摘要
采用横向变掺杂(Varied Lateral Doping,VLD)终端设计,通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端,并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系,最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压,且最大表面电场强度为1.65×105 V/cm,有效提高了终端的可靠性;与传统功率器件的制造工艺兼容,同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。
A varied lateral doping （VLD） method was adopted for terminal design of VDMOS. With the help of Fick’s second law, a linearly varied P well doping curve verge was achieved and applied in VLD design. The connection between linearly doping curve as well as breakdown voltage was discussed. The termination structure of 900 V VDMOS was made by VLD. By simulation, a breakdown-voltage of 947 V is achieved with 140 μm length termination structure, meanwhile, the device’s surface max electric-field intensity achieves 1.65×10^5 V/cm. The termination reliability is increased. The process technology is simple, without additional masks and steps.
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2015年第2期43-46,共4页
Electronic Components And Materials
基金
国家自然科学基金资助(No.61271090)
国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目资助(No.2012AA012305)
关键词
功率器件
终端
掺杂曲线
耐压
可靠性
VLD
power device
termination
VLD
doping curve
breakdown voltage
reliability
作者简介
通讯作者：冯全源,冯全源（1963-），男，江西景德镇人，教授，博士，主要从事功率半导体、集成电路设计，E-mail：fengquanyuan@163．com
吴克滂（1989-），男，陕西汉中人，研究生，主要从事大功率器件的研究与设计，E-mali：wu．kepang@gmail．com
高晓蓉（1969-），女，四川成都人，教授，博士，主要从事传感器、电气化铁路检测的科研和教学工作，E-mail：gxn-@263．net。
