摘要
以前的技术单管存储单元,有时称为“二端”晶体管存储器单元,在技术上大家都是清楚的。例如,在IEEE Journal of Solid-State Circuits Vo1.SC-6,No.5,October,1971,pp.280-283就叙述过一个这样的单元。这种单元使用一个晶体管并在反偏的背靠背的PN结上存储电荷。这种单元工作时,为使“电荷消失”(电容放电所造成的状态),那么晶体管至少一个PN结必须工作在雪崩击穿方式。
出处
《微电子学与计算机》
1980年第Z1期88-92,共5页
Microelectronics & Computer
