管材专用PPR的分级与结构研究 被引量：12

1

作者 杜斌 王帆 +3 位作者 王艳芳 彭占录 张凤波 陈商涛 《合成树脂及塑料》 CAS 北大核心 2019年第4期54-57,62,共5页

以管材专用无规共聚聚丙烯(PPR)为研究对象,采用不同的分级方法进行分级,利用高温凝胶渗透色谱、结晶淋洗分级和连续自成核退火分级等研究了树脂链结构及其分布。结果表明:PPR由一系列不同相对分子质量和序列分布的组分构成,除低温级分... 以管材专用无规共聚聚丙烯(PPR)为研究对象,采用不同的分级方法进行分级,利用高温凝胶渗透色谱、结晶淋洗分级和连续自成核退火分级等研究了树脂链结构及其分布。结果表明:PPR由一系列不同相对分子质量和序列分布的组分构成,除低温级分外,随着淋洗温度的提高,乙烯含量下降;所有级分的分子链中均有乙烯无规则分布,乙烯含量较高的级分相对分子质量较小且相对分子质量分布较宽;级分的结晶序列长度呈现多分散性,且随淋洗温度升高而增加。 展开更多

关键词 无规共聚聚丙烯 分级 乙烯含量 结晶序列长度

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PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究 被引量：15

2

作者 马康 王海燕 +3 位作者 吴芳 卢景霄 郜小勇 陈永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期97-101,共5页

实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一... 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜。研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨。 展开更多

关键词 PECVD 微晶硅薄膜 晶化率 生长机制

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热分级及退火控制聚乙烯结晶态的研究 被引量：10

3

作者 解云川 张乾 范晓东 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期20-24,共5页

采用连续退火热分级方法表征了聚乙烯大分子链的多分散性 ,同时研究了退火对PE结晶度及力学性能的影响。利用一种新的热分析技术———调制式DSC(MDSC)

关键词 聚乙烯 研究 退火 热分级 结晶态 调制式DSC

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掺磷硅薄膜的微结构及电特性研究 被引量：6

4

作者 陈永生 郜小勇 +2 位作者 杨仕娥 卢景霄 李维强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期733-735,共3页

采用喇曼散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺磷后导致薄膜的非晶化。与本征氢化微硅晶(μc-Si:H)薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,但... 采用喇曼散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺磷后导致薄膜的非晶化。与本征氢化微硅晶(μc-Si:H)薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关。另外掺杂薄膜易进行快速光热退火晶化。 展开更多

关键词 微晶硅 暗电导 晶化率

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衬底对PECVD法生长氢化纳米硅薄膜的影响 被引量：4

5

作者 王权 胡然 +1 位作者 丁建宁 何宇亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期267-271,共5页

用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法,在玻璃和单晶Si衬底上分别制备了氢化纳米硅薄膜,对在相同工艺条件下的薄膜进行了对比研究,即用Raman散射谱研究了薄膜的晶粒平均大小和晶态比;用台阶仪测试了薄膜厚度;用X射线衍射谱和原子力显微... 用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法,在玻璃和单晶Si衬底上分别制备了氢化纳米硅薄膜,对在相同工艺条件下的薄膜进行了对比研究,即用Raman散射谱研究了薄膜的晶粒平均大小和晶态比;用台阶仪测试了薄膜厚度;用X射线衍射谱和原子力显微镜对薄膜微结构和形貌进行了对比研究,发现所制备薄膜的微观结构有很大的差异。相同工艺条件下,在玻璃衬底上生长的薄膜,表面粗糙度小于单晶Si衬底上的薄膜,而晶化程度低于单晶Si衬底。掺杂使微结构发生了变化,掺P促进晶化,掺B促进非晶化,对此实验结果给出了定性的分析。 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 RAMAN光谱 表面粗糙度 晶态比

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掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究 被引量：4

6

作者 陈永生 王生钊 +2 位作者 杨仕娥 郜小勇 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期8-11,共4页

采用拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺P后导致薄膜的非晶化。与本征μc-Si:H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外... 采用拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺P后导致薄膜的非晶化。与本征μc-Si:H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外-可见光区的透光率降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关,同时研究发现掺杂薄膜容易进行快速光热退火晶化。 展开更多

关键词 微晶硅 暗电导 晶化率 透光率

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氢稀释对纳米晶硅薄膜微结构的影响 被引量：5

7

作者 于威 卢海江 +4 位作者 路万兵 孟令海 王新占 韩理 傅广生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期524-527,共4页

采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氢化纳米硅薄膜,利用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术对不同氢稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究。结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,... 采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氢化纳米硅薄膜,利用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术对不同氢稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究。结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势。键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体键合氢含量减小,而SiH2键合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氢原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强。光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72～1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 电感耦合等离子体 晶态比 氢稀释比

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等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文) 被引量：3

8

作者 陈永生 杨仕娥 +4 位作者 卢景霄 郜小勇 张宇翔 王海燕 李瑞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期753-759,共7页

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度... 本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm。通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 晶化率 等离子体增强化学气相沉积

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衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响 被引量：5

9

作者 赵剑涛 郜小勇 +3 位作者 刘绪伟 陈永生 杨仕娥 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1287-1290,共4页

采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈... 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动。该实验结果可通过“表面扩散模型”得到合理解释。 展开更多

关键词 μc-Si:H薄膜 衬底温度 临界温度点 晶化率

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硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 被引量：6

10

作者 汪昌州 杨仕娥 +3 位作者 陈永生 杨根 郜小勇 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。 展开更多

关键词 p型氢化微晶硅薄膜 掺硼比 晶化率 电导率

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真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究 被引量：3

11

作者 王宙 何旭 +3 位作者 付传起 室谷贵之 杨萍 曹健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1110-1113,共4页

为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌... 为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。 展开更多

关键词 真空蒸镀 多晶硅薄膜 锗掺杂 晶化率

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升温淋洗分级制备不同结晶度LLDPE的研究 被引量：4

12

作者 孔杰 范晓东 贾昧 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期4-6,共3页

采用升温淋洗分级 (TREF)制备了不同结晶度的线型低密度聚乙烯 (LLDPE)级分 ,并采用差示扫描量热仪 (DSC)和傅立叶红外光谱 (FTIR)对级分的结晶、熔融行为和短链支化度进行了研究。结果表明 :LLDPE级分的结晶度和熔点与淋洗温度成线性关... 采用升温淋洗分级 (TREF)制备了不同结晶度的线型低密度聚乙烯 (LLDPE)级分 ,并采用差示扫描量热仪 (DSC)和傅立叶红外光谱 (FTIR)对级分的结晶、熔融行为和短链支化度进行了研究。结果表明 :LLDPE级分的结晶度和熔点与淋洗温度成线性关系 ;随淋洗温度的升高 ,级分结晶能力增强、结晶度升高、熔点升高、短链支化度变小 ;TREF淋洗温度依赖于LLDPE的熔融焓。 展开更多

关键词 升温淋洗分级 制备 同结晶度 傅立叶红外光谱 支化度 线型低密度聚乙烯

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掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究 被引量：7

13

作者 刘玉芬 郜小勇 +2 位作者 刘绪伟 赵剑涛 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期365-369,共5页

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现... 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。 展开更多

关键词 氢化微晶硅薄膜 晶化率 平均晶粒尺寸 光学带隙 Kronig—Penney模型

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衬底材料对μc-Si:H薄膜结构特性的影响 被引量：4

14

作者 陈永生 杨仕娥 +2 位作者 卢景霄 王海燕 李瑞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期116-120,共5页

对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不... 对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不同和衬底表面形貌两方面所致。SEM观察表明玻璃衬底上沉积的μc-Si：H薄膜由尺寸介于200～100nm的团簇构成。 展开更多

关键词 等离子体辅助化学气相沉积 拉曼散射谱 晶化率 团簇

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锆基非晶合金脉冲激光焊及接头组织特性 被引量：2

15

作者 黄健康 吴昊盛 +3 位作者 黄彦琴 陈会子 于晓全 樊丁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第S02期355-358,共4页

采用脉冲激光焊接的方法对锆基非晶合金(Zr_(44)Ti_(11)Ni_(10)Cu_(10)Be_(25))进行对接熔焊工艺试验,在合适的工艺参数下获得成形良好的锆基非晶合金熔焊对接接头。采用金相显微镜、场发射扫描电镜、X射线衍射仪、显微硬度仪、同步热... 采用脉冲激光焊接的方法对锆基非晶合金(Zr_(44)Ti_(11)Ni_(10)Cu_(10)Be_(25))进行对接熔焊工艺试验,在合适的工艺参数下获得成形良好的锆基非晶合金熔焊对接接头。采用金相显微镜、场发射扫描电镜、X射线衍射仪、显微硬度仪、同步热分析仪等多种测试手段对成形接头的形貌、晶体相、结晶组织特性及热稳定性进行分析。结果显示,在接头热影响区的二次电子图像中发现了纳米结晶,焊缝区则为小块体状结晶相;热影响区及焊缝区的布拉格衍射峰对应的是Zr_(2)Cu和Zr_(2)Ni;接头三个区域中,焊缝区表现出最高的维氏硬度;结合DSC曲线中放热峰的晶化热焓,计算出接头热影响区与焊缝区的结晶分数分别为4.2%和32.0%。 展开更多

关键词 锆基非晶合金 脉冲激光焊 结晶 结晶分数

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本征纳米硅薄膜的微结构表征 被引量：2

16

作者 刘绪伟 郜小勇 +4 位作者 赵剑涛 杨仕娥 陈永生 谷锦华 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期200-202,共3页

采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶... 采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶化率拐点温度越低。平均晶粒尺寸、晶化率随衬底温度的升高具有相似的变化规律,谱中出现的拐点温度一致,暗示它们之间存在紧密的联系。从薄膜生长角度对该实验结果作了合理解释。 展开更多

关键词 纳米硅 晶化率 晶粒尺寸 拐点温度

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直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al薄膜结构特性 被引量：2

17

作者 张具琴 马康 +1 位作者 王海燕 王子建 《可再生能源》 CAS 2008年第4期64-68,72,共6页

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al薄膜,并分析了氧分压、溅射压强、沉积时间、温度对薄膜结构特性的影响。研究发现,铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,ZnO:Al薄膜具有(0... 利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al薄膜,并分析了氧分压、溅射压强、沉积时间、温度对薄膜结构特性的影响。研究发现,铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,ZnO:Al薄膜具有(002)择优取向。在同样的制备条件下,薄膜的晶化在普通玻璃上比在PET衬底上要好,但是在特定的条件下(沉积时间15 min),在PET衬底上的要比普通玻璃衬底上的好。 展开更多

关键词 有机衬底 ZNO:AL 晶化

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Na_2O-CaO-SiO_2系透明微晶玻璃制备及其微观结构 被引量：3

18

作者 梅宇钊 陈兴军 +3 位作者 王克强 刘学峰 罗志伟 卢安贤 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1991-1997,共7页

制备了Yb3+掺杂的Na2O-CaO-SiO2系高结晶度、透明微晶玻璃。用差热分析(DSC)初步确定基础玻璃的核化及晶化温度范围,用X射线衍射(XRD)测定微晶玻璃析出晶相,用扫描电镜(SEM)研究微晶玻璃的微观结构。结果表明:组成为53SiO2-30CaO-17Na2O... 制备了Yb3+掺杂的Na2O-CaO-SiO2系高结晶度、透明微晶玻璃。用差热分析(DSC)初步确定基础玻璃的核化及晶化温度范围,用X射线衍射(XRD)测定微晶玻璃析出晶相,用扫描电镜(SEM)研究微晶玻璃的微观结构。结果表明:组成为53SiO2-30CaO-17Na2O(摩尔分数,%)的基础玻璃经热处理析出了Na4Ca4Si6O18晶相;合适热处理制度为:595℃核化5 h,730℃晶化1 h;所制备的微晶玻璃析晶度高,晶粒尺寸约100μm,微晶玻璃仍具有较高的透明度。 展开更多

关键词 钠钙硅酸盐 玻璃陶瓷 热处理制度 析晶度 微观结构

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热处理制度对Mg-Y-Al-Si-O-N玻璃析晶行为的影响 被引量：5

19

作者 李秀英 卢安贤 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1663-1670,共8页

分别研究核化温度、核化时间和晶化温度对Mg8.88Y5.92Al10.15Si15.22O52.65N7.19(摩尔分数,%)氧氮玻璃析晶行为的影响。此外,还对比研究了两步和一步热处理制度对此玻璃析晶行为的影响。用DSC曲线初步确定玻璃成核和晶化温度范围,再用... 分别研究核化温度、核化时间和晶化温度对Mg8.88Y5.92Al10.15Si15.22O52.65N7.19(摩尔分数,%)氧氮玻璃析晶行为的影响。此外,还对比研究了两步和一步热处理制度对此玻璃析晶行为的影响。用DSC曲线初步确定玻璃成核和晶化温度范围,再用传统方法确定玻璃的最佳热处理制度;用X-射线衍射仪鉴定微晶玻璃中的物相;用扫描电镜观察微晶玻璃的微观结构。结果表明:对于此组成玻璃,热处理制度严重影响微晶玻璃的析晶度和微观形貌,但对析出相的种类影响较小;所制备的微晶玻璃中均含YMgSi2O5N(48-1632)、MgSiO3(19-0768)和Mg3Al2(SiO4)3(15-0742)相,其中YMgSi2O5N为主晶相,呈棒状。 展开更多

关键词 热处理制度 Mg-Y-Al-Si-O-N玻璃 晶相 析晶度 显微结构

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a-Si:H薄膜的再结晶技术及Si膜的Raman光谱分析 被引量：5

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作者 冯团辉 张宇翔 +2 位作者 王海燕 靳瑞敏 卢景霄 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期462-465,共4页

论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术 ,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。另外 ,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法。

关键词 非晶硅薄膜 再结晶技术 多晶硅薄膜太阳电池 RAMAN光谱 晶粒尺寸 结晶度

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