ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试

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摘要以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。

作者刘大力李公羽杜国同张景林张源涛李万成

机构地区吉林大学集成光电子国家重点联合实验室吉林大学通信工程学院

出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期40-42,共3页 Acta Photonica Sinica

关键词 ZnS/ZnSe多量子阱光调制测试 Ap-MOCVD法超晶格硫化锌硒化锌 X射线衍射非线性光学半导体材料

参考文献7

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7申德振.博士学位论文.

光子学报

2002年第0Z2期

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