一种新型双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：6

1

作者 孙作治 李玉山 +1 位作者 李先锐 来新泉 《现代电子技术》 2003年第6期71-74,共4页

L DO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这 2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能 ,本文设计并实现了一种新型的双极型 L DO线性稳压器 ,调整管采用自由集电极纵向 PNP管。

关键词 ldo线性稳压器 漏失电压 静态电流 自由集电纵向PNP管 双极型

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基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计 被引量：2

2

作者 徐静萍 来新泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1056-1059,共4页

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电... 介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。 展开更多

关键词 ldo线性稳压器 旁路滤噪 低噪声 动态补偿

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一种利用前馈电容改善瞬态响应的LDO 被引量：1

3

作者 任国栋 王永顺 +3 位作者 汪再兴 王道斌 冯有才 武钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期144-147,共4页

LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电... LDO具有高的纹波抑制和低噪声特点,在低输入输出压差以及RF领域应用广泛。在负载电流变化范围大的情况下,动态补偿成为必然选择。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种利用MOS栅源电容实现动态补偿的LDO。采用反偏二极管模拟了寄生阱电容对系统稳定性的影响,并提出减小系统带宽、优化系统稳定性的方案。为了实现快速动态响应,设计前馈电容优化了系统。实验表明,设计的电路具有高PSRR和快速响应能力,适用于便携式设备供电。 展开更多

关键词 阱电容 反偏二极管 前馈电容 低压差线性稳压器 带宽

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一种双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：2

4

作者 白欢利 令文生 +1 位作者 姜洪雨 于洪波 《科学技术与工程》 2010年第8期1985-1988,共4页

介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。... 介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 双极型 超β横向PNP管 线性调整率 负载调整率

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LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

5

作者 吴建飞 李建成 +2 位作者 王宏义 亚历山大.博耶 沈荣骏 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期168-173,共6页

基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,... 基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。 展开更多

关键词 ldo稳压器 电磁干扰(EMI) 敏感度 片上电压传感器 寄生元件 直接注入法(DPI

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适用于高速闪存的超快无片外电容LDO

6

作者 冉峰 郭家荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期338-342,共5页

提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率。高能效基准电路在静态模式输出... 提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率。高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率。设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2~3.6 V和存储容量为64 M的闪存中。测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8 V,最大输出电流为40 m A,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 m V,满足高速闪存的要求。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 片外电容 并联反馈 高能效基准 负载瞬态响应

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一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器

7

作者 李飞宇 陈君涛 +1 位作者 周爵 朱安康 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期282-288,共7页

设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了... 设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片,其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时,LDO的启动时间约为150μs,在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/√Hz,10 Hz~100 kHz内均方根(RMS)积分噪声约为17.0μV。 展开更多

关键词 低噪声 低压差线性稳压器(ldo) 超低通滤波器 负载电流 启动时间

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LDO漏压状态监测电路的设计

8

作者 王军琴 《现代电子技术》 2010年第2期4-6,共3页

针对LDO稳压器某些情况下输出电压不正常的特点,提出一种除了可监测LDO稳压器的过温过流保护状态以外,还可监测稳压器工作在漏压区状态的故障监测电路,使LDO稳压器的功能更加完善;最后给出了仿真验证结果。

关键词 ldo稳压器 故障监测 漏压区 阈值跟踪

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一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计 被引量：7

9

作者 金永亮 张希婷 +3 位作者 徐新涛 程心 解光军 张章 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第9期1213-1217,共5页

文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单... 文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能。仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.0475 mV/V、0.00214 V/A;当电源电压范围为1.91~3.60 V时,输出电压稳定在1.80 V。 展开更多

关键词 低压差稳压器(ldo) 瞬态响应 瞬态补偿 线性调整率 负载调整率

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LDO稳压器对嵌入式系统掉电保护作用的研究 被引量：4

10

作者 程万前 阮慧 +2 位作者 郭少艾 郭月俊 王彪 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1290-1292,共3页

针对嵌入式系统掉电保护的问题,对低压差(LDO)线性稳压器对系统掉电保护的作用进行了研究。实验以基于LPC2138的嵌入式系统为例,测试了压降不同的3款稳压器对系统掉电后工作时间的影响。通过分析实验数据,得出结论:低压降的LDO线性稳压... 针对嵌入式系统掉电保护的问题,对低压差(LDO)线性稳压器对系统掉电保护的作用进行了研究。实验以基于LPC2138的嵌入式系统为例,测试了压降不同的3款稳压器对系统掉电后工作时间的影响。通过分析实验数据,得出结论:低压降的LDO线性稳压器相对普通的稳压器具有显著的优势,系统掉电后,它能够为系统提供更加充足的时间向外部存储设备写入重要信息。 展开更多

关键词 ldo稳压器 掉电保护 嵌入式系统 LPC2138

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一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计 被引量：1

11

作者 高雷声 周玉梅 刘海南 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期723-726,共4页

提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得... 提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络。所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为-69 dB,在1MHz处的电源抑制比为-19 dB。采用0.35μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流。 展开更多

关键词 线性稳压器 单片集成 高电源抑制比 RC补偿 单片集成低压差

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基于SOI CMOS工艺的LDO电路设计 被引量：1

12

作者 程冰 赵文欣 罗家俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期93-96,109,共5页

设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离,减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器... 设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离,减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器(LDO)输出电压的变化,提高了LDO的瞬态精度。在关键器件部分采用匹配结构,以减小工艺误差对电路性能造成的影响。基于0.18μm SOI CMOS工艺,用Hspice软件进行电路仿真,用Cadence软件进行版图验证。仿真结果表明,MOS基准电路产生的基准电压温漂为5.6×10-5,LDO的最大负载电流为100 mA,负载电流瞬变的响应时间小于1.5μs,负载调整率为0.3%,整体电路的静态电流为88μA,芯片尺寸为650μm×1 200μm。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 带隙基准 反馈 电流倍增电路 绝缘体硅

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一种带保护电路的低功耗LDO 被引量：5

13

作者 杨利君 陈治明 +1 位作者 龚正 石寅 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第3期261-265,共5页

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度... 为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。 展开更多

关键词 低压降线性调节器 过流保护电路 过热保护电路 相位裕度

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极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法 被引量：1

14

作者 汪西虎 吴龙胜 刘佑宝 《现代电子技术》 2008年第15期157-159,162,共4页

提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到... 提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。 展开更多

关键词 LD0线性稳压器 LDR 频率补偿 频率稳定

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采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO 被引量：9

15

作者 姚方舟 张章 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2022年第4期475-480,共6页

文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅... 文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅极电容的充放电电流,具有摆率增强的作用,增强瞬态响应。缓冲级采用AB类超级源跟随器,实现了动态电流提升,且不会降低电源电压要求或增加静态功耗;同时,引入负反馈实现低阻抗转化将次极点推到更高的频率,提高环路的相位裕度。采用CSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明:输入电压为2.1~4.8 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA;负载电流在2~300 mA之间变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为111、188 mV,响应时间分别为3.2、2.1μs。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 摆率增强 快速瞬态响应 AB类超级源跟随器 无片外电容 缓冲级

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用于无源RFID标签的拓展PSRR带宽无片外电容LDO 被引量：1

16

作者 杨清山 梅年松 张钊锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期425-431,共7页

经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别（RFID）标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波。为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比（PSRR）、超低功耗、无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。利用超级源跟随器结... 经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别（RFID）标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波。为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比（PSRR）、超低功耗、无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。利用超级源跟随器结构改变传统LDO环路的极点分布,将输出极点作为环路主极点,将低频PSRR带宽有效拓展到1 MHz。利用动态偏置技术和双零点补偿结构保证环路稳定性。该LDO采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积约0.017 mm^2。测试结果表明：LDO在1 MHz频率范围内的PSRR小于-46 dB,轻负载下的PSRR可达-57 dB;电路消耗0.33-3.4μA的静态电流;在工作电压为1.1-3 V时输入电压调整率为4.6 mV/V;在负载电流为0-25μA时负载调整率为0.3 mV/μA;该LDO仅采用35 pF片上电容。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 无片外电容 电源电压抑制比(PSRR) 无源射频识别(RFID) 双零点补偿

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双极型LDO线性稳压器的设计 被引量：2

17

作者 卢艳 辛伟德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期871-874,879,共5页

在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并... 在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz～50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。 展开更多

关键词 ldo线性稳压器 低漏失电压 低静态电流 过温过流保护 带隙基准电路

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车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO 被引量：2

18

作者 孙力 王志亮 +2 位作者 崔子豪 章一鸣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期776-786,共11页

针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应... 针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。 展开更多

关键词 高压型低压差线性稳压器(ldo) 高压预调制 负载电流 摆率增强 电源抑制比(PSRR)

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一种快速瞬态响应的LDO设计 被引量：2

19

作者 孙力 王志亮 +2 位作者 杨雨辰 谭庶欣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期690-698,共9页

针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工... 针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成了建模。仿真结果显示,负载电流为50 mA时,10、103和104Hz下的PSRR分别为108、96和80 dB;负载调整率为0.002 95 V·A^(-1);典型TT工艺角25℃/5 V条件下,1μs内负载电流从100μA跳变到500 mA,输出端上冲电压为19.16 mV,响应时间为0.4μs,下冲电压为56.41 mV,响应时间为0.2μs。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器(ldo) 瞬态响应 电源抑制比(PSRR) 无片外电容 摆率增强

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一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计 被引量：1

20

作者 王媛 汪西虎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期145-151,共7页

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流... 为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。 展开更多

关键词 超低静态电流 基准放大器 负载检测 自适应偏置电流 低压差(ldo)线性稳压器

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