摘要
我国科学家在最新一期美国《科学》(Science)杂志上发表报告表示,已开发出一种新型相变材料,有望将电子产品的存储速度提高约70倍。相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM),这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料,
出处
《保密科学技术》
2017年第11期67-67,共1页
Secrecy Science and Technology
