摘要
随着分子束外延(MBE)和有机金属化学汽相淀积(MOCVD)技术的发展,出现了新型的半导体超晶格量子阱长波红外探测器。本文分别评述 AlGaAs/GaAs,InGaAs,InAsSbⅢ-Ⅴ族化合物新型半导体超晶格量子阱器件目前的研究进展状况,着重于器件的工作机理、结构形式、制作工艺以及目前达到的主要性能参数水平,特别是在长波红外响应波长、暗电流和探测率方面的进展,在长波红外焦平面阵列方面的应用状况和发展前景。
With the development of MBE and MOCVD technologies,the no- vel semiconductor superlattice multiquantum well LWIR detectors appear.This paper reviews the present development status of AlGaAs/GaAs,InGaAs,In- AsSbⅢ-Ⅴ compound novel semiconductor superlattice multiquantum well devi- ces,and puts emphassis on the device operation mechanism,structures,fabri- cation technologies,their parameters levels,the developments of LWIR respo- nse,dark current and detectivity,LWIR FPAs application and outlook.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期17-24,共8页
Semiconductor Optoelectronics
