期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到320篇文章
< 1 2 … 16 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
1
作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 ingaas/ingaasp多量子阱
在线阅读 下载PDF
InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究 被引量：1
2
作者 刘超 李国辉 +3 位作者 韩德俊 姬成周 陈涌海 叶小玲 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期170-173,共4页
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 9... 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导 ,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱 (SCH MQW )激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验 .将能量 12MeV、注量 15×10 13cm- 2 的P+注入到实验样品后 ,在 70 0℃下快速热退火 90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移 989nm .蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大 ,并且能量比注量对蓝移的影响更大 . 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱混合 波长蓝移 ingaas/ingaasp 光致发光谱
在线阅读 下载PDF
γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响 被引量：2
3
作者 孙京华 王文娟 +3 位作者 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复... 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。 展开更多
关键词 Γ辐照 ingaasp/INP 单光子雪崩探测器 单光子性能
在线阅读 下载PDF
基于线阵InGaAs相机的亮环境下光伏电池板缺陷检测方法
4
作者 徐晗 钱芸生 +2 位作者 张益军 郎怡政 黄益东 《应用光学》 北大核心 2025年第1期156-162,共7页
亮环境下太阳光容易淹没光伏电池板光致发光(photoluminescence,PL)现象的缺陷信息,使检测设备无法直接感知缺陷。针对此问题,提出了一种基于时域误差的检测方法,能够有效降低亮环境下太阳光的干扰。该方法利用快速PWM(pulse width modu... 亮环境下太阳光容易淹没光伏电池板光致发光(photoluminescence,PL)现象的缺陷信息,使检测设备无法直接感知缺陷。针对此问题,提出了一种基于时域误差的检测方法,能够有效降低亮环境下太阳光的干扰。该方法利用快速PWM(pulse width modulation)斩波恒流电源输出高频调制电流信号,驱动850 nm光源输出调制光激励光伏电池板,使用短波红外线阵InGaAs相机捕捉具有调制特性的图像序列,经现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)从图像序列中提取光伏电池板的缺陷信息。实验结果表明,该方法能够在2.9 lx~(12580±5)lx的照度范围内有效地检测缺陷图案信息,实现亮环境下光伏电池板的连续性缺陷检测。 展开更多
关键词 光致发光 线阵ingaas相机 亮环境 缺陷检测
在线阅读 下载PDF
晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
5
作者 蒋卓宇 李娟 +2 位作者 孔祥力 代盼 孙强健 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期365-371,共7页
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起... 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) ingaas GAAS 晶圆键合 双结太阳电池
在线阅读 下载PDF
基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究
6
作者 李博 马淑芳 +9 位作者 阳智 程睿思 刘思敏 王嘉惠 郝晓东 尚林 仇伯仓 董海亮 韩丹 许并社 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页
InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可... InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可以高精度的控制材料的组分和厚度,从而优化光学性能。尽管InGaAs/GaAs MQWs在许多方面取得了进展,但在In组分较高的InGaAs量子阱中,由于晶格失配会导致位错产生,进而引发界面缺陷,影响材料的晶体质量和光学性能,所以通过MBE生长调控来提高晶体质量对改善光学性质极具意义。在MBE生长过程中,利用生长温度来优化生长动力学,进而调控原子在界面的迁移,尤其是In、Ga原子的迁移,对于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和晶体质量有着至关重要的作用。为了探究生长温度对MQWs晶体质量、界面质量和发光性能的影响,我们采用MBE方法分别在505和490℃下生长了两组InGaAs/GaAs MQWs样品,并使用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、光致发光(PL)进行了晶体质量和光学性能表征分析。HRXRD结果表明,由于高温下生长有利于提高Ⅲ族原子动力学和原子扩散长度,使得生长工艺中In和Ga原子的迁移增加,这有利于原子在外延层表面找到能量较低的位置形核;因此,在505℃生长的MQWs样品的缺陷密度为1.02×10^(5) cm^(-2),较小,缺陷少应力小,具有较好的晶体质量和界面质量。此外,光致发光性能测试分析结果表明,在505℃生长的MQWs样品发光强度高,发光均匀性良好,并进一步证明其晶体质量优于490℃生长的样品。说明了合适的生长温度有利于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和光学性能。该工艺参数对MBE制备MQWs材料具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 ingaas/GaAs多量子阱 MBE生长 高分辨率X射线衍射谱 光致发光谱
在线阅读 下载PDF
基于等离子体氢化的PIN型InGaAs探测器性能研究
7
作者 冯斌耀 乔辉 +4 位作者 于一榛 杨力怡 贺香荣 夏润泽 李雪 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期64-73,共10页
等离子氢化技术能够在室温条件下改善材料的性能,因而该方法在基于化合物半导体材料的红外探测器中具有重要的应用前景。短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器是一种重要的红外器件,具有室温高量子效率和高灵敏度的特点,因而能应用于广泛的领... 等离子氢化技术能够在室温条件下改善材料的性能,因而该方法在基于化合物半导体材料的红外探测器中具有重要的应用前景。短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器是一种重要的红外器件,具有室温高量子效率和高灵敏度的特点,因而能应用于广泛的领域。暗电流是短波红外InGaAs探测器的重要性能参数,降低各偏压下的暗电流能够提升器件在不同应用场景下的探测能力。针对等离子氢化技术在PIN型InGaAs探测器中的应用开展了研究,并分析其与暗电流机制及噪声特性的关系。通过I-V测试结果发现InGaAs探测器经氢化后暗电流显著降低,在-1 V的较大偏压下暗电流密度均值从36.13 nA/cm^(2)降低到17.42 nA/cm^(2),在-0.02 V的近零偏条件下暗电流密度均值从6.54 nA/cm^(2)降低到2.44 nA/cm^(2),不同偏压下暗电流密均降低了2~3倍。进一步开展暗电流机制分析,发现扩散电流、产生-复合电流和分路电流都得到不同程度的抑制,0~-0.27 V的偏压范围内氢化前后都以扩散电流占主导,在大偏压下分路电流在氢化后的占比略有增加。由于InGaAs少子寿命经过氢化从10.7μs增加6倍到75.2μs,同时零偏电阻增大了1.75倍,因而探测器的暗噪声降低了约40%。因此,采用室温等离子体氢化处理能够对PIN型InGaAs探测器的暗电流和噪声进行改善,对InGaAs探测器在更高灵敏度的应用场景下具有重要的技术参考价值。 展开更多
关键词 铟镓砷 氢化 暗电流 暗噪声
在线阅读 下载PDF
InP/InGaAsP/InGaAs场助近红外光电阴极理论建模和特性分析
8
作者 李想 邓伟婷 +3 位作者 邓文娟 彭新村 周书民 邹继军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期806-812,817,共8页
场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电... 场助光电阴极可以有效提高长波阈值处的外量子效率,在近红外波段中有着较为广泛的应用。设计了pn结型n-InP/p-InGaAsP/p-InGaAs场助光电阴极,通过电流连续性方程建立其电子发射模型,在该模型基础上调整各层参数进行仿真,获得电子发射电流并计算外量子效率。分析外加电压、外延层掺杂浓度及厚度、基极电极宽度、发射面宽度及发射层材料等因素对外量子效率的影响,最终确定外量子效率达到峰值时各层最佳参数。结果表明:n型InP接触层、P型In_(0.7955)Ga_(0.2045)As_(0.45)P发射层和p型In_(0.53)_Ga_(0.47)As吸收层的最佳掺杂浓度分别为1×10^(19)、2×10^(18)和4×10^(17)cm^(-3),厚度分别为0.2μm、50nm和3μm;综合考虑仿真结果和工艺制备条件,基极电极宽度最佳范围为1~2μm,发射面宽度最佳范围为5~8μm。外加6V电压时,1.65μm波长处外量子效率理想峰值为41%。 展开更多
关键词 光电阴极 场助 ingaasp 近红外 外量子效率
在线阅读 下载PDF
InGaAs-Si基光电探测器异质集成技术研究进展
9
作者 李宛励 周鑫 +5 位作者 孔繁林 陈庆敏 梁丕刚 舒域鑫 代千 宋海智 《激光技术》 北大核心 2025年第4期617-625,共9页
短波红外波段包含目标的多种光谱信息,具有良好的大气传输特性,是光电探测、激光通信等应用领域的重要波段之一。硅基光电子器件具有低功耗、高带宽等优势,但其光谱响应范围局限于可见光波段,难以直接进行短波红外波段的高响应度光电探... 短波红外波段包含目标的多种光谱信息,具有良好的大气传输特性,是光电探测、激光通信等应用领域的重要波段之一。硅基光电子器件具有低功耗、高带宽等优势,但其光谱响应范围局限于可见光波段,难以直接进行短波红外波段的高响应度光电探测,将具有较高短波红外波段吸收能力的铟镓砷(InGaAs)材料与硅(Si)材料进行光电集成、研制新型高灵敏度光电探测器件成为了当前研究的热点方向。光电集成技术作为超高速、低功耗、小型化的半导体光电器件核心技术,有力支撑了大数据、云计算、物联网等新一代信息技术实现跨越式发展。通过梳理光电集成技术的国内外研究发展历程、现状和趋势,聚焦于InGaAs-Si基光电探测器,分别对材料外延生长、倒装芯片集成、芯片/晶圆键合和其他新型光电集成技术进行讨论,分析了不同光电集成技术的特点、优势、不足及应用场景,并展望了未来光电集成技术的发展方向。 展开更多
关键词 集成光学 光电集成技术 异质异构集成 铟镓砷 硅基光电子 探测器
在线阅读 下载PDF
InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究 被引量：3
10
作者 黄绍艳 刘敏波 +6 位作者 郭晓强 肖志刚 盛江坤 王祖军 姚志斌 何宝平 唐本奇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1701-1705,共5页
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIE... 对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以InGaAsP多量子阱激光二极管为研究对象,开展了4、5和8 MeV质子辐照实验,获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明:实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与NIEL理论计算结果之间呈线性关系。 展开更多
关键词 ingaasp NIEL 位移损伤 等效性
在线阅读 下载PDF
低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 被引量：2
11
作者 石柱 代千 +5 位作者 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期272-278,共7页
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材... 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 ingaasp/INP 1.06μm 自由模式 暗计数率
在线阅读 下载PDF
高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器
12
作者 朱琴 范明国 +4 位作者 宋欣波 齐浩泽 方莉媛 管涛 龚晓霞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第7期826-830,共5页
针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优... 针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器件结构及钝化膜制备工艺,器件暗电流得到了有效的抑制;通过对倒装互联工艺参数进行优化,实现了高可靠性、高连通率的512×2元线列探测器的制备。室温下(25℃)对探测器组件进行测试,其峰值探测率为1.13×10^(12) cm×Hz^(1/2)/W,暗电流密度为12.8 nA/cm^(2),有效像元率≥99.5%,响应非均匀性低至0.63%。 展开更多
关键词 ingaas 钝化 暗电流 倒装互联
在线阅读 下载PDF
InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 被引量：5
13
作者 章蓓 王若鹏 +4 位作者 丁晓民 杨志坚 戴伦 崔晓明 王舒民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．
关键词 微盘激光器 半导体激光器 量子阱 异质结 铟镓磷
在线阅读 下载PDF
InGaAsP多量子阱微盘激光器 被引量：2
14
作者 宁永强 武胜利 +5 位作者 王立军 林久龄 刘云 傅德惠 刘育梅 金亿鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页
采用湿法化学腐蚀在气源ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．
关键词 微盘激光器 多量子阱 铟镓砷磷 单模激射特性
在线阅读 下载PDF
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4
15
作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页
用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。
关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 ingaasp/GAAS 阈值电流密度 斜率效率
在线阅读 下载PDF
1．3μmInGaAsP／InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验 被引量：1
16
作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期36-42,共7页
本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的... 本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 展开更多
关键词 超辐射 发光二极管 涂层 ingaasp/INP 输出特性
在线阅读 下载PDF
InGaAsP／InPPFBH激光器 被引量：1
17
作者 张静媛 王圩 +1 位作者 汪孝杰 田慧良 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第12期10-12,共3页
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向... 采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于１００℃。 展开更多
关键词 分布反馈 激光器 液相外延 磷化铟 ingaasp
在线阅读 下载PDF
液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论
18
作者 桑文斌 钱永彪 +5 位作者 闵嘉华 莫要武 陈培峰 王林军 吴汶海 陈高庭 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期893-897,共5页
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤... 本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺，同时探索了利用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，在研究基础上制造了重现性好且性能良好的１．３μｍ激光二极管，室温时，阈值电流最低小于２５ｍＡ，典型值为３０ｍＡ，在６０ｍＡ直流电流的驱动下，光输出功率高达１２．５ｍＷ。 展开更多
关键词 LPE 掩埋异质结 激光二极管 ingaasp 磷化铟
在线阅读 下载PDF
应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
19
作者 蔡纯 刘旭 +3 位作者 肖金标 丁东 张明德 孙小菡 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1837-1841,共5页
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(... 采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响· 展开更多
关键词 InP/ingaasp 偏振相关损耗 应力 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
在线阅读 下载PDF
1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布
20
作者 刘春光 白金昌 +1 位作者 刘益春 陈大伟 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1999年第1期42-45,共4页
采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第... 采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响． 展开更多
关键词 ingaasp 半导体激光器 DCC结构 远场分布
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 16 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部