液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用 被引量：6

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作者 董桂芳 张克潜 +1 位作者 汪健如 应根裕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期110-114,共5页

随着微米／纳米科学技术的发展，微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目．本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能，着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用：（1）半导体大规模集成电路... 随着微米／纳米科学技术的发展，微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目．本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能，着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用：（1）半导体大规模集成电路器件的集成、失误诊断和修复．（2）光电子集成技术中量子阱激光器和光纤相位掩模的制备及量子效应研究．（3）超导器件和真空微电子器件的研制．（4）二次离子质谱分析和透射电子显微镜样品的制备． 展开更多

关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 IC 微米/纳米技术

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液态金属离子源在航天器电位主动控制的应用 被引量：1

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作者 蒋锴 王先荣 +1 位作者 杜杉杉 王胜杰 《真空与低温》 2014年第5期249-254,259,共7页

航天器在轨运行期间太阳光照条件下,受光电子发射影响,航天器光照表面的电位达到正的数十伏。航天器表面带电现象会对其在轨安全稳定运行和空间等离子体探测数据的准确性造成严重影响。带正电航天器周围电场中离子和电子的速率和空间分... 航天器在轨运行期间太阳光照条件下,受光电子发射影响,航天器光照表面的电位达到正的数十伏。航天器表面带电现象会对其在轨安全稳定运行和空间等离子体探测数据的准确性造成严重影响。带正电航天器周围电场中离子和电子的速率和空间分布被扭曲,等离子体电子在鞘层加速,光照产生的光电子被吸引进入传感器,在低能量下引起高计数率,而且加速仪器微通道板的老化,使低密度等离子体的测量变得异常困难。因此,必须对航天器的电位进行主动控制。液态金属离子源电位主动控制器已在许多航天器上得到广泛的应用,通过主要介绍国外关于液态金属离子源电位主动控制器在航天器上的应用,为自主研制电位主动控制器满足空间科学探测的需求提供参考,也为军事和应用卫星在轨可靠运行提供防护方法。 展开更多

关键词 航天器 表面带电 电位主动控制 液态金属离子源

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液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术

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作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期142-144,共3页

发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实... 发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实现了发射尖腐蚀工艺的重复性和可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制开发提供了一个有效的辅助工具。 展开更多

关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 发射尖

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MEVVA型金属离子源

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作者 孙别和 胡尚斌 陈勤 《辐射防护通讯》 1994年第4期35-38,共4页

本文报道金属蒸发真空孤放电（ＭＥＶＶＡ）型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ。阴极触发脉冲１２ｋＶ，脉冲宽度９０μｓ，脉冲重复率１－５次／ｓ。引出束流脉冲宽度３００μｓ。当引出电压为２８ｋ... 本文报道金属蒸发真空孤放电（ＭＥＶＶＡ）型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ。阴极触发脉冲１２ｋＶ，脉冲宽度９０μｓ，脉冲重复率１－５次／ｓ。引出束流脉冲宽度３００μｓ。当引出电压为２８ｋＶ时，可引出Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ离子流强度分别为２３０ｍＡ、２５０ｍＡ。 展开更多

关键词 金属离子源 束流脉冲 放电 离子源

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用E×B质量分析器分析Au－Si液态金属离子源（LMIS）的束流成分

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作者 康文运 董桂芳 +1 位作者 应根裕 汪健如 《电子器件》 CAS 1996年第4期222-229,共8页

本文介绍了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的结构以及源的发射特性，利用Ｅ×Ｂ质量分析器，获得了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的质谱图。

关键词 液态金属离子源 质谱 聚焦离子束 半导体器件

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离子注入机金属铝离子源的气源的优选 被引量：1

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作者 孙勇 王迪平 +1 位作者 陈洪 彭立波 《电子工艺技术》 2021年第3期147-149,169,共4页

注铝离子注入机,是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,金属铝离子源直接影响了整机的性能指标,特别是PM周期和离子源寿命。为保证离子源的长寿命和铝离子大束流,针对金属铝离子源放电的辅助气源进行了一系列的研究和实验,包括铝离子产额、... 注铝离子注入机,是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,金属铝离子源直接影响了整机的性能指标,特别是PM周期和离子源寿命。为保证离子源的长寿命和铝离子大束流,针对金属铝离子源放电的辅助气源进行了一系列的研究和实验,包括铝离子产额、束流质谱、阴极使用寿命及污染导致的放电打火情况等,通过实验结果筛选出最佳的气源。 展开更多

关键词 注铝离子注入机 金属铝离子源 束流质谱

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国产碳化硅离子注入机的设计开发

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作者 袁卫华 李进 +1 位作者 罗才旺 许波涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期38-42,共5页

为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品... 为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。 展开更多

关键词 碳化硅 高能离子注入机 金属离子源 高温注入

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聚焦离子束加工技术及其应用 被引量：9

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作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期575-577,582,共4页

对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。

关键词 聚焦离子柬 液态金属离子源 应用

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聚焦离子束(FIB)中的离子光学问题 被引量：1

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作者 陈文雄 徐军 张解东 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期411-415,共5页

本文简要讨论了聚焦离子束中的离子光学问题 ,包括液态金属离子源的发射机制和发射特性 ,如虚源、角电流强度、能量分散、伏安特性、束流起伏、聚焦限制、离子束中的化学成分及源的寿命。讨论了离子光学柱体的组成与特征 ,束流一束径关... 本文简要讨论了聚焦离子束中的离子光学问题 ,包括液态金属离子源的发射机制和发射特性 ,如虚源、角电流强度、能量分散、伏安特性、束流起伏、聚焦限制、离子束中的化学成分及源的寿命。讨论了离子光学柱体的组成与特征 ,束流一束径关系 ,束中电流密度分布 ,以及空间电荷效应等。 展开更多

关键词 离子光学 聚焦离子束 FIB 液态金属离子源 LMIS 静电透镜 空间电荷效应 发射机制

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聚焦离子束曝光技术 被引量：2

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作者 马向国 顾文琪 《电子工业专用设备》 2005年第12期56-58,共3页

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之... 聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。 展开更多

关键词 聚焦离子束 液态金属离子源 曝光

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 被引量：2

11

作者 曾宇昕 王水凤 +3 位作者 元美玲 程国安 肖志松 徐飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期377-380,共4页

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 展开更多

关键词 硅基薄膜 离子注入 ND^3+ 结构 光致发光 钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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