Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究

1

作者 赵昊 余博文 +6 位作者 李琪 李光清 刘医源 林娜 李阳 穆文祥 贾志泰 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期997-1004,共8页

宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对... 宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。 展开更多

关键词 宽禁带氧化物半导体 LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜 雾化学气相沉积法 n型导电 本征缺陷

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催化剂载体对CVD法制备碳纳米管的影响 被引量：4

2

作者 吕德义 徐铸德 +1 位作者 徐丽萍 葛忠华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期475-480,共6页

用DTA、TEM和XRD方法研究了碳氢化合物催化裂解制备碳纳米管(CNTs)反应中催化剂载体的影响。实验结果表明:当以金属Co作为活性组分时,对于催化剂Co/Al2O3,在最佳反应温度(650℃)条件下,碳纳米管粗产品的产率为457g/100g·cat,明显... 用DTA、TEM和XRD方法研究了碳氢化合物催化裂解制备碳纳米管(CNTs)反应中催化剂载体的影响。实验结果表明:当以金属Co作为活性组分时,对于催化剂Co/Al2O3,在最佳反应温度(650℃)条件下,碳纳米管粗产品的产率为457g/100g·cat,明显高于以Co/SiO2作载体时的产率131g/100g·cat,且碳纳米管直径小,直径分布范围窄(10nm～20nm)。但在空气气氛中的DTA结果表明,在催化剂Co/SiO2上生成的碳纳米管的抗氧化能力较在催化剂Co/Al2O3上生成的碳纳米管强。通过TEM和XRD方法进一步研究发现:反应过程中,催化剂Co/Al2O3中的Co微晶粒度随反应温度升高(从650℃到750℃)而增大(从15.8nm到16.7nm)的速率小于催化剂Co/SiO2中的Co微晶粒度随反应温度升高而增大(从11.0nm到13.4nm)的速率;相应地,在催化剂Co/Al2O3上生成的碳纳米管的(外)直径随反应温度升高而增大的速率(从10～20nm到20～25nm)亦小于在催化剂Co/SiO2上生成的碳纳米管的(外)直径随反应温度升高而增大的速率(从10～30nm到30～50nm)。 展开更多

关键词 碳纳米管 催化剂 载体 三氧化二铝 cvd 碳氢化合物 催化裂解 钴

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CVD法制备碳/高活性铝复合材料 被引量：4

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作者 吕英迪 郑晓东 +4 位作者 陈志强 李洪丽 唐望 石强 邱少君 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期104-106,共3页

采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核... 采用化学气相沉积技术(CVD),在乙炔气氛、500℃条件下制备了碳/高活性铝复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对复合材料的物相、形貌、组成进行了表征。结果表明,碳/高活性铝复合材料具有特殊的核壳结构及良好的耐水能力。 展开更多

关键词 材料科学 化学气相沉积技术 高活性铝 碳 高活性铝复合材料

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CVD一步法制备纳米碳管的研究 被引量：4

4

作者 应永飞 严新焕 +1 位作者 王文静 徐振元 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期242-245,共4页

CVD法是制备纳米碳管的重要方法。本文研究了以乙炔为原料气 ,无需预先还原催化剂 ,以一定的程序速率从 5 0 0℃升至 75 0℃一步法生长纳米碳管 ,直接制备出了管径在 8～ 12nm之间 ,石墨化程度好的纳米碳管。同时 ,对升温速率、原料气... CVD法是制备纳米碳管的重要方法。本文研究了以乙炔为原料气 ,无需预先还原催化剂 ,以一定的程序速率从 5 0 0℃升至 75 0℃一步法生长纳米碳管 ,直接制备出了管径在 8～ 12nm之间 ,石墨化程度好的纳米碳管。同时 ,对升温速率、原料气配比等因素进行了讨论 。 展开更多

关键词 一步法 制备 纳米碳管 化学气相沉积法 乙炔

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CVD金刚石涂层煤液化减压阀关键部件的制备 被引量：4

5

作者 王新昶 孙方宏 +2 位作者 沈彬 彭东辉 张志明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第6期20-24,共5页

煤液化减压阀的工作条件非常苛刻,对其阀座、阀芯等关键部件在高温、高压差、高固态浓度流体冲蚀条件下的抗冲蚀磨损性能及使用稳定性提出了极高的要求。CVD金刚石涂层具有接近天然金刚石的优异性能,非常适合用于煤液化减压阀关键部件... 煤液化减压阀的工作条件非常苛刻,对其阀座、阀芯等关键部件在高温、高压差、高固态浓度流体冲蚀条件下的抗冲蚀磨损性能及使用稳定性提出了极高的要求。CVD金刚石涂层具有接近天然金刚石的优异性能,非常适合用于煤液化减压阀关键部件的表面强化。采用热丝CVD法在硬质合金阀座及阀芯主要的受冲蚀表面沉积获得了金刚石涂层,为保证沉积过程中温度分布及制备获得的金刚石涂层厚度分布的均匀性,针对阀座和阀芯的不同结构,分别采用了直拉热丝穿孔和平行阶梯式排列两种不同的热丝排布方式。采用扫描电子显微镜(SEM)和Raman谱仪对沉积获得的金刚石涂层进行了性能表征,结果表明,在阀芯和阀座表面均沉积获得了一层连续、厚度均匀、颗粒度约为3～5μm、具有典型的金刚石特征的高质量金刚石涂层。将CVD金刚石涂层煤液化减压阀关键部件应用在实际煤液化工况条件下试运行,其使用寿命超过了1 200 h,比普通同类部件的使用寿命提高了3倍以上。 展开更多

关键词 热丝cvd法 金刚石涂层 煤液化 减压阀 抗冲蚀磨损性能 使用寿命

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用压痕试验法研究CVD金刚石膜的粘附性能 被引量：17

6

作者 匡同春 刘正义 +2 位作者 周克崧 代明江 王德政 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期83-90,共8页

在观察与分析压入过程中CVD金刚石膜开裂方式的基础上，初步探讨了用压痕试验法评定CVD金刚石膜粘附性能的可行性．采用反映膜／基粘附性能的临界开裂或剥落载荷Per和抗裂性参数dP／dX两指标评定了硬质合金基体表面经不同预处理方法和... 在观察与分析压入过程中CVD金刚石膜开裂方式的基础上，初步探讨了用压痕试验法评定CVD金刚石膜粘附性能的可行性．采用反映膜／基粘附性能的临界开裂或剥落载荷Per和抗裂性参数dP／dX两指标评定了硬质合金基体表面经不同预处理方法和沉积工艺参数合成的金刚石膜的粘附性能；研究了粘附性能指标与沉积工艺参数（如甲烷浓度、沉积气压、沉积功率）之间的关系．适当的表面预处理、适中的甲烷浓度、较低的沉积气压、较高的沉积功率均有利于改善金刚石膜的粘附性能． 展开更多

关键词 压痕试验法 cvd 粘附性能 金刚石薄膜

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载气在CVD法制备纳米碳管工艺中的作用 被引量：1

7

作者 冯猛 张羊换 +2 位作者 董小平 任江远 王新林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1435-1437,1441,共4页

纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一。本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极合金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和... 纳米碳管是性能优异的具有准一维特征的纳米材料,CVD法是制备纳米碳管的典型工艺之一。本文以乙炔气体为原料气体、循环失效后的贮氢电极合金材料作为反应催化剂,研究了在相同反应条件下,CVD法制备纳米碳管过程中载气对纳米碳管形貌和产率的影响。通过对产物TEM观察和TG分析发现,虽然载气不直接参与合成反应但对产物产率和形貌有很大的影响,氢气作为载气可以获得形貌和热稳定性更好的纳米碳管。 展开更多

关键词 纳米碳管 cvd法 载气 形貌 热稳定性

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金刚石薄膜的ECR CVD及分形现象研究 被引量：2

8

作者 张阳 杨新武 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期69-73,共5页

用ＥＣＲＣＶＤ（电子回旋共振化学气相沉积）方法沉积出了多晶金刚石薄膜，测量了薄膜的Ｒａｍａｎ散射谱、Ｘ射线衍射谱和ＳＥＭ。生长条件是：Ｖ（ＣＨ４）／Ｖ（Ｈ２）＝４％，气体总流量是１５０ｓｃｍ，反应压力是０．１Ｐａ，微... 用ＥＣＲＣＶＤ（电子回旋共振化学气相沉积）方法沉积出了多晶金刚石薄膜，测量了薄膜的Ｒａｍａｎ散射谱、Ｘ射线衍射谱和ＳＥＭ。生长条件是：Ｖ（ＣＨ４）／Ｖ（Ｈ２）＝４％，气体总流量是１５０ｓｃｍ，反应压力是０．１Ｐａ，微波功率是７００Ｗ，衬底偏压是－１５０Ｖ。发现了在金刚石薄膜沉积初期阶段的分形生长现象，用ＤＬＡ模型解释了其分形生长机制，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对其生长过程进行了计算机模拟，理论与实验结果相符。 展开更多

关键词 金刚石薄膜 ECR cvd法 分形 DLA模型

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碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能 被引量：2

9

作者 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期250-254,共5页

利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了... 利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析;FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482,806和1095cm-1)和1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438nm荧光峰. 展开更多

关键词 SiOx(x≤2)纳米线 碳辅助cvd方法 FTIR光谱 光致发光

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热铁盘法抛光CVD金刚石的微观表面研究 被引量：2

10

作者 马泳涛 张建立 +1 位作者 李钝 马胜钢 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第4期57-61,65,共6页

用原子力显微镜对热铁盘法抛光CVD金刚石达到R_a0.016μm的表面进行观察。在微观表面重现的基础上,对不同方向的表面粗糙度进行探测。发现抛光后的金刚石表面的粗糙度呈现出一定的方向性,最大粗糙度和最小粗糙度方向,两个方向相互垂直... 用原子力显微镜对热铁盘法抛光CVD金刚石达到R_a0.016μm的表面进行观察。在微观表面重现的基础上,对不同方向的表面粗糙度进行探测。发现抛光后的金刚石表面的粗糙度呈现出一定的方向性,最大粗糙度和最小粗糙度方向,两个方向相互垂直。三维形貌图显示,金刚石表面存在较少数量的由点到凸峰,且较大凸峰的高度在50～60 nm之间,是较小凸峰高度的2～3倍。影响表面粗糙度值的因素不仅有表面凸峰的高度,还应考虑表面凸峰的数量和方向性。这种表面特征与抛光时采用的直压式运动方式有着直接联系。 展开更多

关键词 热铁盘法 cvd金刚石 抛光 微观表面

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热丝CVD金刚石薄膜Auger电子能谱分析 被引量：1

11

作者 苏堤 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期54-58,共5页

利用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪，对热丝ＣＶＤ法生长出的金刚石膜样品进行了表面探测。结果表明热丝系统中钨、钼、石英等材料对金刚石膜的污染影响很小，以至探测不到；生长系统和生长工艺对金刚石膜的质量有较大影响。

关键词 气相沉积法 电子谱 表面分析 金刚石薄膜

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CVD金刚石磨损性能的研究 被引量：1

12

作者 高攀 吴超 +1 位作者 严垒 马志斌 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2014年第1期15-17,共3页

提出了一种直接评价CVD金刚石磨损性能的实验方法,比较研究了热丝CVD法、微波等离子体CVD法和直流电弧等离子体CVD法制备的金刚石的磨损性能。研究结果表明:影响CVD金刚石磨损性能的主要因素是非金刚石相的相对含量,金刚石的内应力和晶... 提出了一种直接评价CVD金刚石磨损性能的实验方法,比较研究了热丝CVD法、微波等离子体CVD法和直流电弧等离子体CVD法制备的金刚石的磨损性能。研究结果表明:影响CVD金刚石磨损性能的主要因素是非金刚石相的相对含量,金刚石的内应力和晶粒大小对磨损性能的影响较小。 展开更多

关键词 cvd金刚石 评价方法 磨损性能 拉曼光谱

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宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究 被引量：4

13

作者 马可 贺永宁 +1 位作者 张松昌 刘卫华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期863-867,876,共6页

以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线。利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响。用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性。研... 以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线。利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响。用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性。研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数。对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性。 展开更多

关键词 ZNO纳米线 cvd生长法 宽温区生长 光电导型紫外线探测器

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CVD-ZnS胞状生长现象抑制方法 被引量：3

14

作者 杨德雨 杨海 +5 位作者 李红卫 霍承松 魏乃光 黎建明 李冬旭 史晶晶 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期351-356,共6页

实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS),并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析,发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心,其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移,且生长速率大... 实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS),并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析,发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心,其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移,且生长速率大于正常晶粒,最终导致了产物表面的球状凸起,产物侧剖面表现出"倒圆锥"状生长形貌。同时,依据实验中所出现的不同胞状生长现象,探究了胞状物异常生长中心形成的主要原因。在此基础之上,设计了不同条件的沉积实验,探究了各类胞状生长现象的抑制方法,并在实际生产过程中得到了验证,从而实现了对该异常现象的有效抑制。 展开更多

关键词 cvd-ZnS 胞状生长 抑制方法 微观结构

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基于48对棒CVD还原炉出口的CFD模拟 被引量：1

15

作者 黄凯 黄河 +3 位作者 刘娜 黄雪莉 靳立军 马春梅 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期79-82,88,共5页

现役大型多晶硅还原炉由于内部流场和温度场不均匀,存在产品性能差的问题,因此提出在原料出口增设内接管来改善炉内流场和温度场的均匀性问题。利用SolidWorks建模软件建立48对棒多晶硅CVD还原炉模型,对其进行数值模拟得到不同硅棒生长... 现役大型多晶硅还原炉由于内部流场和温度场不均匀,存在产品性能差的问题,因此提出在原料出口增设内接管来改善炉内流场和温度场的均匀性问题。利用SolidWorks建模软件建立48对棒多晶硅CVD还原炉模型,对其进行数值模拟得到不同硅棒生长阶段下的尾气温度的模拟结果,拟合实际温度验证模型的准确性,进一步对模型网格进行网格无关性验证,验证模拟的准确性。通过对其流场和温度场的截面分析得出:在出口处设置高度为500 mm的上端封闭式内接管,有利于增加还原炉内部物料在炉内的停留时间和多晶硅的均匀沉积。因此在还原炉出口处安装内接管,有利于改善炉内物料停留时间以及流场和温度场的均匀分布,提高多晶硅沉积致密性和均匀性。 展开更多

关键词 改良西门子法 cvd还原炉 多晶硅 数值模拟 流场 温度场

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CVD法制备Sn掺杂MFI分子筛膜及其对乙醇/水体系的分离性能 被引量：1

16

作者 彭莉 吴政奇 +2 位作者 王兴 王博轩 顾学红 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期2710-2716,共7页

采用化学气相沉积(CVD)法对MFI分子筛膜进行Sn掺杂,制备了一种Sn-MFI分子筛膜,并研究了其渗透汽化分离乙醇/水体系的性能.XRD,29Si NMR,UV-Vis及分离实验结果表明,采用CVD法在将Sn引入MFI膜时,膜层结构基本得到保持,Sn可以进入分子筛骨... 采用化学气相沉积(CVD)法对MFI分子筛膜进行Sn掺杂,制备了一种Sn-MFI分子筛膜,并研究了其渗透汽化分离乙醇/水体系的性能.XRD,29Si NMR,UV-Vis及分离实验结果表明,采用CVD法在将Sn引入MFI膜时,膜层结构基本得到保持,Sn可以进入分子筛骨架,有效地减少了膜表面的硅羟基缺陷,提高了膜分离乙醇/水体系时的稳定性.在SnCl4用量为3 mL、修饰时间为1 h时,所得到的Sn-MFI分子筛膜的渗透汽化分离性能最佳,并可在60℃下分离5%(质量分数)乙醇/水混合物时保持良好的稳定性.在经过连续50 h渗透气化分离后,其渗透通量仅从1.52 kg·m−2·h−1下降至1.38 kg·m−2·h−1,分离因子从18下降至16. 展开更多

关键词 MFI分子筛膜 锡修饰 化学气相沉积法

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CVD法工业化生产纳米碳管的研究

17

作者 余雪里 徐向菊 +2 位作者 梁英 许雪笙 贾志杰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第S1期17-19,共3页

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h。TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度。同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间... 以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h。TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度。同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和原料气流量对纳米碳管的影响。 展开更多

关键词 纳米碳管 工业化 cvd法

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CVD法工业化生产纳米碳管的研究

18

作者 余雪里 徐向菊 +2 位作者 梁英 许雪笙 贾志杰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期14-16,共3页

以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h.TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度.同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和... 以乙炔为原料气,用工业化生产炉代替小型实验研究炉批量制备出了纳米碳管,产量为150g/h.TEM图和Raman光谱结果表明,纳米碳管管径均匀分布在20～30 nm间,具有很高的石墨化程度.同时,讨论了生产炉结构、工艺参数以及裂解温度、裂解时间和原料气流量对纳米碳管的影响. 展开更多

关键词 纳米碳管 工业化 cvd法

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CVD反应器内复杂流动现象的有限元模拟

19

作者 丛志先 金希卓 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1992年第1期29-33,共5页

本文建立了用于计算立式钟罩CVD反应器内对流扩散现象的流体动力学和热输运方程,并用Galerkin有限元法做了计算(计算过程中考虑了热浮力对流动的影响)。计算结果表明,在热基座上方存在着涡旋运动,彻底消除这种运动比较困难,但适当地增... 本文建立了用于计算立式钟罩CVD反应器内对流扩散现象的流体动力学和热输运方程,并用Galerkin有限元法做了计算(计算过程中考虑了热浮力对流动的影响)。计算结果表明,在热基座上方存在着涡旋运动,彻底消除这种运动比较困难,但适当地增加入流速度可使涡旋区远离基座表面,从而可消弱涡旋运动对薄膜生长均匀性的影响。 展开更多

关键词 质量输运 有限元法 反应器 cvd

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CVD金刚石膜高速机械研磨温度场的有限元模拟 被引量：1

20

作者 王新玲 周丽 +1 位作者 黄树涛 许立福 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第5期20-24,共5页

CVD金刚石膜的高速机械研磨是一种高效的研磨方法,研磨区域的温度场分布直接影响金刚石膜的研磨质量。本文采用三维热-力耦合有限元法对三种不同运动条件下的温度场进行分析。结果表明:在不同的运动条件下,金刚石膜表面的温度场呈不均... CVD金刚石膜的高速机械研磨是一种高效的研磨方法,研磨区域的温度场分布直接影响金刚石膜的研磨质量。本文采用三维热-力耦合有限元法对三种不同运动条件下的温度场进行分析。结果表明:在不同的运动条件下,金刚石膜表面的温度场呈不均匀分布。当金刚石膜与砂轮作同向运动时,整个金刚石膜的温度差最小。文中得出的结论可以为提高工件表面平整性提供理论基础。 展开更多

关键词 cvd金刚石膜 温度场 机械研磨 有限元法

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