用于硅双漂移雪崩二极管的n^+/np多层外延材料被引量：5

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摘要硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低。

作者王向武赵仲镛陆春一孙景山

机构地区南京电子器件研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期218-222,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词雪崩二极管外延材料气相生长

同被引文献6

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稀有金属

1992年第3期

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