直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO_2薄膜及其可见光活性 被引量：24

1

作者 朱蕾 崔晓莉 +2 位作者 沈杰 杨锡良 章壮健 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1662-1666,共5页

室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入... 室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入有利于TiO_2薄膜的晶格生长,并随靶中碳面积的增加,薄膜的结晶度也相应提高.由透射光谱计算得到的禁带宽度表明,靶中碳和钛的面积比为0.05时,薄膜的禁带宽度由纯TiO_2薄膜的3.4 eV减小到3.1 eV.光电测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳的引入可以提高薄膜的光电响应,面积比为0.10时,可见光下0 V时薄膜的光电流密度为0.069μA·cm^(-2);但碳和钛的面积比增加到0.16时,测得的薄膜光电响应异常. 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 碳/钛镶嵌靶 碳掺杂的二氧化钛薄膜 光电化学

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直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究 被引量：32

2

作者 董昊 张永熙 +5 位作者 杨锡良 沈杰陈 华仙 蒋益明 顾元壮 章壮健 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第4期252-255,260,共5页

在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1... 在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1 1 0 0nm。XRD结果显示薄膜具有纯锐钛矿结构或锐钛矿和金红石的混合结构。在高的基板温度和适宜的溅射总气压下制备的薄膜以及厚度较厚的薄膜在紫外光照射后 。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 光催化性 二氧化钛薄膜 制备

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直流反应磁控溅射制备氧化铝薄膜 被引量：13

3

作者 唐秀凤 罗发 +1 位作者 周万城 朱冬梅 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第14期120-123,共4页

采用直流反应磁控溅射,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在镍基合金和单晶硅基片上制备了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率和表面形貌进行了研究。结果表明,氧化铝薄膜的沉积速率随溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后增速趋缓;随... 采用直流反应磁控溅射,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在镍基合金和单晶硅基片上制备了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率和表面形貌进行了研究。结果表明,氧化铝薄膜的沉积速率随溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后增速趋缓;随溅射气压的增加,沉积速率先增大,在1.0Pa时达到峰值,而后随气压继续增大而减小;随Ar/O2流量比的不断增加,沉积速率也随之不断增大,但是随着负偏压的增大,沉积速率先急剧减小而后趋于平缓。用扫描电子显微镜对退火处理前后的氧化铝薄膜表面形貌进行观察,发现在500℃退火1h能够使氧化铝薄膜致密化和平整化。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 氧化铝薄膜 沉积速率 退火 表面形貌

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直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究 被引量：10

4

作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 陈汉鸿 汪雷 赵炳辉 张银珠 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期5-8,共4页

本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0... 本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 P型ZNO薄膜 掺杂 氧化锌 半导体薄膜 薄膜生长

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总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响 被引量：5

5

作者 王贺权 巴德纯 +2 位作者 沈辉 汪保卫 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期65-68,共4页

用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定电源功率、氩气流量 4 2 .6sccm、氧流量 15sccm、溅射时间 30min的条件下 ,通过控制总气压改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer12 0 0测量 ,当总气压增加时薄膜... 用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定电源功率、氩气流量 4 2 .6sccm、氧流量 15sccm、溅射时间 30min的条件下 ,通过控制总气压改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer12 0 0测量 ,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低 ,同时反射低谷向短波方向移动 ,总气压对消光系数k影响不大 ;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势 ,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现 ,随着总气压的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变 ,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 展开更多

关键词 TIO2薄膜 光学性质 直流反应磁控溅射 折射率 气压 晶体结构 硅基底 短波 对消 反射率

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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO_2薄膜的光电特性 被引量：8

6

作者 颜秉熙 罗胜耘 沈杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期381-386,共6页

通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬... 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo6+和Mo5+两种价态存在;随着Mo掺杂量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移;薄膜的禁带宽度先减小后增大,在Mo掺杂量为2.7%(n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小;Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大,且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势.此后随着掺杂量的提高,薄膜的光生电流开始下降,当Mo掺杂量达到3.6%时,薄膜的光电流小于未掺杂的样品;说明适当浓度的Mo掺杂能够提高Mo-TiO2薄膜光电性能,光生电流最大可达未掺杂的2.4倍. 展开更多

关键词 光生电流 循环伏安 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 钼掺杂

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直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究 被引量：7

7

作者 尹英哲 胡明 +1 位作者 冯有才 陈鹏 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期760-762,共3页

用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未... 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×10-5NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件. 展开更多

关键词 WO3薄膜 氨敏传感器 直流反应磁控溅射

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室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜 被引量：5

8

作者 缪维娜 李喜峰 +4 位作者 张群 黄丽 章壮健 张莉 严学俭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期301-305,共5页

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决... 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm. 展开更多

关键词 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温

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温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响 被引量：4

9

作者 王贺权 沈辉 +2 位作者 巴德纯 汪保卫 闻立时 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期341-344,共4页

应用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定的电源功率下 ,氩气流量为 4 2 .6sccm ,氧流量为 15sccm ,溅射时间为 30分钟的条件下 ,通过控制温度改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer 12 0 0测量 ,当温度... 应用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定的电源功率下 ,氩气流量为 4 2 .6sccm ,氧流量为 15sccm ,溅射时间为 30分钟的条件下 ,通过控制温度改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer 12 0 0测量 ,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动 ;温度对消光系数k影响不大 ;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大 ,当温度达到 2 4 0℃左右时薄膜的折射率明显降低。通过XRD和SEM表征发现 ,随着温度的增加TiO2 的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相 ,薄膜表面的颗粒由多变少 ,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑。 展开更多

关键词 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 温度 反射率

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锑在直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜中的作用 被引量：3

10

作者 蔡臻炜 沃松涛 +4 位作者 沈杰 崔晓莉 俞宏坤 杨锡良 章壮键 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-52,共3页

用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sb修饰TiO2 薄膜 ,利用XRD ,Raman光谱以及SIMS研究了Sb对其表面结晶情况的影响并用XPS及SIMS分析了薄膜的成分。结果表明一定程度Sb的修饰对TiO2 薄膜成晶有优化作用 ,起到了类似表面活性剂... 用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sb修饰TiO2 薄膜 ,利用XRD ,Raman光谱以及SIMS研究了Sb对其表面结晶情况的影响并用XPS及SIMS分析了薄膜的成分。结果表明一定程度Sb的修饰对TiO2 薄膜成晶有优化作用 ,起到了类似表面活性剂的作用 ,并使薄膜表面的光致亲水性能得到改善。当Sb修饰过量时 ,破坏了TiO2 原有的晶格结构 ,劣化了薄膜表面的光致亲水性。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 TIO2薄膜 类似 二氧化钛薄膜 RAMAN光谱 表面 SIMS XRD XPS 劣化

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直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响 被引量：4

11

作者 王贺权 巴德纯 +1 位作者 沈辉 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期55-58,共4页

应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、... 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率

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直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应(英文) 被引量：2

12

作者 张利伟 张兵临 +3 位作者 姚宁 樊志琴 杨仕娥 鲁占灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期667-669,617,共4页

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ... 采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜 ,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构 ,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应。在 10 0s的时间内光电流能达到最大值的96 % ,当停止紫外光照射时 ,光电流在 2 0 0s的时间内能恢复到暗电流 ,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 制备 二氧化钛薄膜 光响应 导电玻璃 光电流 紫外光探测器材料

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直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究 被引量：2

13

作者 杨丰帆 方亮 +4 位作者 孙建生 徐勤涛 吴苏友 张淑芳 董建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期460-466,共7页

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片... 利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射法 CdIn2O4薄膜 光电性能 最佳条件

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直流反应磁控溅射法制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文)

14

作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期977-981,共5页

以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉... 以Zn∶Zr为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了ZnO∶Zr透明导电薄薄膜。研究了沉积压强对ZnO∶Zr薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响。实验结果表明所制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。沉积压强对ZnO∶Zr薄膜的晶化程度、形貌、生长速率和电阻率影响很大,而对其光学性能如透光率、光学带隙及折射率影响不大。当沉积压强为2 Pa时,ZnO∶Zr薄膜的电阻率达到最小值2.0×10-3Ω·cm,其可见光平均透过率和平均折射率分别为83.2%和1.97。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 ZnO∶Zr薄膜 透明导电薄膜 沉积压强

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衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)

15

作者 王超 季振国 +2 位作者 韩玮智 席俊华 张品 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1132-1135,共4页

利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有... 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 P型 直流反应磁控溅射

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氧流量对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响 被引量：9

16

作者 王贺权 沈辉 +2 位作者 巴德纯 汪保卫 闻立时 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期36-40,共5页

应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜... 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向中心波长(550 nm)处移动,薄膜的消光系数k有增大的趋势,但对薄膜的折射率影响不大。通过XRD和SEM表征发现,随着氧流量的增加金红石相的TiO2增多,并且表面趋于致密平滑。 展开更多

关键词 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 氧流量 反射率

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直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究 被引量：5

17

作者 张艳茹 杭凌侠 +1 位作者 郭峰 宁晓阳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期92-94,121,共4页

为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,... 为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。 展开更多

关键词 直流反应磁控溅射 含氢类金刚石薄膜 沉积速率 表面粗糙度

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直流反应磁控溅射制备单一相Cu_2O薄膜及光电性能研究 被引量：1

18

作者 王进霞 洪瑞金 +2 位作者 张涛 陶春先 张大伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期4096-4099,4104,共5页

室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜(Cu_2O)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性。... 室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜(Cu_2O)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性。实验结果表明,沉积时间为3和6min时,获得单一相的透明导电Cu_2O薄膜;随着沉积时间的增加,薄膜由非晶态转变为(111)方向择优生长,薄膜致密且颗粒呈球状,其粗糙度的均方根(RMS)值增大,薄膜电阻率呈下降趋势;以罗丹明B(RhB)为探针分子,表征样品表面增强拉曼活性,通过对比不同样品表面RhB的拉曼光谱,其散射强度随薄膜表面粗糙度的增大而增强。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 氧化亚铜 直流反应磁控溅射 沉积时间 电阻率 拉曼光谱

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在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜(英文) 被引量：1

19

作者 简二梅 叶志镇 +4 位作者 刘暐昌 何海平 顾修全 朱丽萍 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期491-494,共4页

采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm... 采用直流反应磁控溅射方法,通过改变衬底温度并优化生长参数,在玻璃衬底上生长了In-N共掺p型ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所得薄膜结晶性能良好,且具有很好的c轴择优取向。Hall测试的结果所得p型ZnO薄膜最低电阻率为35.6Ω·cm,霍尔迁移率为0.111cm2·V-1·s-1,空穴浓度为1.57×1018cm-3。X光电子能谱(XPS)测试表明,铟元素已有效地掺入了ZnO薄膜中,且铟元素有效地促进了氮元素的掺入。紫外可见(UV)透射谱测试表明,在可见光范围内所有薄膜透光率均可达90%。 展开更多

关键词 P型导电 In-N共掺 直流反应磁控溅射法 ZNO薄膜

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膜厚对直流反应磁控溅射沉积NiO薄膜的结构与电致变色性能的影响 被引量：3

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作者 张泽华 赵青南 +4 位作者 刘翔 李渊 曾臻 董玉红 赵杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期2759-2765,共7页

采用直流反应磁控溅射法在FTO玻璃基片上沉积了不同厚度的氧化镍(NiO)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、台阶仪、紫外可见分光光度计、电化学工作站,研究了NiO薄膜厚度对其微观结构、形貌... 采用直流反应磁控溅射法在FTO玻璃基片上沉积了不同厚度的氧化镍(NiO)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、台阶仪、紫外可见分光光度计、电化学工作站,研究了NiO薄膜厚度对其微观结构、形貌,以及电致变色性能的影响。结果表明,随着溅射时间增加,NiO薄膜厚度增加,试样的初始态可见光谱透过率逐渐降低,(200)晶面的XRD衍射峰强度逐渐增加;以1 M KOH溶液作为电解质,随着NiO薄膜厚度增加,薄膜电荷储存量逐渐增大。NiO薄膜厚度为920 nm的试样着色效率最高,达到了23.46 cm2/C;80 nm厚度的薄膜试样光学调制幅度最大,波长550 nm处为40.85%。薄膜越厚,着、褪色时间越长;所有试样着色时间均大于褪色时间,80 nm厚度的薄膜试样的着色、褪色时间最快,分别为4.47 s和2.28 s。 展开更多

关键词 膜厚 NiO薄膜 电致变色 直流反应磁控溅射

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