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电感耦合等离子体质谱法测定高纯五氧化二钽中20种痕量杂质元素 被引量:7
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作者 刘婷 白焕焕 +2 位作者 雷小燕 罗策 李剑 《理化检验(化学分册)》 CSCD 北大核心 2017年第4期451-455,共5页
将五氧化二钽样品在105℃下烘干2h,冷却至室温后,取样品0.500 0g,加入氢氟酸5mL,硝酸2.5mL,按程序升温微波消解,用水定重至50.0g。应用动态反应池技术消除多原子离子对铁元素的干扰,甲烷反应气流量为0.2mL·min^(-1),Rpq为0.80。以... 将五氧化二钽样品在105℃下烘干2h,冷却至室温后,取样品0.500 0g,加入氢氟酸5mL,硝酸2.5mL,按程序升温微波消解,用水定重至50.0g。应用动态反应池技术消除多原子离子对铁元素的干扰,甲烷反应气流量为0.2mL·min^(-1),Rpq为0.80。以标准加入法补偿基体效应制作标准曲线,采用电感耦合等离子体质谱法测定20种杂质元素的含量。各元素的检出限(3s)在0.009~0.53μg·g^(-1)之间,用标准加入法做回收试验,测得回收率在90.0%~116%之间,测定值的相对标准偏差(n=11)在1.8%~17%之间。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体质谱法 动态反应池 五氧化二钽 杂质元素
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五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究 被引量:2
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作者 张幸福 魏爱香 《电子质量》 2007年第4期1-3,共3页
本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况。介绍了Ta2O5高k薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展。电学性能是今后研究应关注的主要方面。最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景。
关键词 微电子技术 MOSFET栅介质 五氧化二钽 高K 电学特性
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O_2气中激光烧蚀Ta_2O_5产物离子的氧化反应
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作者 辜振宁 王雪峰 +2 位作者 秦启宗 陈宏 郑兰荪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期961-964,共4页
The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured using a time-of-flight mass spectrometer. Formation of iomc Ta-containing oxides such as TaO and TaO... The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured using a time-of-flight mass spectrometer. Formation of iomc Ta-containing oxides such as TaO and TaO from Ta2O5 ablation in ambient O2 were observed for the first time. The influence of ambient O2 pressure on the intensities of ablated Ta-containing ions has also been studied. It is found that the subsequent oxidation reactions were involved in the ablation of Ta2O5 at different O2 pressure. The enthalpies of possible okidation reactions were theoretically calculated, and the possible formation reastions of the ionic Ta-contauing oxides are discussed. 展开更多
关键词 激光烧蚀 离子氧化 五氧化二钽薄膜 PLC 制备
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型号设备用钽电解电容器可靠性研究 被引量:2
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作者 陶帅 胡小海 《电子产品可靠性与环境试验》 2018年第1期34-38,共5页
钽电解电容器在型号设备中使用广泛,其可靠性直接影响产品的质量。分析了钽电解电容器常见的失效模式,从钽电解电容器生产制造、补充筛选与破坏性物理分析、设计使用等3个方面指出了提高型号设备用钽电解电容器的可靠性的方法。
关键词 电解电容器 浪涌电流 可靠性 五氧化二钽
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用X射线萤光光谱仪测定矿石中低含量钽和铌 被引量:1
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作者 关玉珍 王克俊 《新疆有色金属》 1989年第1期33-36,共4页
为了配合钽铌选矿研究,我们用X萤光法对低含量的钽铌进行了测定,其测定下限对五氧化二钽可达0.001%,对五氧化二铌可达0.001%。采用ICP—AES法测定过的样品为标样,用多重回归求取校正元素间效应的影响系数和谱线重叠校正系数,用铑靶散... 为了配合钽铌选矿研究,我们用X萤光法对低含量的钽铌进行了测定,其测定下限对五氧化二钽可达0.001%,对五氧化二铌可达0.001%。采用ICP—AES法测定过的样品为标样,用多重回归求取校正元素间效应的影响系数和谱线重叠校正系数,用铑靶散射线为内标,消除基体效应,用标准化样品来校正仪器本身的漂移,直接将矿样压片进行测定。 展开更多
关键词 测定下限 五氧化二钽 X射线 基体效应 正元素 校正系数 散射线 校正仪器 影响系数 多重回归
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湖南幕阜山地区铌钽找矿实现重大突破
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《中国矿山工程》 2017年第6期82-82,共1页
湖南省核工业地质局,311大队对幕阜山地区找矿工作和平江县仁里铌钽矿找矿工作取得成果。经初步估算,该地区钽铌资源总量26294t,其中五氧化二钽资源量11286t,矿床平均厚度2.93m,五氧化二钽平均品位0.04%。
关键词 找矿工作 湖南省 山地 五氧化二钽 核工业地质局 平均品位 资源总量
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Ti基IrO_2+Ta_2O_5阳极在H_2SO_4溶液中的电解时效行为 被引量:22
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作者 胡吉明 孟惠民 +1 位作者 张鉴清 曹楚南 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-20,共7页
研究了450℃制备所得Ti/70%IrO2-30%Ta2O5(摩尔分数)高寿命阳极在H2SO4溶液电解过程中电极的物理、化学及电化学性能的时效行为.结果发现,整个电解过程可分为“活化”、“稳定”及“失效”三个阶段.在“活化”及“稳定”区内主要发生电... 研究了450℃制备所得Ti/70%IrO2-30%Ta2O5(摩尔分数)高寿命阳极在H2SO4溶液电解过程中电极的物理、化学及电化学性能的时效行为.结果发现,整个电解过程可分为“活化”、“稳定”及“失效”三个阶段.在“活化”及“稳定”区内主要发生电极表面活性氧化物的溶解,涂层中IrO2金红石相的(110)、(101)晶面择优取向随电解时间延长而减弱,而(002)晶面择优增强.但是在“失效区”内,各晶面的择优程度却不随电解时间的变化而变化,这表明在“失效区”内氧化物的损失机制发生了变化.电化学阻抗谱测试表明,电极的析氧电化学反应电阻随电解时间的延长发生缓慢而连续的上升,而整个电极的物理阻抗在“失效区”内却发生突升现象.X射线衍射分析(XRD)表明,随电解时间的延长TiO2金红石相的衍射强度增大,达“失效区”时衍射强度发生突升.根据实验现象特别是“失效区”内阳极的时效行为提出高寿命Ti基氧化物涂层阳极的失效机制. 展开更多
关键词 失效机理 钛阳极 氧化 五氧化二钽 硫酸溶液 电催化材料 电解 时效行为 H2SO4溶液
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MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究 被引量:2
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作者 汪祖民 韩泾鸿 +2 位作者 任振兴 杨海钢 夏善红 《电子器件》 CAS 2007年第3期741-744,共4页
微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的... 微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果:在pH1~12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H+的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H+的响应仅为0.13mV/pH;结论:采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工. 展开更多
关键词 离子敏场效应管 功能膜 微电子机械系统 五氧化二钽 聚四氟 乙烯
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Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境稳定性研究 被引量:2
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作者 李钱陶 李定 +2 位作者 王潺 熊长新 杨长城 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第S01期97-103,共7页
利用射频激励电容耦合等离子体放电装置产生等离子体,分别采用氧、空气、氩、氖等离子体对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜进行处理,试验研究了等离子体气压和等离子体种类对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜光学损耗的影响。通过比对实验、能谱、... 利用射频激励电容耦合等离子体放电装置产生等离子体,分别采用氧、空气、氩、氖等离子体对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜进行处理,试验研究了等离子体气压和等离子体种类对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜光学损耗的影响。通过比对实验、能谱、光电子能谱分析测试等技术手段,对Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜在等离子体环境下出现的损耗变化现象、机理进行了探讨。Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜经氧等离子体处理后的损耗变化量最大,达到了15 ppm(1 ppm=1×10-6),为另3种等离子体处理后损耗变化量的2~4倍。定位出了Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境下产生吸收具体膜层为最外层2LAl2O3,发现了2LAl2O3在氧、氩等离子体作用下吸收损耗在一定程度上产生可逆变化的现象,结合XPS分析,对这一可逆现象从薄膜中游离O、Ar与等离子体中粒子之间相互作用产生缺陷等角度进行了探讨。提出了进一步提升Ta2O5/Al2O3激光陀螺反射镜等离子体环境稳定性的技术措施。 展开更多
关键词 激光陀螺反射镜 光学吸收 等离子体 氧化 五氧化二钽
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具有优良绝缘性能的Ta_2O_5介质膜 被引量:5
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作者 黄蕙芬 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1999年第6期36-39,共4页
介绍了一种具有优良绝缘性能的Ta2O5 介质膜,它由溅射/ 阳极氧化二步法工艺制备而成.用原子力显微镜(AFM) 对Ta2O5 膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ta2O5 膜和阳极氧化Ta2O5 膜进... 介绍了一种具有优良绝缘性能的Ta2O5 介质膜,它由溅射/ 阳极氧化二步法工艺制备而成.用原子力显微镜(AFM) 对Ta2O5 膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ta2O5 膜和阳极氧化Ta2O5 膜进行了比较.结果表明:溅射/阳极氧化Ta2O5 膜的漏电流比溅射Ta2O5 膜和阳极氧化Ta2O5 膜分别减少了3 ~4 和1~2 个数量级,击穿场强也远高于后2 种膜. 展开更多
关键词 绝缘性能 介质膜 五氧化二钽 阳极氧化 击穿场强
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低真空射频反应溅射 Ta_2O_5 减反射薄膜及其光伏应用 被引量:1
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作者 魏晋云 刘滔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期332-334,共3页
在低真空下,用射频反应溅射法在硅片和硅太阳电池上制备理想配比的非晶Ta2O5减反射薄膜。测定表明,其减反射性能良好。
关键词 射频反应溅射 减反射薄膜 五氧化二钽
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新型pH-ISFET芯片系统研究
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作者 汪祖民 任振兴 +3 位作者 韩泾鸿 边超 杨海钢 夏善红 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第10期2525-2528,共4页
该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H^+敏感PPy膜;与采用低... 该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H^+敏感PPy膜;与采用低温Ta_2O_5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1~12范围内线性相关系数99.99%的优良性能。 展开更多
关键词 离子敏场效应管 片上系统 聚吡咯 五氧化二钽 敏感膜
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基于CH_3NH_3Pbl_3单晶的Ta_2O_5顶栅双极性场效应晶体管(英文) 被引量:3
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作者 吕乾睿 李晶 +5 位作者 廉志鹏 赵昊岩 董桂芳 李强 王立铎 严清峰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第1期249-254,共6页
具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH_3NH_3Pbl_3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH_3NH_3Pbl_3所具有的p型场效应特... 具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH_3NH_3Pbl_3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH_3NH_3Pbl_3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7×10^(-5)cm^2·V^(-1)·s^(-1),此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH_3NH_3Pbl_3多晶薄膜的SiO_2底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的性能有强烈影响。与底栅结构CH_3NH_3Pbl_3多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW·cm^(-2)的光照仍可使CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(V_(GS)(栅源电压)=V_(DS)(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5 A·W^(-1)。本文工作实现了对CH_3NH_3Pbl_3场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH_3NH_3Pbl_3同样具有制备成双极性晶体管的潜力。 展开更多
关键词 钙钛矿 五氧化二钽 场效应 迁移率 光照
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Ag的掺入对MTa2O5多层复合涂层的微观结构、耐蚀性和抗菌性能的影响 被引量:1
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作者 王易 丁泽良 +3 位作者 周泉 张海波 汤迎红 吴发展 《包装学报》 2019年第6期31-37,共7页
采用磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备了含Ag和不含Ag的Ta2O5/Ta2O5/Ta2O5-TiO2/TiO2/Ti多层复合涂层(分别用Ag-MTa2O5和MTa2O5表示),通过SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、电化学工作站和平板计数法,对涂层试样进行表征与检测。研究结果表... 采用磁控溅射技术在Ti6Al4V合金表面制备了含Ag和不含Ag的Ta2O5/Ta2O5/Ta2O5-TiO2/TiO2/Ti多层复合涂层(分别用Ag-MTa2O5和MTa2O5表示),通过SEM、XRD、EDS、纳米压痕仪、电化学工作站和平板计数法,对涂层试样进行表征与检测。研究结果表明,Ag的掺杂对MTa2O5多层涂层的结构和性能有重要影响。与MTa2O5涂层相比,Ag-MTa2O5涂层表面的晶粒变粗、致密度降低、机械性能和耐腐蚀性能略有下降;但Ag-MTa2O5涂层的抗菌率为100%,显示出优异的抗菌性能。 展开更多
关键词 五氧化二钽 TI6AL4V合金 磁控溅射
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零七股份:550亿元矿产或为骗局?
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作者 王志球 《股市动态分析》 2013年第8期56-57,5,共3页
2月21日,零七股份涉矿事宜又有新的进展:公司公布了标的矿产的储量与矿区铌钽铀矿预查报告。然而,公司的表态却显得信心不足,"宏桥矿业拥有的探矿权面积范围内初步开展了勘探工作,但目前地质工作程度较低,尚未核实储量,由于矿产资... 2月21日,零七股份涉矿事宜又有新的进展:公司公布了标的矿产的储量与矿区铌钽铀矿预查报告。然而,公司的表态却显得信心不足,"宏桥矿业拥有的探矿权面积范围内初步开展了勘探工作,但目前地质工作程度较低,尚未核实储量,由于矿产资源的差异性,以及资源勘查方法、技术的局限性,对于资源勘探结果具有不确定性,存在勘查失败不能获得预期储量的风险。" 展开更多
关键词 矿产 差异性 标的 股份 不确定性 矿产资源 矿藏资源 勘探结果 五氧化二钽 矿区地质条件 铌矿 矿产价值 骗局 矿产开采 勘查方法 地质环境质量 探矿权 马达加斯加
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A new technology for processing niobite ore found in Jiangxi province 被引量:1
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作者 Lv Zihu Wei Min +3 位作者 Wu Dongyin Liu Changmiao Zhao Dengkui Feng Ansheng 《International Journal of Mining Science and Technology》 2012年第4期579-583,共5页
A new process is proposed for refining niobite ore that is found in Jiangxi province of China. Niobite, also known as columbite or niobite-tantalite, is a mineral that contains tantalum and niobium. The separation pro... A new process is proposed for refining niobite ore that is found in Jiangxi province of China. Niobite, also known as columbite or niobite-tantalite, is a mineral that contains tantalum and niobium. The separation process includes two-stage grinding, gravity concentration, magnetic separation, and flotation. The tan- talum/niobium concentrate obtained had a grade of Ta2O5 18.28%, Nb2O5 41.62% at a recovery rate of Ta2O5 49.08%, Nb205 70.77%. Other minerals occurring along with the niobite, such as zinnwaldite, feld- spar, and quartz, were also recovered to comprehensively utilize this ore. 展开更多
关键词 Niobite oreStaged separatingMineral processingComprehensive utilization
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