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TiN颗粒对镁合金微弧氧化过程及膜层性能的影响 被引量：7
1
作者 张瑞珠 贾新杰 +2 位作者 唐明奇 任洋洋 蔡会苹 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期81-86,共6页
目的分析Ti N颗粒在镁合金微弧氧化过程中的作用,并研究其在膜层中对镁合金硬度、耐磨和耐蚀等性能的影响。方法通过在微弧氧化电解液中添加2.7μm Ti N颗粒,并使其充分分散于电解液中,使电解液中Ti N颗粒的质量浓度分别为0、2、4、6 g... 目的分析Ti N颗粒在镁合金微弧氧化过程中的作用,并研究其在膜层中对镁合金硬度、耐磨和耐蚀等性能的影响。方法通过在微弧氧化电解液中添加2.7μm Ti N颗粒,并使其充分分散于电解液中,使电解液中Ti N颗粒的质量浓度分别为0、2、4、6 g/L,并控制其他实验参数(如电流密度、频率、占空比和氧化时间)一样的情况下进行实验,通过电子显微镜、涂层厚度测厚仪、显微维氏硬度计、X射线衍射和电化学工作站,分别从膜层的表面形貌、厚度、硬度、相组成及耐蚀性等方面,研究了Ti N颗粒对镁合金微弧氧化膜层性能的影响。结果在微弧氧化电解液中添加Ti N颗粒后,相同电化学参数下制得的微弧氧化膜层变得致密,厚度、硬度有所增加,氧化膜层主要由Mg、MgO、Mg2Zr5O12、Ti N组成。极化曲线显示,加入Ti N颗粒,制备的微弧氧化膜层比未加入Ti N颗粒制得的膜层的腐蚀电流下降了2个数量级。阻抗图谱表明,电阻值增加了1个数量级。结论 Ti N颗粒能够随镁合金的微弧氧化过程进入制得的氧化膜层中,并且能够增加膜层厚度和硬度,使膜层的耐磨、耐蚀性得到提高。 展开更多
关键词 AZ91D镁合金 微弧氧化 tin颗粒 膜层硬度 物相组成 耐蚀性
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TiN/O'-Sialon原位复合材料的抗氧化性能 被引量：3
2
作者 薛向欣 谢朋 +1 位作者 翟玉春 王彦吉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第2期29-31,共3页
通过对不同条件下原位复合制备的各种TIN／O′Sialon材料在空气中的氧化行为研究，考查了氧化温度、气孔率和TiW含量对材料抗氧化性能的影响。结果表明：当氧化温度升高到一定值时，通常材料表层会形成致密的“保护膜”，阻碍材料的进... 通过对不同条件下原位复合制备的各种TIN／O′Sialon材料在空气中的氧化行为研究，考查了氧化温度、气孔率和TiW含量对材料抗氧化性能的影响。结果表明：当氧化温度升高到一定值时，通常材料表层会形成致密的“保护膜”，阻碍材料的进一步氧化；材料的气孔率和TIN含量越低，越易形成“保护膜”，反之，越不易形成“保护膜”。当材料的气孔率为30％以上，TiO2添加量为30wt％以上时，即使在更高的氧化温度下也不能形成“保护膜”。 展开更多
关键词 抗氧化性能 原位复合材料 氮化钛 SIALON陶瓷
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氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响
3
作者 谢光荣 曾鹏 +1 位作者 胡社军 梁仕昌 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2003年第6期11-13,共3页
研究了各种氧化工艺对真空电弧沉积 Ti N薄膜组织与性能的影响。结果表明 ,Ti N薄膜在 4 0 0℃于不同时间整体氧化时 ,表面 Ti液滴和 Ti N相发生不同程度的氧化 ,转变成具有金红石型的 Ti O2 薄膜 ,提高了膜层表面的致密性 ,而 Ti N薄... 研究了各种氧化工艺对真空电弧沉积 Ti N薄膜组织与性能的影响。结果表明 ,Ti N薄膜在 4 0 0℃于不同时间整体氧化时 ,表面 Ti液滴和 Ti N相发生不同程度的氧化 ,转变成具有金红石型的 Ti O2 薄膜 ,提高了膜层表面的致密性 ,而 Ti N薄膜的整体组织结构未发生较大改变。随着氧化时间的延长 ,在 4 0 min后硬度才略有下降 ,内应力下降 ,膜层的结合力提高 ,并具有较好的耐磨性能。 展开更多
关键词 真空电弧沉积 tin薄膜 氧化工艺 组织与性能
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离子镀TiN膜及其摩擦状态转化特性的研究
4
作者 刘捍卫 陈元儒 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 1994年第2期150-154,共5页
用热阴极离子镀制成ＴｉＮ膜，膜厚约３μｍ。用ＸＰＳ，和ＸＲＤ分析膜的价态和结构表明：膜表层ＴｉＯ＿２含过较高，ＴｉＮ含过较低。膜内主要由ＴｉＮ相构成，有较强择优取向。膜与衬底结合力强，其临界载荷达３５Ｎ。ＴｉＮ膜具有... 用热阴极离子镀制成ＴｉＮ膜，膜厚约３μｍ。用ＸＰＳ，和ＸＲＤ分析膜的价态和结构表明：膜表层ＴｉＯ＿２含过较高，ＴｉＮ含过较低。膜内主要由ＴｉＮ相构成，有较强择优取向。膜与衬底结合力强，其临界载荷达３５Ｎ。ＴｉＮ膜具有较高的显微硬度、较低的摩擦系数和很好的抗磨性能。在球—盘式摩擦磨损试验机上，采用阶梯加载方式，测定了润滑条件下ＧＣｒ１５钢／ＴｉＮ膜滑动摩擦副的临界载荷－速度（Ｐ－ｖ）图，分析了其摩擦状态转化特性及机理。试验发现，Ｐ－ｖ图上的边界润滑区域显著地扩大，ＴｉＮ膜在边界润滑区域可承受较大载荷。这对实际应用是很有利的。 展开更多
关键词 滑动摩擦 氮化钛膜 氧化膜 离子镀
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电力储能检测用SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器及其性能研究
5
作者 穆石磊 蒋建杰 +4 位作者 邓鹤鸣 周开运 李佳丽 严雪莹 韩磊 《高压电器》 北大核心 2025年第6期156-163,共8页
为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_... 为了提升电力储能系统中早期故障氢气浓度检测的精度与效率,进而确保储能设备的安全运行和高度稳定性,文中采用磁控溅射共溅射技术制备了系列SnO_(2)/Pd薄膜型氢气传感器。通过采用不同射频溅射功率(130 W和150 W)在陶瓷片上制备了SnO_(2)掺杂Pd的金属氧化物半导体薄膜,进行了全面的气敏性能测试。结果显示,150 W功率的样品(样品B)在相同氢气浓度下展现出更佳的响应性和较高的工作温度,而130 W功率的样品(样品A)则表现出更优异的长期稳定性。两种传感器均具备良好的选择性,能有效区分油中其他干扰气体,准确检测氢气浓度变化。该新型薄膜型气敏传感器具有优异的性能特点,可为电力储能、变电站、氢能源行业以及环境保护等领域的实时氢气监测提供可靠的技术手段。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化锡/钯 薄膜型 传感器 电力储能检测 半导体薄膜
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ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响
6
作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页
目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能
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模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究
7
作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页
以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多
关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化
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氧化亚锡/聚酰亚胺复合薄膜制备及介电性能研究 被引量：1
8
作者 李科 杨林 +2 位作者 杨麟 杜娟 李新跃 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期5141-5146,共6页
采用水热法合成了氧化亚锡(SnO),然后再通过原位聚合法将合成的SnO引入到聚酰亚胺基体中,制得SnO/PI复合薄膜。SnO的含量对该薄膜的介电常数、介电损耗、拉伸强度和击穿强度具有显著影响。当SnO含量为10%(质量分数)时,SnO/PI复合薄膜的... 采用水热法合成了氧化亚锡(SnO),然后再通过原位聚合法将合成的SnO引入到聚酰亚胺基体中,制得SnO/PI复合薄膜。SnO的含量对该薄膜的介电常数、介电损耗、拉伸强度和击穿强度具有显著影响。当SnO含量为10%(质量分数)时,SnO/PI复合薄膜的介电常数高达456,介电损耗仅为0.034,拉伸强度为65 MPa,击穿强度为146.9 MV/m。将SnO引入到PI基体中能改善PI薄膜的介电性能,使其在储能、航空航天、绝缘等领域有很好的应用前景。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 复合薄膜 氧化亚锡 介电性能 介电损耗
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ITO薄膜微结构对其光电性质的影响 被引量：8
9
作者 曾明刚 陈松岩 +3 位作者 陈谋智 王水菊 林爱清 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 展开更多
关键词 ITO薄膜 微结构 光电性质 磁控溅射 掺锡氧化铟薄膜 电导率 透射率
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溶胶-凝胶法制备二氧化锡薄膜 被引量：10
10
作者 潘庆谊 张剑平 +2 位作者 董晓雯 程知萱 施利毅 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2001年第1期6-9,共4页
以无机物 (SnCl4 ·5H2 O)为前驱物采用溶胶 凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。研究了凝胶的脱水与晶化过程 ,得到经 6 0 0℃热处理后凝胶晶化完整。同时对不同粘度的涂布液与成膜厚度以及不同提拉速度与成膜厚度的关系进行研... 以无机物 (SnCl4 ·5H2 O)为前驱物采用溶胶 凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。研究了凝胶的脱水与晶化过程 ,得到经 6 0 0℃热处理后凝胶晶化完整。同时对不同粘度的涂布液与成膜厚度以及不同提拉速度与成膜厚度的关系进行研究 ,得到较好的直线关系。膜厚与提拉速度的关系式为t≈V0 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 二氧化锡薄膜 厚度 浸渍涂布法
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磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究 被引量：12
11
作者 钟志有 张腾 +1 位作者 顾锦华 孙奉娄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期647-652,670,共7页
采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,... 采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响。当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω.cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优良指数(7.9×102S.cm-1),其光电综合性能最佳。同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺锡氧化铟 晶体结构 光电学性能
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室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究 被引量：8
12
作者 纪安妮 孙书农 +1 位作者 柳兆洪 刘瑞堂 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期221-224,共4页
报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．
关键词 磁控溅射 ITO薄膜 晶体结构 结晶形貌 扫描电镜
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膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响 被引量：6
13
作者 罗远晟 陈松林 +4 位作者 马平 蒲云体 朱基亮 朱建国 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1024-1026,共3页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡(ITO) 磁控溅射 薄膜厚度
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磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化 被引量：9
14
作者 王军 成建波 +2 位作者 饶海波 蒋亚东 杨刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期115-117,共3页
用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随... 用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。 展开更多
关键词 薄膜 氧化铟锡(ITO) 直流磁控溅射 沉积气压 流量比
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新材料ITO薄膜的应用和发展 被引量：47
15
作者 段学臣 杨向萍 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1999年第3期58-60,共3页
对铟锡 氧化物（ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜的特 性和应 用，制备方 法以及 市场情况 进行了 综述。该 新材料有 优越的光电 性能，在高 科技领 域中有 着重 要 用 途， 如液 晶 显示 、太 阳 能电 池、节 能 窗玻 璃 等。国 内 外 对 Ｉ Ｔ Ｏ ... 对铟锡 氧化物（ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜的特 性和应 用，制备方 法以及 市场情况 进行了 综述。该 新材料有 优越的光电 性能，在高 科技领 域中有 着重 要 用 途， 如液 晶 显示 、太 阳 能电 池、节 能 窗玻 璃 等。国 内 外 对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜均 存在良 好的市场 。世界上 差不多一 半的铟 用于制 备 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜 。我国 有丰 富的 铟资 源， 因此存在着 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜的巨 大的潜 在市场。 展开更多
关键词 氧化铟 氧化锡 薄膜 液晶显示 太阳能电池
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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量：12
16
作者 郝雷 刁训刚 +3 位作者 胡小草 张鲁豫 郝维昌 王天民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期256-260,共5页
在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨... 在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 展开更多
关键词 ITO膜 直流磁控溅射 光电性能 红外发射率
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磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜 被引量：8
17
作者 杨田林 杨光德 +1 位作者 高绪团 万云芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期64-67,共4页
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶... 采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。 展开更多
关键词 磁控溅射法 制备 SNO2 Sb透明导电膜
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纳米氧化锡气敏材料及其传感器阵列的研究进展 被引量：9
18
作者 龚树萍 刘欢 周东祥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期521-526,共6页
对纳米氧化锡气敏材料的理论及应用研究进行了综合性阐述,重点介绍了运用纳米技术和薄膜技术制备氧化锡气体传感器的研究进展,并讨论了氧化锡气体传感阵列在电子鼻智能嗅觉系统中的应用现状和前景．
关键词 纳米氧化锡 气体传感器 薄膜 阵列 电子鼻
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基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO 被引量：12
19
作者 占红明 饶海波 张化福 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期386-390,共5页
介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性... 介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 铟锡氧化物膜 有机电致发光显示 透明导电膜 荧光寿命 表面平整度 透过率
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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15
20
作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多
关键词 ITO透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡
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