及papA保守区的 2对引物。经PCR从 1株带有甘露糖敏感血凝特性 (MSHA)及甘露糖抵抗血凝特性 (MRHA)的鸡致病性大肠杆菌 (HJ2 0e)染色体中扩增到大小分别在 6 5 7bp及 5 41bp的 2种阳性产物。通过核酸序列测定分别确证所扩增的DNA片段分别为pilA及papA基因。经酶切、连接、转化和筛选 。 展开更多

关键词 鸡大肠杆菌 p型菌毛 结构基因 1型菌毛 基因克隆

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我国产业结构与碳排放强度的演进关系——基于“开口P型曲线”的解释 被引量：11

4

作者 陈永国 褚尚军 聂锐 《河北经贸大学学报》 CSSCI 北大核心 2013年第2期54-59,共6页

促进经济与碳排放脱钩发展已成为政府和学术界关注的焦点。在整合产业结构理论和工业化理论的基础上,提出了产业结构与碳排放强度演进的"开口P型曲线"假说,该假说得到了已实现工业化国家演进事实的数据支持。对我国二者演进... 促进经济与碳排放脱钩发展已成为政府和学术界关注的焦点。在整合产业结构理论和工业化理论的基础上,提出了产业结构与碳排放强度演进的"开口P型曲线"假说,该假说得到了已实现工业化国家演进事实的数据支持。对我国二者演进关系的估算结果表明正处于"开口P型曲线"的拐弯阶段,产业结构仅有个别年份对碳排放强度起结构红利贡献,整体上是结构负担贡献。估算结果有两个政策含义一是在现有考核办法中新增碳排放总量的考核指标和相应管理办法;二是大力发展现代服务业。 展开更多

关键词 产业结构 碳排放强度 开口p型曲线

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p型结构的高效有机白光器件 被引量：2

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作者 王春雷 费腾 +1 位作者 李峰 马於光 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期392-396,共5页

制备了一种高效的p型结构的红光有机发光器件.对比发现这种p型结构的器件在亮度、电流密度以及效率等方面都优于普通的器件.将这种p型结构应用到白光器件上,使用红、绿、蓝三种发光材料作为发光层,通过调节它们各自的发射强度来实现白... 制备了一种高效的p型结构的红光有机发光器件.对比发现这种p型结构的器件在亮度、电流密度以及效率等方面都优于普通的器件.将这种p型结构应用到白光器件上,使用红、绿、蓝三种发光材料作为发光层,通过调节它们各自的发射强度来实现白光发射.优化条件后,制得白光器件的最大电流效率和功率效率分别为19.3cd.A-1和12.1lm.W-1,最大亮度可达到31770cd.m-2,在5到11V驱动电压范围内为较纯正的白光,器件的可重复性好. 展开更多

关键词 有机发光 高效 有机白光器件 p型结构 掺杂

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P(VdF-HFP)型聚合物电解质的结构和导电性研究 被引量：8

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作者 李芳 李康 +1 位作者 孙岳明 张力 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2004年第2期251-255,共5页

制备了以偏氟乙烯与六氟丙烯共聚物[P(VdF-HFP)]为基质的聚合物电解质,并测定了该类电解质的电导率。讨论了锂盐浓度、增塑剂配比、纳米SiO_2粉末掺入等对离子电导率的影响。结果表明:以P(VdF-HFP)为基质的电解质室温电导率最高达到2.81... 制备了以偏氟乙烯与六氟丙烯共聚物[P(VdF-HFP)]为基质的聚合物电解质,并测定了该类电解质的电导率。讨论了锂盐浓度、增塑剂配比、纳米SiO_2粉末掺入等对离子电导率的影响。结果表明:以P(VdF-HFP)为基质的电解质室温电导率最高达到2.81×10^(-3)S/cm。利用红外、扫描电镜、X射线衍射分析对聚合物电解质的结构和性能进行了表征,探讨了聚合物电解质膜的各组分间相互作用的规律。 展开更多

关键词 p(VdF-HFp)型聚合物电解质 结构 导电性 聚偏二氟乙烯

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纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响 被引量：3

7

作者 周昌杰 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期917-921,共5页

采用第一性原理和密度泛函理论的方法,计算未掺杂、N单掺杂和Ga-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构。总能计算表明,Ga原子的共掺杂使总能极大地降低,从而显著提高杂质N原子在ZnO中的稳定性。电荷密度分布显示,总能的降低... 采用第一性原理和密度泛函理论的方法,计算未掺杂、N单掺杂和Ga-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构。总能计算表明,Ga原子的共掺杂使总能极大地降低,从而显著提高杂质N原子在ZnO中的稳定性。电荷密度分布显示,总能的降低主要是Ga-N共掺杂后Ga原子的3d态和N原子的2p态电子之间的强杂化相互作用所致。特别是在Ga原子的负电荷和N原子的正电荷沿c轴排成一线的共掺杂构型中,较大的局域极化场的变化引起价带顶向禁带中的大分裂,降低了N受主的激活能,将空穴的浓度提高了三个量级,有效地提高p型掺杂效率。 展开更多

关键词 氧化锌 p型掺杂 能带结构

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A型产气荚膜梭菌青海分离株tetA(P)耐药基因序列分析及蛋白结构预测 被引量：2

8

作者 冶贵生 马玉花 +4 位作者 张爽 张晓芬 韩志辉 邹勇 贾跃宁 《动物医学进展》 北大核心 2015年第6期54-59,共6页

应用PCR技术对A型产气荚膜梭菌青海分离株的tetA(P)耐药基因进行扩增、测序,利用生物软件对tetA(P)基因进行序列分析与蛋白结构预测。结果表明,A型产气荚膜梭菌青海分离株的tetA(P)基因长度为1 263bp,编码420个氨基酸。与参考菌株EHE-N... 应用PCR技术对A型产气荚膜梭菌青海分离株的tetA(P)耐药基因进行扩增、测序,利用生物软件对tetA(P)基因进行序列分析与蛋白结构预测。结果表明,A型产气荚膜梭菌青海分离株的tetA(P)基因长度为1 263bp,编码420个氨基酸。与参考菌株EHE-NE18、Wakayama、CW92的核苷酸序列同源性依次为100%、99.8%和98.7%,氨基酸序列同源性依次为100%、100%和98.3%。分离株TetA(P)蛋白疏水性较强,具有10个跨膜区,含有4个N-糖基化位点,1个cAMP和cGMP依赖性蛋白激酶磷酸化位点,5个蛋白激酶C磷酸化位点,1个酪蛋白激酶Ⅱ磷酸化位点,1个酪氨酸激酶磷酸化位点,12个N-豆寇酰化位点,三级结构主要是由α-螺旋和无规则卷曲形成。研究结果可为A型产气荚膜梭菌tetA(P)基因功能研究提供依据。 展开更多

关键词 A型产气荚膜梭菌 tetA(p)基因 序列分析 蛋白结构

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A型产气荚膜梭菌tetB(P)耐药基因核苷酸序列与蛋白结构分析 被引量：1

9

作者 冶贵生 马玉花 +5 位作者 张爽 梅成和 张晓芬 韩志辉 贾跃宁 邹勇 《甘肃农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期160-164,共5页

为了对产气荚膜梭菌tetB(P)耐药基因进行分析,通过生物软件设计引物,扩增A型产气荚膜梭菌tetB(P)耐药基因,测序后对tetB(P)基因核苷酸序列与蛋白结构进行分析.结果表明:分离株tetB(P)基因长度为1 959bp,编码652个氨基酸.与参考菌株CW92... 为了对产气荚膜梭菌tetB(P)耐药基因进行分析,通过生物软件设计引物,扩增A型产气荚膜梭菌tetB(P)耐药基因,测序后对tetB(P)基因核苷酸序列与蛋白结构进行分析.结果表明:分离株tetB(P)基因长度为1 959bp,编码652个氨基酸.与参考菌株CW92、EHE-NE18的核苷酸序列同源性依次为99.7%、99.9%,氨基酸序列同源性依次为99.4%、99.8%.分离株tetB(P)蛋白亲水性氨基酸较多,无跨膜区,含有4个N-糖基化位点,1个cAMP和cGMP依赖性蛋白激酶磷酸化位点,9个蛋白激酶C磷酸化位点,12个酪蛋白激酶Ⅱ磷酸化位点,7个N-豆寇酰化位点,1个ATP/GTP结合位点基序,1个翻译型鸟苷酸结合域,三级结构主要是由α-螺旋、β折叠和无规则卷曲形成. 展开更多

关键词 A型产气荚膜梭菌 tetB(p)基因 序列分析 蛋白结构

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p16基因结构及表达异常与周围型肺癌CT征象的关系 被引量：4

10

作者 彭秀斌 罗云辉 +2 位作者 杜中立 黄世奎 何竞 《中南大学学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期171-175,共5页

目的:探讨p16基因结构及表达异常与周围型肺癌CT征象的相关性。方法:利用免疫组织化学、聚合酶链反应单链构象多态性分析(PCR SSCP)方法检测52例周围型肺癌患者癌肺组织和癌旁肺组织中p16基因的表达水平及第2外显子突变,并与其CT征象进... 目的:探讨p16基因结构及表达异常与周围型肺癌CT征象的相关性。方法:利用免疫组织化学、聚合酶链反应单链构象多态性分析(PCR SSCP)方法检测52例周围型肺癌患者癌肺组织和癌旁肺组织中p16基因的表达水平及第2外显子突变,并与其CT征象进行相关性研究。结果: 52例肺癌患者癌组织中p16基因蛋白丢失率为53. 8% (28 /52),第2外显子缺失/突变率为23. 1% (12 /52);p16基因的缺失和蛋白的丢失率在不同临床分期的各组间的差异有统计学意义(P<0. 05),但在不同病理类型、分化程度的各组间差异无统计学意义(P>0. 05)。有细毛刺、棘突、胸膜凹陷及淋巴结转移等CT征象的肺癌患者,p16基因的缺失和蛋白的丢失率明显高于无以上征象者(P<0. 05);而在不同肿瘤大小、有无分叶、有无空洞、不同增强值方面,各组的p16基因的缺失和蛋白的丢失率差异无统计学意义(P>0. 05)。结论:p16基因突变及表达异常可能在肺癌的发生、发展中起重要作用,并与肺癌患者CT征象有关。p16基因可作为临床诊断及预后评估的检测指标。 展开更多

关键词 CT征象 周围型肺癌 表达异常 基因结构 聚合酶链反应-单链构象多态性分析 p16基因蛋白 p16基因突变 肺癌患者 免疫组织化学 外显子突变 相关性研究 第2外显子 淋巴结转移 丢失率 统计学 临床分期 病理类型 分化程度 胸膜凹陷

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一种用于有损耗慢波结构有限元本征分析的混合多波前块ILU-p型多重网格预处理 被引量：1

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作者 王浩 徐立 李斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期201-206,共6页

提出了一种全新的混合多波前块ILU-p型多重网格预处理,用于在行波管有损耗慢波结构的三维有限元本征分析中产生的复数不对称的大型稀疏线性方程组的迭代求解。本文提出并采用了改进的多波前法和超块不完全分解算法,用以提升该预处理的... 提出了一种全新的混合多波前块ILU-p型多重网格预处理,用于在行波管有损耗慢波结构的三维有限元本征分析中产生的复数不对称的大型稀疏线性方程组的迭代求解。本文提出并采用了改进的多波前法和超块不完全分解算法,用以提升该预处理的整体性能。这种预处理技术的运用,使得有损耗慢波结构的三维有限元本征分析更加精确、快速。在大量慢波结构的仿真中,采用这种预处理技术的有限元本征分析算法体现出了高效的计算和内存性能,与商业软件HFSS相比具有明显优势,这对于设计出高性能行波管慢波结构具有重要意义。 展开更多

关键词 行波管 慢波结构 有限元法 多波前法 p型多重网格预处理

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HeLa细胞中编码人组织型纤溶酶原激活物K2P结构域突变体cDNA的克隆及特性

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作者 崔立斌 马清钧 +3 位作者 孙光 周平坤 孙玉龙 石成华 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 1999年第3期230-237,共8页

组织型纤溶酶原激活物(t-PA)在人体纤溶系统中发挥着重要作用。基因重组t-PA已被用于急性心肌梗死等血栓性疾病的溶栓治疗。另外,t-PA还与肿瘤浸润和转移等多种过程有关,因此对t-PA进行功能结构研究具有重要应用价值和理论意义。本实验... 组织型纤溶酶原激活物(t-PA)在人体纤溶系统中发挥着重要作用。基因重组t-PA已被用于急性心肌梗死等血栓性疾病的溶栓治疗。另外,t-PA还与肿瘤浸润和转移等多种过程有关,因此对t-PA进行功能结构研究具有重要应用价值和理论意义。本实验用RT-PCR方法从豆蔻酰佛波醇乙酯(phorbol myristate acetate,PMA)处理的HeLa细胞扩增并克隆获得了人t-PA K2P结构域的编码cDNA。序列分析显示该序列含有两个碱基突变,分别导致了成熟蛋白分子两个氨基酸践基序列的改变。第263位密码子突变(ACC→GCC)导致Thr^(263)→Ala^(263),另一突变(CTG→CCG)导致Leu^(485)→Pro^(485)。两个突变分别位于K2和P结构域的连接区和P区。将此含有突变的K2Pt-PA cDNA重组到原核表达载体,在大肠杆菌中获得了表达。纤维蛋白平板法检测显示重组K2Pt-PA复性后具有纤溶活性。以上结果表明HeLa S3细胞表达一种具有纤溶活性的t-PA突变体。 展开更多

关键词 组织型纤溶酶原激活物 K2p结构域 HELA细胞 基因克隆

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Ag,O共掺实现p型氮化铝纳米管电子结构的第一性原理研究 被引量：3

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作者 熊明姚 张锐 +1 位作者 文杜林 苏欣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期471-476,492,共7页

基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化铝纳米管、Ag掺杂,以及Ag和O共掺纳米管进行了几何结构优化。计算讨论了掺杂前后氮化铝纳米管的能带结构、态密度和差分电荷密度。研究显示:本征氮化铝纳米管、Ag掺杂和Ag-O共掺氮化铝... 基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化铝纳米管、Ag掺杂,以及Ag和O共掺纳米管进行了几何结构优化。计算讨论了掺杂前后氮化铝纳米管的能带结构、态密度和差分电荷密度。研究显示:本征氮化铝纳米管、Ag掺杂和Ag-O共掺氮化铝纳米管的带隙分别为2.49 eV、1.84 eV和1.80 eV。掺杂构型仍然保持半导体特性,Ag掺杂氮化铝纳米管的价带顶贯穿费米能级从而形成简并态,实现了氮化铝纳米管的p型掺杂,但Ag-4d态和N-2p态电子轨道间有强烈的杂化效应,Ag的单掺总体上是不稳定的。O掺入后,Ag与O之间的吸引作用克服了Ag原子之间的排斥作用,使Ag在氮化铝纳米管中的掺杂更加稳定;共掺纳米管体系的带隙相较于单掺纳米管体系更加窄化,导电性进一步增强。Ag和O共掺有望成为获得p型氮化铝纳米管的有效方法。 展开更多

关键词 氮化铝纳米管 半导体 共掺 p型掺杂 电子结构 第一性原理

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基于自适应p型有限元方法的双向渐进结构拓扑优化

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作者 许娇娥 姚松 刘荣 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期597-603,共7页

针对拓扑优化过程中计算精度对优化结果的影响,将自适应p型有限元与双向渐进结构拓扑优化BESO(Bidirectional Evolutionary Structural Optimization)相结合,根据误差控制参数设置,通过单元能量误差分析,自适应地提高单元阶次,有效改善... 针对拓扑优化过程中计算精度对优化结果的影响,将自适应p型有限元与双向渐进结构拓扑优化BESO(Bidirectional Evolutionary Structural Optimization)相结合,根据误差控制参数设置,通过单元能量误差分析,自适应地提高单元阶次,有效改善有限元计算精度,并采用灵敏度过滤算法和稳定策略,减轻了棋盘格和迭代振荡现象。通过最小柔度拓扑优化问题实例的计算,验证了该方法的可行性,结果表明所提出方法可在较粗糙的网格下提高拓扑优化计算精度,得到更高的优化效率和更好的优化结果。 展开更多

关键词 自适应p型有限元 双向渐进结构优化 单元阶次 最小柔度

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P_(63)型上心盘和改进型上心盘结构设计分析和建议

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作者 邢书涛 崔荣 《铁道机车车辆》 2000年第2期45-46,共2页

通过对P_(63)型棚车用上心盘和改进型上心盘检修情况的调查对比分析,说明改进型上心盘裂纹多的原因不是刚度和安装方式上与P_(63)型上心盘有何不同,而是结构设计上的差异引起的。

关键词 铁路货车 上心盘 结构设计 p63型棚车

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p+p型半导体气体传感器原理 被引量：7

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作者 杨留方 赵鹤云 +2 位作者 唐启祥 王毓德 吴兴惠 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2004年第6期1-2,12,共3页

p+p型半导体气体传感器是基于气体传感器互补反馈原理的一种新结构半导体气体传感器。该传感器由两种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是p型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该传感器可获得高的选择性和好的... p+p型半导体气体传感器是基于气体传感器互补反馈原理的一种新结构半导体气体传感器。该传感器由两种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是p型半导体材料。理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该传感器可获得高的选择性和好的热稳定性,同时可减少零点漂移,缩短初期驰豫时间,提高抗湿干扰能力。文中在理论上给出了实现上述特性的条件。该传感器原理是通用的理论,对各种具有不同气敏特性的材料组合均适用。 展开更多

关键词 气体传感器 p%pLUS%p型结构 互补反馈 选择性 热稳定性 灵敏度

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p型含铜透明导电材料的新进展 被引量：3

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作者 吴历斌 江莞 黄富强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-14,共8页

基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景,一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注．本文综述了p型含铜透明导体的研究现状．重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展,... 基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景,一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注．本文综述了p型含铜透明导体的研究现状．重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展,从结构化学的角度论述了此类化合物p型导电的机理及共性．研究结果表明,含[Cu2S2]导电层的层状氧硫化合物是颇具潜力的p型透明导体候选材料． 展开更多

关键词 p型 透明导体 层状结构

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大规模p型有限元方程组的修正SSOR-PCG解法 被引量：3

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作者 程昭 陈胜宏 +1 位作者 田胜利 葛修润 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1608-1611,共4页

结合 p型有限元方程组的系数矩阵具有对称性、正定性、稀疏性和阶谱性等特点 ,用修正的对称逐步超松弛预处理共轭梯度法来求解大规模 p型自适应有限元方程组 ,可以减少每步迭代的主要计算量 ;利用上一个自适应步的结果初始化迭代序列 ,... 结合 p型有限元方程组的系数矩阵具有对称性、正定性、稀疏性和阶谱性等特点 ,用修正的对称逐步超松弛预处理共轭梯度法来求解大规模 p型自适应有限元方程组 ,可以减少每步迭代的主要计算量 ;利用上一个自适应步的结果初始化迭代序列 ,可以减少迭代次数 ,使得总迭代次数和计算时间较原方法大为减少 .理论和算例均表明 ,这是求解大规模 展开更多

关键词 工程结构 有限元方法 p型 数值分析 改进方法

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非稳定温度场的三维p型有限元方法研究 被引量：3

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作者 张杨 强晟 《岩土力学》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期487-491,共5页

非稳定温度场的边界往往是温度梯度较大的区域,需要划分较密的网格。但在三维温度应力的计算中太密的网格往往使得计算成本很高。将p型阶谱有限元方法引入温度场的计算,则可以开拓一条解决这类问题的有效途径。研究了p型有限元中的温度... 非稳定温度场的边界往往是温度梯度较大的区域,需要划分较密的网格。但在三维温度应力的计算中太密的网格往往使得计算成本很高。将p型阶谱有限元方法引入温度场的计算,则可以开拓一条解决这类问题的有效途径。研究了p型有限元中的温度边界条件和初值,编制了有关程序,对同一个算例,采用不同网格密度的常规有限元法和p型有限元法进行了温度场计算分析和对比。研究结果表明,用p型有限元进行非稳定温度场计算,在网格稀疏的条件下能够达到较高的精度。 展开更多

关键词 水工结构 p型有限元 阶谱 非稳定温度场

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Sb-Na共掺p型ZnO的第一性原理研究 被引量：1

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作者 谭兴毅 李强 +1 位作者 朱永丹 左安友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2902-2907,共6页

运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度。能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;... 运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度。能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;NaZn、SbZn-2NaZn体系为p型半导体材料;SbZn-NaZn、SbZn-3NaZn体系为本征半导体材料.对p型半导体材料体系的导电性能研究发现,SbZn-2NaZn体系电导率大于NaZn体系的电导率,即SbZn-2NaZn掺杂改善了体系的导电性.计算结果为实验制备p型ZnO材料提供了理论指导。 展开更多

关键词 p型ZNO 电子结构 导电性能

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