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直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜反射率性质的影响 被引量:4

Growth Conditions and Reflectance of D C Magnetron Sputtered TiO_2 Films
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摘要 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。 The reflectance of the TiO2 films, grown by D C reactive magnetron sputtering on silicon substrates, was studied. The results show that TiO2 films can be good anti-reflectance materials in solar cells and that judicious choice of the film growth conditions may improve its anti-reflectance. The optimized growth conditions are as follows:total gas pressure 2 ×10^-1 Pa,oxygen flow rate, 15 sccm,substrate temperature,60℃ and substrate-target separation, 190 mm.
出处 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期55-58,共4页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金 国家自然科学基金项目(No.50376067) 辽宁省教育厅科技攻关项目(No.052314)
关键词 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率 DC reactive magnetron sputtering, TiO2 thin film, Solar cell, Reflectanc
作者简介 联系人:Tel:(020)84114725
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同被引文献38

引证文献4

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