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基于配体调控技术制备荧光发射可视化分离的CdSe纳米晶体
1
作者 李自娟 吕萱 +8 位作者 陈娇娇 赵海洋 孙朔 张志武 张健龙 马燕玲 李洁 冯子贤 刘佳辉 《无机化学学报》 北大核心 2025年第2期308-320,共13页
研究了不同油酸(OA)、油胺(OLA)配体添加量在制备CdSe纳米晶体中对量子点荧光特性的影响,深入分析了OA和OLA配体在CdSe纳米晶体生长过程中的作用机理。在采用逐层生长法制备CdSe纳米晶体时,研究了OA和OLA配体对晶体尺寸及尺寸分布的影响... 研究了不同油酸(OA)、油胺(OLA)配体添加量在制备CdSe纳米晶体中对量子点荧光特性的影响,深入分析了OA和OLA配体在CdSe纳米晶体生长过程中的作用机理。在采用逐层生长法制备CdSe纳米晶体时,研究了OA和OLA配体对晶体尺寸及尺寸分布的影响,并制备了尺寸分布良好的较大尺寸CdSe纳米晶体。采用多种方法对CdSe纳米晶体的光学性能、晶体结构、微观形貌及尺寸分布进行表征分析。结果表明,OA配体的添加会使CdSe纳米晶体发射峰红移,且添加量与发射峰红移波长呈正相关,发射峰可调范围为548.5~604.0 nm;OLA配体添加量较少时会使CdSe纳米晶体发射峰蓝移,但随着OLA配体添加量的增加发射峰逐渐红移,发射峰可调范围为548.0~584.4 nm;在逐层生长法中引入OA和OLA配体可有效改善由于多次逐层生长而产生的发射峰双峰现象。最终通过调整制备工艺,制备了荧光发射可视化分离的4种CdSe纳米晶体,其尺寸分布良好,具有较高的光致发光量子产率(PLQY),抗光漂白性能较好。 展开更多
关键词 cdse纳米晶体 配体调控 逐层生长法 油酸 油胺
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水热法制备VC/CdSe光催化剂及其产氢性能研究
2
作者 栗敏 宋佳焱 +3 位作者 杜海星 敬曼曼 张倩倩 张安超 《现代化工》 北大核心 2025年第11期203-209,共7页
通过水热法成功制备了碳化钒(VC)改性硒化镉(CdSe)光催化剂,采用XRD、FT-IR、XPS、SEM、DRS和BET等多种表征手段对光催化剂的物理化学性质进行分析,探究了其光催化产氢性能。结果表明,在氙灯照射下,以Na_(2)S/Na_(2)SO_(3)为牺牲剂,通... 通过水热法成功制备了碳化钒(VC)改性硒化镉(CdSe)光催化剂,采用XRD、FT-IR、XPS、SEM、DRS和BET等多种表征手段对光催化剂的物理化学性质进行分析,探究了其光催化产氢性能。结果表明,在氙灯照射下,以Na_(2)S/Na_(2)SO_(3)为牺牲剂,通过优化VC的负载量,VC/CdSe复合材料表现出优异的产氢性能;其中,VC-10/CdSe的产氢量高达38.71 mL/h,约为纯CdSe的52倍,说明VC与CdSe之间存在良好的协同作用,形成了异质结。 展开更多
关键词 光催化剂 VC/cdse 水热法 产氢
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水溶性的CdSe/CdS/ZnS量子点的合成及表征 被引量：15
3
作者 杨芳芳 于俊生 谢颖 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1142-1147,共6页
用L-半胱氨酸盐(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的双壳结构的CdSe/CdS/ZnS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱结果表明,双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒比单一的CdSe核纳米粒子和单核壳结构的CdSe/CdS纳米粒子具有更优异的发光特性。用透... 用L-半胱氨酸盐(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的双壳结构的CdSe/CdS/ZnS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱结果表明,双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒比单一的CdSe核纳米粒子和单核壳结构的CdSe/CdS纳米粒子具有更优异的发光特性。用透射电子显微镜(TEM)、ED、XRD、XPS和FTIR等方法对CdSe核和双壳层的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒的结构、分散性及形貌分别进行了表征。 展开更多
关键词 L-半胱氨酸 cdse cdse/CdS/ZnS 量子点
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柠檬酸稳定的水溶性CdSe和CdSe/CdS量子点的荧光特性 被引量：12
4
作者 邓大伟 于俊生 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期701-707,共7页
用柠檬酸(citrate)作为稳定剂合成了尺寸分布集中、荧光性质良好的水溶性CdSe量子点。通过调节合成温度可以调控CdSe量子点的尺寸及相应的最大荧光发射波长。当温度由20℃增加到95℃时,合成的CdSe量子点的平均尺寸由2.0nm增加到3.2nm,... 用柠檬酸(citrate)作为稳定剂合成了尺寸分布集中、荧光性质良好的水溶性CdSe量子点。通过调节合成温度可以调控CdSe量子点的尺寸及相应的最大荧光发射波长。当温度由20℃增加到95℃时,合成的CdSe量子点的平均尺寸由2.0nm增加到3.2nm,相应的荧光发射峰由500nm红移到570nm,展现出明显的量子尺寸效应。进一步制备了CdSe/CdS核壳量子点,其荧光量子产率比CdSe增加了5～10倍。系统地研究了S/Se物质的量的比对CdSe/CdS量子点荧光特性的影响,通过XPS证实了CdSe/CdS量子点中CdS壳层的存在。利用红外光谱和核磁共振波谱表征了柠檬酸分子中的羧基和羟基氧原子与CdSe量子点表面的Cd离子的配位作用,进而揭示了柠檬酸分子对水溶性CdSe量子点溶液的稳定作用。 展开更多
关键词 cdse cdse/CdS 半导体量子点 柠檬酸三钠
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以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 被引量：2
5
作者 范希武 单崇新 +4 位作者 羊亿 张吉英 申德振 吕有明 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期9-14,i001-i002,共8页
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效... 用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。 展开更多
关键词 cdse量子点 Zncdse量子点 ZnSeS量子点 量子点的形成
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不同晶型Cdse纳米棒的制备及光电性能研究 被引量：5
6
作者 郝彦忠 殷志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期413-417,共5页
采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极... 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE．CdSe／PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移． 展开更多
关键词 cdse纳米棒 光电化学 cdse/PMET复合膜电极
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用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减 被引量：2
7
作者 张立功 申德振 +2 位作者 王海宇 王希军 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期85-89,共5页
用飞秒泵浦－探测方法测量了ＺｎＣｄｓｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ垒层厚度为 １５ｎｍ，泵浦一探测结果得到上升沿时间为 ３６７±６０ｆｓ，下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ... 用飞秒泵浦－探测方法测量了ＺｎＣｄｓｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ垒层厚度为 １５ｎｍ，泵浦一探测结果得到上升沿时间为 ３６７±６０ｆｓ，下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ。获得ＺｎＣｄＳｅ量子阱中激子寿命约为１ｐｓ。 展开更多
关键词 Zncdse量子阱 cdse量子点 激子 泵浦-探测
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CdSe:Nd纳米晶及CdSe:Nd@SiO_2核壳结构的合成及发光性能 被引量：2
8
作者 杨峻宏 张高峰 +3 位作者 高俊芳 雍胜利 马学林 段军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1260-1267,共8页
利用有机相法合成Nd^(3+)掺杂CdSe纳米晶(CdSe:Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd^(3+)已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe:Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球... 利用有机相法合成Nd^(3+)掺杂CdSe纳米晶(CdSe:Nd),通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd^(3+)已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe:Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2~4 nm。紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe:Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd^(3+)引入了新的杂质能级,带隙减小。为了实现CdSe:Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO_2壳包覆的CdSe:Nd纳米球(CdSe:Nd@SiO_2纳米球),CdSe:Nd@SiO_2纳米球呈均匀球形,直径约为100~115 nm,并且包壳后的CdSe:Nd@SiO_2纳米球发射峰(581 nm)与CdSe:Nd纳米晶(598 nm)相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO_2壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的。 展开更多
关键词 cdse∶Nd纳米晶 掺杂 cdse∶Nd@SiO2纳米球 荧光性质 核壳
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水溶性的CdSe/ZnS纳米微粒的合成及表征 被引量：54
9
作者 谢颖 徐静娟 +1 位作者 于俊生 陈洪渊 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第6期663-667,共5页
用L鄄半胱氨酸(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS核壳结构的半导体纳米微粒。吸收光谱和荧光光谱表明,CdSe/ZnS纳米微粒比单一的CdSe纳米粒子具有更优异的发光特性。透射电子显微镜(TEM)、ED和XPS表征了CdSe/ZnS纳米微粒的结构、... 用L鄄半胱氨酸(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe/ZnS核壳结构的半导体纳米微粒。吸收光谱和荧光光谱表明,CdSe/ZnS纳米微粒比单一的CdSe纳米粒子具有更优异的发光特性。透射电子显微镜(TEM)、ED和XPS表征了CdSe/ZnS纳米微粒的结构、分散性及形貌。红外光谱证实半胱氨酸分子中的硫原子和氧原子参加了与纳米粒子表面的金属离子的配位作用。 展开更多
关键词 cdse ZNS 纳米微粒 合成方法 表征 光催化材料 发光材料
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水相制备CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点 被引量：3
10
作者 周蓓莹 王明辉 江莞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期389-394,共6页
因具有较宽的可调控发光范围,CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点受到了研究者们的普遍关注。采用水相回流法合成了CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点,并结合透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对... 因具有较宽的可调控发光范围,CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点受到了研究者们的普遍关注。采用水相回流法合成了CdSe量子点及其ZnS核壳结构量子点,并结合透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对样品进行表征。TEM结果表明,合成的量子点粒径分布较宽且结晶度较高;从XRD分析结果可以看出,CdSe量子点为闪锌矿结构,沿着晶面向外生长ZnS壳层后,谱峰向高角度偏移;从UV-Vis和PL分析结果可以看出,CdSe量子点于500 nm处出现吸收肩峰,于644 nm处出现半高宽较宽的缺陷发光峰;随着反应时间的延长,于577 nm处出现本征发光峰。包覆了ZnS壳层后,量子点不仅发光强度明显增大,而且稳定性显著提高。该合成方法节能环保、生产效率高,具有较大的应用空间。 展开更多
关键词 cdse量子点 cdse/ZnS量子点 核壳结构 水相制备 发光性能调控
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水溶性荧光CdSe量子点的合成及其在指纹显现中的应用 被引量：21
11
作者 石志霞 王元凤 +3 位作者 刘建军 杨瑞琴 左胜利 于迎春 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1186-1190,共5页
胶体半导体量子点是一类尺寸介于单个分子与体相材料之间的纳米晶,在基础研究和技术应用领域都受到人们极大的关注。其中CdSe量子点由于强的电子与空穴限域效应,使其具有粒径、形状与其光电性质间的强关联作用。这些优异的性质使其成为... 胶体半导体量子点是一类尺寸介于单个分子与体相材料之间的纳米晶,在基础研究和技术应用领域都受到人们极大的关注。其中CdSe量子点由于强的电子与空穴限域效应,使其具有粒径、形状与其光电性质间的强关联作用。这些优异的性质使其成为一种良好的可调谐光学发射体．可应用于生物标记领域。与传统的荧光探针分子相比，CdSe等IIBVIA族半导体荧光量子点具有激发光谱宽，发射光谱窄．颜色可调，即不同大小的纳米晶量子点能被单一波长的光激发而发出不同颜色的荧光．发光强度高．荧光寿命长，光稳定性好等优点， 展开更多
关键词 cdse量子点 水相合成 荧光 指纹显现
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红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征 被引量：16
12
作者 曾体贤 赵北君 +4 位作者 朱世富 何知宇 卢大洲 陈宝军 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期326-329,345,共5页
采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XR... 采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰。晶锭密度为5.74g/cm3,与理论计算值接近。退火处理后的晶片在1000～7000cm-1红外波段范围内透过率达到70%。采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件。 展开更多
关键词 cdse单晶 气相生长 VUVG法 性能表征
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高质量CdSe量子点的水相制备与表征 被引量：16
13
作者 王益林 杨昆 +3 位作者 潘华桥 刘声燕 许献美 周立亚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2604-2608,共5页
以巯基丁二酸为稳定剂,亚硒酸钠为硒源,制备了高质量水溶性CdSe量子点.研究了反应时间、镉与硒的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdSe量子点光谱性能的影响.分别用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和透射电子显微镜... 以巯基丁二酸为稳定剂,亚硒酸钠为硒源,制备了高质量水溶性CdSe量子点.研究了反应时间、镉与硒的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdSe量子点光谱性能的影响.分别用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和透射电子显微镜等对量子点进行表征.结果表明,采用这种方法制得的CdSe量子点为立方晶型,量子点的荧光发射峰在518～562 nm范围内连续可调,并且发射峰的半峰宽始终保持在35 nm左右,荧光量子产率可达21%. 展开更多
关键词 半导体纳米晶 光学性质 cdse量子点
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CdSe薄膜的制备及性能表征 被引量：17
14
作者 黄平 李婧 +3 位作者 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期60-65,共6页
室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光... 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。 展开更多
关键词 电化学沉积 cdse薄膜 禁带宽度 沉积电压
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油溶性CdSe量子点荧光探针直接检测农药水胺硫磷 被引量：10
15
作者 黄珊 马建强 +3 位作者 肖琦 董明月 李雪华 罗秋玲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2853-2857,共5页
基于农药水胺硫磷对油溶性CdSe量子点荧光猝灭的现象,建立了一种简单、快速、直接检测农药水胺硫磷的新方法。在最佳实验条件下,油溶性CdSe量子点的荧光猝灭程度与水胺硫磷浓度在2.30×10-7～1.09×10-5 mol·L-1范围内呈... 基于农药水胺硫磷对油溶性CdSe量子点荧光猝灭的现象,建立了一种简单、快速、直接检测农药水胺硫磷的新方法。在最佳实验条件下,油溶性CdSe量子点的荧光猝灭程度与水胺硫磷浓度在2.30×10-7～1.09×10-5 mol·L-1范围内呈较好的线性关系,相关系数为0.999 9,对水胺硫磷的检出限为1.1×10-7mol·L-1。本法已成功用于大米和小麦面粉样品中水胺硫磷农药残留的检测,加入回收率在93.3%～105.0%之间,结果满意。结合紫外-可见吸收光谱及时间分辨荧光光谱,探讨了水胺硫磷对油溶性CdSe量子点荧光猝灭的机理。研究结果表明,水胺硫磷能有效改变油溶性CdSe量子点的表面状态,增大了表面缺陷和非辐射重组的发生,从而使油溶性CdSe量子点的荧光猝灭。 展开更多
关键词 cdse量子点 荧光探针 水胺硫磷 荧光猝灭
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中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究 被引量：10
16
作者 吴海信 黄飞 +3 位作者 倪友保 王振友 陈林 程干超 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期711-715,共5页
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8～12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生... 红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8～12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3～20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。 展开更多
关键词 材料 cdse 温度梯度熔体区熔法 单晶生长 非线性
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CdSe单晶体的生长及其特性研究 被引量：9
17
作者 邵双运 金应荣 +4 位作者 朱世富 赵北君 宋芳 王学敏 朱兴华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期119-122,共4页
本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe... 本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe单晶 ,设备简单 ,易于操作 ,在提纯和生长过程中不需要转移原料 ,有利于减少晶体中的杂质含量 ,降低位错密度 ,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。 展开更多
关键词 cdse单晶体 多级提纯 气相生长 电阻率 特性
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CdSe晶片的红外透过率研究 被引量：9
18
作者 何知宇 赵北君 +5 位作者 朱世富 叶林森 钟雨航 王立苗 杨慧光 曾体贤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1211-1214,共4页
将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含... 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。 展开更多
关键词 探测器材料 cdse单晶体 红外光谱 吸收机制
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水溶性CdSe/CdS纳米晶合成条件的优化研究 被引量：9
19
作者 钟萍 俞英 +2 位作者 陈波 何少萍 赖艳 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期225-229,共5页
以巯基乙醇为修饰剂,在水溶液中合成了稳定的CdSe/CdS纳米晶,应用单因素法和多目标单纯形法探索合成条件。通过透射电镜观察所合成的纳米晶的形貌和大小,用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对其光学特性进行了表征。并且以L-色氨酸荧光量子... 以巯基乙醇为修饰剂,在水溶液中合成了稳定的CdSe/CdS纳米晶,应用单因素法和多目标单纯形法探索合成条件。通过透射电镜观察所合成的纳米晶的形貌和大小,用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对其光学特性进行了表征。并且以L-色氨酸荧光量子产率0.14为标准,测量了合成的CdSe/CdS纳米晶的荧光量子产率为0.37。 展开更多
关键词 cdse/CdS 纳米晶 巯基乙醇 量子点 优化 荧光量子产率
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CdSe／ZnS量子点敏化太阳能电池电子注入与光伏性能表征 被引量：8
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作者 郭旭东 马蓓蓓 +3 位作者 王立铎 高瑞 董豪鹏 邱勇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1240-1246,共7页
合成了CdSe/ZnS核壳结构量子点(QDs),将其作为光敏剂吸附在TiO2纳米晶薄膜上,组装成量子点敏化太阳能电池(QDSSCs),从电子注入速率和电池性能两方面对QDSSCs进行了表征.为了定量研究ZnS层包覆对电子注入的影响,运用飞秒瞬态光谱技术,测... 合成了CdSe/ZnS核壳结构量子点(QDs),将其作为光敏剂吸附在TiO2纳米晶薄膜上,组装成量子点敏化太阳能电池(QDSSCs),从电子注入速率和电池性能两方面对QDSSCs进行了表征.为了定量研究ZnS层包覆对电子注入的影响,运用飞秒瞬态光谱技术,测试了包覆ZnS前后,CdSe-TiO2体系的电子注入速率.实验测得ZnS包覆前后电子注入速率分别为7.14×1011和2.38×1011s-1,可以看出包覆后电子注入速率明显降低,仅为包覆前的1/3.电池器件J-V性能测试表明,ZnS作为绝缘层包覆在CdSe的表面有效提高了QDSSCs的填充因子和稳定性,但同时也导致了效率的降低.上述结果说明了电子注入速率的降低是导致电池电流和效率下降的重要原因,为今后优化核壳结构QDSSCs的电流和效率提供了依据. 展开更多
关键词 cdse ZnS量子点 ZnS包覆 量子点敏化太阳能电池 电子注入速率 飞秒瞬态吸收光谱
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