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纳米级超大规模集成电路芯片低功耗物理设计分析 被引量：4
1
作者 张博文 《通信电源技术》 2020年第6期133-134,共2页
简要介绍了功耗的组成,在此基础上从工艺、电路、门、系统四个层面探讨了纳米级超大规模集成电路的低功耗物理设计方法。提出一种基于Golden UPF的低功耗物理设计过程,为纳米级超大规模集成电路芯片设计人员进行低功耗设计提供参考。
关键词 纳米级 超大规模集成电路 电路芯片 电路设计
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超大规模集成电路设计基础 第七讲 NMOS超大规模集成电路芯片设计技术
2
作者 刘以暠 冯世琴 《电子技术应用》 北大核心 1991年第7期35-38,共4页
7.1 参数分析在第一讲已经谈到,超大规模集成电路可以是系统集成,即一个具有独立功能的完整的电路系统被设计、制造在一块芯片上,故又称作集成系统。平均门延迟功耗积Kg=(?)gPg 是表征集成系统性能的综合性指标。
关键词 VLSI 集成电路 芯片 设计 NMOS
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超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析 被引量：55
3
作者 苏建修 康仁科 郭东明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期27-32,共6页
目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有... 目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。 展开更多
关键词 化学机械抛光 材料去除机理 CMP系统过程变量 超大规模集成电路
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面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法 被引量：5
4
作者 刘耿耿 李泽鹏 +2 位作者 郭文忠 陈国龙 徐宁 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期2575-2583,共9页
随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通... 随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果. 展开更多
关键词 并行算法 层分配 通孔 区域划分 负载均衡 超大规模集成电路
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降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型 被引量：6
5
作者 闻瑞梅 梁骏吾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1601-1604,共4页
本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一... 本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 . 展开更多
关键词 超大规模集成电路 总有机碳 185纳米紫外 光化学
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控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究 被引量：3
6
作者 闻瑞梅 陈胜利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1009-1012,共4页
本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水... 本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了 展开更多
关键词 超大规模集成电路 溶解氧 总有机碳
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超大规模集成电路的无损内窥显微分层体视检测 被引量：1
7
作者 胡问国 李萍 +5 位作者 徐晓华 李亚文 肖玲 周开邻 朱世秋 Э.И.РАУ 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期682-682,共1页
当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这... 当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这就需要研制和生产集成度更高的集成电... 展开更多
关键词 超大规模 集成电路 无损检测 显微分层体视
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超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究 被引量：1
8
作者 杜磊 薛丽君 +1 位作者 庄奕琪 徐卓 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1062-1065,共4页
通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可... 通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合 ,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律 .实验结果表明 ,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数 3个指示参数相结合 ,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大 3个微观结构变化的阶段 .上述 3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程 ,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路 (VLSI) 展开更多
关键词 超大规模集成电路 金属互连线 指示参量 噪声点功率谱幅值 电迁移 低频涨落 频率指数
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超大规模集成电路的可制造性设计 被引量：1
9
作者 郭琦 李惠军 《微纳电子技术》 CAS 2005年第9期435-439,共5页
以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。
关键词 超大规模集成电路 深亚微米 可制造性设计
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超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究 被引量：6
10
作者 狄卫国 杨明 刘玉岭 《石家庄铁道学院学报》 2003年第4期38-41,共4页
在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠离子的有机碱和高效的无钠螯合剂减少了金属离子的玷污,对活性剂影响吸附的作用机理进行了分析,得到了一... 在分析硅衬底的抛光机理的基础上,主要讨论了抛光液对硅衬底抛光质量的影响,同时对抛光液中各成分的选择作了分析研究,采用不含钠离子的有机碱和高效的无钠螯合剂减少了金属离子的玷污,对活性剂影响吸附的作用机理进行了分析,得到了一种小粒径、高速率和低损伤的无钠抛光液。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 制备 硅片 化学机械抛光 抛光液
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超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展 被引量：3
11
作者 孔学东 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第2期2-5,共4页
论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”
关键词 超大规模集成电路 系统芯片 可靠性
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国外超大规模集成电路的生产状况 被引量：1
12
作者 章晓文 林晓玲 阮春郎 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第1期23-28,共6页
介绍了国外超大规模集成电路的发展趋势,列举了21世纪需要研究的7类集成电路新技术。阐述 了超大规模集成电路在武器装备中的作用,美、欧、日、韩今后的发展对策及其集成电路生产厂的主流产品 与生产状况。
关键词 超大规模集成电路 武器装备 发展对策 主流产品
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国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势
13
作者 章晓文 林晓玲 阮春郎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期13-17,共5页
论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用。介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策。分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产... 论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用。介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策。分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产品适合军事装备的需要,民技军用是国外军用集成电路今后的发展趋势。 展开更多
关键词 军用超大规模集成电路 武器装备 民技军用 发展趋势
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超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术
14
作者 温梁 汪家友 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2004年第3期39-43,共5页
近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。
关键词 超大规模集成电路 低介电常数 薄膜 旋涂淀积 化学汽相淀积
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超大规模集成电路的栅氧化技术
15
作者 卢豫曾 蒋保运 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期72-76,共5页
本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的... 本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10^(10)cm^(-2),固定电荷密度约为10^(11)cm^(-2)的优质超薄氧化层。 展开更多
关键词 超大规模 集成电路 栅氧化技术
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超大规模集成电路设计基础 第九讲 NMOS芯片设计实例——零中频QPSK解调器
16
作者 刘以暠 冯世琴 《电子技术应用》 北大核心 1991年第9期36-40,共5页
自世界上第一块集成电路问世以来,微电子学技术便以迅猛异常的速度向前发展。小规模中规模到大规模集成电路的发展不到10年,而大规模到超大规模集成电路的发展也不到10年,现在已发展到巨型规模集成电路。目前集成电路技术的发展已日臻完... 自世界上第一块集成电路问世以来,微电子学技术便以迅猛异常的速度向前发展。小规模中规模到大规模集成电路的发展不到10年,而大规模到超大规模集成电路的发展也不到10年,现在已发展到巨型规模集成电路。目前集成电路技术的发展已日臻完善,集成电路芯片的应用也渗透到国民经济各个部门和科学技术各个领域之中,因而对当代经济发展和科技进步产生了不可估计的作用,特别是对计算机科学的发展起到了更加重要的作用。集成电路技术发展的一个显著特点是集成度不断提高,因而给电子系统带来了功能多、可靠性高、速度快、功耗低、寿命长和成本低等诸多优点。这样就极大地推进了整个电子技术的革新和普及,并使它渗透到国民经济各个部门和科学技术各个领域以及家用电器和日常生活的各个方面。随着集成电路技术的飞跃发展,集成电路系统的芯片设计技术已成为现代电子线路系统工程师和广大科技人员必备的基本功。为了推广集成电路技术和满足广大读者的需要,简明扼要地介绍超大规模集成电路的概貌、芯片中的基本电路形式和设计方法、适当给出超大规模集成电路的基本单元和系统设计的全过程已摆在本刊面前,为此我们组织并开辟这个专题讲座。本讲座共分十讲。第一讲微电子技术概况;第二讲NMOS 集成电路基础;第三讲NMOS 超大规模集成电路的结构特性;第四讲NMOS 超大规模集成电路的基本单元电路;第五讲CMOS 集成电路基本单元电路;第六讲CMOS 集成电路的主要设计问题;第七讲VLSI 芯片设计技术;第八讲VLSI 计算机辅助设计;第九讲NMOS 芯片设计实例“零中频QPSK”解调器”;第十讲超高速砷化镓集成电路综述。本讲座第一～第四讲和第七～第十讲由中科院遥感卫星地面站刘以暠付研究员撰写,第五、六讲由清华大学微电子所总工程师张建人教授撰写。由于时间仓促,有部分稿件内容早已成形,所以讲座内容可能不够全面或有些缺陷,这只能在今后有机会时以单篇形式给予介绍,以弥补其不足。欢迎广大读者对本讲座提供宝贵意见。 展开更多
关键词 集成电路 设计 解调器 NMOS 芯片
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超大规模集成电路硅片的内吸杂 被引量：2
17
作者 汤艳 杨德仁 +3 位作者 马向阳 李东升 樊瑞新 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期73-75,81,共4页
介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。
关键词 超大规模集成电路 硅片 内吸杂工艺 金属 氧 杂质 热处理
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低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用 被引量：11
18
作者 赵智彪 许志 利定东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期4-6,45,共4页
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景。
关键词 低介电常数材料 超大规模集成电路 制备方法 材料类型
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超大规模集成电路设计软件的工程化维护 被引量：1
19
作者 赵凯 李惠军 刘伟东 《电子质量》 2004年第8期63-65,81,共4页
本文以美国Synopsys SOC一体化设计软件的应用环境为实例,基于当前通用的Solaris-UNIX局域网环境,系统地阐述IC设计工程软件在网络环境中的典型系统配置、安全保障及系统维护技术。文章给出了超大规模集成电路自动化设计工程软件的常规... 本文以美国Synopsys SOC一体化设计软件的应用环境为实例,基于当前通用的Solaris-UNIX局域网环境,系统地阐述IC设计工程软件在网络环境中的典型系统配置、安全保障及系统维护技术。文章给出了超大规模集成电路自动化设计工程软件的常规配置方案,对从事IC自动化设计网络环境管理的技术工作者具有较强的可操作性和可借鉴作用。 展开更多
关键词 工程软件 UNIX 局域网 通用 配置方案 系统维护 设计软件 超大规模集成电路 IC设计 自动化设计
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中国集成电路设计创新联盟 中国汽车芯片产业创新战略联盟 关于举办“第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛”的通知
20
作者 无 《中国集成电路》 2025年第3期91-95,共5页
各会员及有关单位:随着智能电动汽车的强劲发展,汽车产业正步入一个大创新、大变革时代。目前,以基础芯片、传感器、计算平台、底盡控制、网联云控、人机交互等在内的产业生态日趋完善,AI、5G、大数据推动智能网联汽车加速发展,汽车电... 各会员及有关单位:随着智能电动汽车的强劲发展,汽车产业正步入一个大创新、大变革时代。目前,以基础芯片、传感器、计算平台、底盡控制、网联云控、人机交互等在内的产业生态日趋完善,AI、5G、大数据推动智能网联汽车加速发展,汽车电子产业面临重大发展机遇。 展开更多
关键词 创新联盟 产业生态 汽车电子产业 智能网联汽车 汽车产业 芯片产业 集成电路设计 大数据
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