一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器

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作者 李飞宇 陈君涛 +1 位作者 周爵 朱安康 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期282-288,共7页

设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了... 设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片,其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时,LDO的启动时间约为150μs,在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/√Hz,10 Hz~100 kHz内均方根(RMS)积分噪声约为17.0μV。 展开更多

关键词 低噪声 低压差线性稳压器(ldo) 超低通滤波器 负载电流 启动时间

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低压差(LDO)线性稳压器结构的改进 被引量：1

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作者 周松明 高明伦 +3 位作者 杨盛光 蒋召宇 李丽 何书专 《电子测量技术》 2006年第3期146-147,共2页

为了提高LDO的负载瞬态响应,本文提出了一种新型的LDO电路结构,该结构提高了系统的带宽和转换速率,从而使LDO的负载瞬态响应和负载调整能力也得以提升。

关键词 低压差线性稳压器 负载瞬态响应 负载调整能力

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一种带阻抗补偿的低功耗低压差线性稳压器 被引量：4

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作者 程红丽 王冠军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页

为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全... 为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全负载范围内有足够相位裕度的低功耗LDO的设计,并采用HHNEC 0.18μm CMOS工艺实现版图设计,芯片的尺寸为150μm×120μm,输出电压为1.8 V,空载静态电流为5μA,额定电流为20 mA。与普通的LDO相比,本款LDO具有更高的相位裕度和更好的瞬态特性,在全负载范围内相位裕度的最小值大于65°,负载调整率小于2%。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 低功耗 缓冲器 阻抗补偿 相位裕度

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超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器 被引量：10

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作者 陈琛 孙可旭 +2 位作者 冯建宇 奚剑雄 何乐年 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1669-1675,共7页

为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低... 为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6~4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求. 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 超低功耗 无片外电容 嵌套密勒补偿(NMC) 阻抗衰减缓冲器

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基于BP神经网络的低压差线性稳压器电磁干扰损伤模型 被引量：11

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作者 周长林 王振义 +2 位作者 刘统 钊守国 梁臻鹤 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期973-979,共7页

低压差线性稳压器(LDO)在电磁干扰影响下会发生不同程度的性能受损,进而影响到整个系统的电磁兼容性能。为解决这一问题,提出了一种基于误差反向传播(BP)神经网络的建模方法,并使用遗传算法优化网络初始权值与阈值矩阵。采用直接功率注... 低压差线性稳压器(LDO)在电磁干扰影响下会发生不同程度的性能受损,进而影响到整个系统的电磁兼容性能。为解决这一问题,提出了一种基于误差反向传播(BP)神经网络的建模方法,并使用遗传算法优化网络初始权值与阈值矩阵。采用直接功率注入法设计电路板,在100 MHz^1 GHz频率范围、-15~25 d Bm W功率范围内对LDO进行电磁干扰注入实验;采样LDO的输出作为训练数据,对不同结构的BP神经网络预测性能进行对比,选取合适的网络结构,进而构建LDO的电磁干扰损伤模型。从多个角度使用模型预测了电磁干扰对LDO输出数据和传导电磁敏感性的影响,并进行实验验证;最终采用该模型预测了LDO的传导电磁敏感度,并对比分析了模型预测数据和实验测试数据。结果表明,在100 MHz^2 GHz频率范围内,模型仿真输出与LDO测试输出的最大相对误差<8%,模型仿真所得电磁敏感度与实验测试数据的最大相对误差<9%。 展开更多

关键词 电磁兼容 BP神经网络 遗传算法 电磁敏感度 低压差线性稳压器 直接功率注入法 电磁干扰

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高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计 被引量：4

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作者 刘生有 马骁 +2 位作者 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期538-541,共4页

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放... 设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。 展开更多

关键词 无片外电容 低压差稳压器 密勒补偿 高稳定性 片上系统(SoC)

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一种应用于低压差线性稳压器的新型折返限流电路 被引量：2

7

作者 刘晨 来新泉 +2 位作者 刘从 王宏 张帆 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1035-1040,共6页

针对大功率负载的电源管理芯片容易出现过载、短路问题,提出一种利用采样电流转化为采样电压的限流模式折返保护电路。该电路限流环路利用缓冲器双支路实现实时控制,其工作状态随输入电压有所转变,hspices仿真实验验证了该电路限流值稳... 针对大功率负载的电源管理芯片容易出现过载、短路问题,提出一种利用采样电流转化为采样电压的限流模式折返保护电路。该电路限流环路利用缓冲器双支路实现实时控制,其工作状态随输入电压有所转变,hspices仿真实验验证了该电路限流值稳定,基本不随着电源电压的变化而变化,而且芯片的短路功耗降低60%。采用联华电子公司0.5μm 5 V的CMOS工艺线在低压差线性稳压器(LDO)中进行了投片验证,实测芯片常值限流200 mA、折返限流80 mA,自身静态电流极低仅2μA左右。投片测试结果表明,该电路起到保护作用的同时,符合现代电源管理芯片对高效率低功耗的要求。 展开更多

关键词 暂态分析 实时控制 电流限制 折返电路 低压差线性稳压器

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0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 被引量：3

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作者 严鸣 成立 +2 位作者 奚家健 丁玲 杨泽斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期110-113,121,共5页

设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设... 设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。 展开更多

关键词 BiCMOS器件 低压差线性稳压器 带隙基准源 共源-共栅 高精度

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高精度低噪声的低压差线性稳压器设计 被引量：5

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作者 王宇星 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期345-351,共7页

为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流... 为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片。仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10^-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32μA。测试结果表明,芯片可以在3.3~40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5 V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备。 展开更多

关键词 低压差(ldo)线性稳压器 电源抑制比(PSRR) 带隙基准 误差放大器 静态电流

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低压差线性稳压器电磁抗扰度测试与建模 被引量：1

10

作者 王振义 周长林 +1 位作者 余道杰 梁臻鹤 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期49-53,共5页

采用直接功率注入法,在1 MHz^2GHz频率范围的传导电磁干扰下,测试获得了低压差线性稳压器的传导电磁抗扰度。针对抗扰度仿真预测,提出了一种以Taylor级数表示的非线性系统和以线性滤波器表示的线性系统的级联模型,同时对于测试系统中分... 采用直接功率注入法,在1 MHz^2GHz频率范围的传导电磁干扰下,测试获得了低压差线性稳压器的传导电磁抗扰度。针对抗扰度仿真预测,提出了一种以Taylor级数表示的非线性系统和以线性滤波器表示的线性系统的级联模型,同时对于测试系统中分立器件采用传统集总参数方法建模,最终实现低压差线性稳压器的传导电磁干扰仿真。仿真结果表明,模型在1 MHz^2GHz范围内预测的抗扰度和测试数据具有很好的一致性。 展开更多

关键词 电磁干扰 电磁抗扰度 非线性模型 低压差线性稳压器

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CMOS低压差集成稳压器的设计 被引量：1

11

作者 李和太 李书艳 +1 位作者 马建军 李庆奎 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2006年第5期549-552,共4页

CMOS低压差集成稳压器是为便携式电子产品的需要而设计的一种低功耗、低压差集成稳压器.采用CMOS串联式集成稳压电路,内设过流保护电路、过热保护电路.给出了设计电路并分析了工作原理.采用CSMC 0.5μm工艺模型,利用Hspice对电路进行了... CMOS低压差集成稳压器是为便携式电子产品的需要而设计的一种低功耗、低压差集成稳压器.采用CMOS串联式集成稳压电路,内设过流保护电路、过热保护电路.给出了设计电路并分析了工作原理.采用CSMC 0.5μm工艺模型,利用Hspice对电路进行了仿真,仿真结果为:输出电压3.3 V,最大输出电流300 mA,最大静态电流80μA,当输出电流为300 mA时,压差为150 mV,满足低功耗,低压差集成稳压器的要求. 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 低功耗 低压差 集成稳压器 短路保护

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带有温度补偿的高稳定性低压差线性稳压器

12

作者 陈东坡 何乐年 严晓浪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期950-954,共5页

采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于-40～130℃的高稳定性低压差（LDO）线性稳压器．通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构，使LDO电路的稳定性与负载电流无关，达到了高稳定性设计要求．芯片设计基于CSMC公司的0．5／μm互补... 采用高温漏电流补偿技术设计了一种工作于-40～130℃的高稳定性低压差（LDO）线性稳压器．通过设计一种新型的动态米勒频率补偿结构，使LDO电路的稳定性与负载电流无关，达到了高稳定性设计要求．芯片设计基于CSMC公司的0．5／μm互补金属氧化物半导体（CMOS）混合信号模型，并通过了芯片测试验证．仿真与测试结果表明，该稳压器的输出电压温度漂移系数为2×10^-5／℃，负载瞬态响应的建立时间小于50ps，输出电压跳变小于50mV．电源抑制比在1kHz时为-50dB．当输出电流为150mA时，其输入-输出压差的典型值为170mV． 展开更多

关键词 低压差稳压器 温度补偿 频率补偿 负载瞬态响应

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低功耗无片外电容的低压差线性稳压器 被引量：2

13

作者 崔传荣 巩文超 +1 位作者 王忆 何乐年 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2006-2011,共6页

设计了输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容,通过比例调节和微分调节结合的方式,利用微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容LDO在负载和电源... 设计了输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容,通过比例调节和微分调节结合的方式,利用微分器电路在瞬间提供大的转换电流,克服了无片外电容LDO在负载和电源电压变化时输出电压跳变过大的问题.芯片采用CSMC公司0.5μm工艺模型设计,并经过流片.测试结果表明,在5 V工作电压下,当负载电流从100 mA在1μs内下降到1 mA时,输出电压变化小于600 mV;电路的静态电流小于4.5μA.测试结果验证了电路设计的正确性. 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 片外电容 微分调节 米勒效应

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一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器 被引量：10

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作者 佟星元 李茂 董嗣万 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期2592-2598,共7页

为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS... 为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2。流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5~2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA^10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CLLDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%。 展开更多

关键词 低压差稳压器 无片外电容 快速瞬态响应 面积小

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低压差双电容补偿高瞬态响应线性稳压器设计

15

作者 南雅公 张丽霞 熊丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期791-794,799,共5页

为适应现代电子产品对电源性能的较高要求,基于教学中应用的Spectre平台,采用源随器补偿方法设计了一种无片外电容的LDO稳压器。小补偿电容和大驱动能力的两级运放误差放大器,加快了电路的响应速度,提高了瞬态响应性能,并降低了输出电... 为适应现代电子产品对电源性能的较高要求,基于教学中应用的Spectre平台,采用源随器补偿方法设计了一种无片外电容的LDO稳压器。小补偿电容和大驱动能力的两级运放误差放大器,加快了电路的响应速度,提高了瞬态响应性能,并降低了输出电压波纹,从而增强了系统的稳定性。测试结果表明,电路的静态电流为30μA,工作输出电压为1.2 V,最大输出电流为100 mA,Vdrop为200 mV,相位裕度大于60°,在相应条件下的线性调整率SL、负载调整率So分别为0.05%(V/V),0.23%(V/A)。源随器补偿方法既可保证电路稳定工作,又能有效降低输出波纹和加快瞬态响应速度,已达到系统预期设计指标。 展开更多

关键词 低压差 源随器补偿 高瞬态响应增强电路 线性稳压器 设计

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一种低压差线性稳压器的单粒子瞬态失效分析和加固设计

16

作者 沈凡 陈建军 +4 位作者 池雅庆 梁斌 王珣 文溢 郭昊 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第11期3965-3972,共8页

随着集成电路特征尺寸的不断缩减,CMOS集成电路的单粒子效应问题越来越严重。为了提高低压差线性稳压器(LDO)的单粒子瞬态(SET)效应加固效果,该文通过SPICE电路仿真和重离子实验研究了一种28 nm CMOS工艺LDO的SET失效机制,并研究了关键... 随着集成电路特征尺寸的不断缩减,CMOS集成电路的单粒子效应问题越来越严重。为了提高低压差线性稳压器(LDO)的单粒子瞬态(SET)效应加固效果,该文通过SPICE电路仿真和重离子实验研究了一种28 nm CMOS工艺LDO的SET失效机制,并研究了关键器件尺寸大小对SET脉冲的影响,提出一种有效的LDO加固方法。SPICE电路仿真发现这种LDO的敏感节点主要位于误差放大器(EA)内部。功率管(MOSFET)栅极节点的环路滤波电容会明显地影响单粒子瞬态脉冲的幅度,也会轻微地影响单粒子瞬态脉冲的宽度。误差放大器内部关键节点的器件尺寸会影响稳压器输出的单粒子瞬态脉冲的幅度和宽度。通过增加功率管(MOSFET)栅极节点电容和调整误差放大器内部相关节点器件尺寸的方法对LDO进行了SET加固设计。电路仿真和重离子实验结果表明这种加固方法能够有效地降低LDO输出的单粒子瞬态脉冲的幅度和宽度。 展开更多

关键词 单粒子瞬态 低压差线性稳压器 重离子实验 SPICE电路仿真 28 nm CMOS工艺

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SW703低压差集成稳压器

17

作者 费卡敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期42-45,共4页

本文对SW703可调式低压差集成稳压器的电原理进行了分析,与传统的集成稳压器相比,它具有压差低(0.4V/200mA)、静态电流小(0.5mA/10mA)等优点。

关键词 汽车 低压差 稳压器 原理 集成电路

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一种低静态电流、高稳定性的LDO线性稳压器 被引量：26

18

作者 陈东坡 何乐年 严晓浪 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第8期1526-1529,共4页

该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4μA。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达... 该文提出了一种低静态电流、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器。LDO中的电流偏置电路产生30nA的低温度漂移偏置电流,可使LDO的静态工作电流降低到4μA。另外,通过设计一种新型的动态Miller频率补偿结构使得电路的稳定性与输出电流无关,达到了高稳定性的设计要求。芯片设计基于CSMC公司的0.5μmCMOS混合信号模型,并通过了流片验证。测试结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为2mV和14mV;输出的最大电流为300mA;其输出压差在150mA输出电流,3.3V输出电压下为170mV;输出噪声在频率从22Hz到80kHz间为150μVRMS。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 静态电流 稳定性 线性和负载调整

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一种双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：2

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作者 白欢利 令文生 +1 位作者 姜洪雨 于洪波 《科学技术与工程》 2010年第8期1985-1988,共4页

介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。... 介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 双极型 超β横向PNP管 线性调整率 负载调整率

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一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计 被引量：1

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作者 高雷声 周玉梅 刘海南 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期723-726,共4页

提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得... 提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络。所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为-69 dB,在1MHz处的电源抑制比为-19 dB。采用0.35μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流。 展开更多

关键词 线性稳压器 单片集成 高电源抑制比 RC补偿 单片集成低压差

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