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美国开发出用于探测集成电路缺陷的新技术

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摘要美国圣地亚国家实验室最近开发出了一种能从器件正反面探测集成电路缺陷的光束故障分析技术。这种热致电压变化(TIVA)/塞贝克效应成像(SEI)技术能迅速发现集成电路中的故障,其速度比以前的任何一种分析技术都要快。这种新的分析技术的工作原理是。

作者高国龙

出处《红外》 CAS 2002年第7期7-7,共1页 Infrared

关键词美国集成电路缺陷探测分析技术工作原理

分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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红外

2002年第7期

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