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应力补偿技术在InAs/GaAs量子点中的研究现状 被引量:1

Status of Strain Compensation Technique in InAs/GaAs Quantum Dots
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摘要 通过在多层量子点体系中引入应变补偿层,改变量子点系统的应力场分布,可以控制生长过程中量子点的大小均匀性和密度,最终获得高质量、高密度的多层量子点体系,应用到量子点光电器件中,可改善器件的电学和光学性能。介绍了应变补偿层在量子点体系中作用的原理,常用的应变补偿材料体系,以及目前国内外对应变补偿技术的研究状况,最后提出了现存的问题和今后的发展方向。 The introduction of strain compensation layers in multi-stacked QDs can change the stress field of QDs, and then control the size uniformity and density through the growth process, finally obtain high-quality, high density QD systems. Applied these systems to QD optodectronic devices and device can improve performance. The principle how strain compensation layers work, commonly used strain compensation materials, as well as the research status over the world are presented, and finally the existing problems and future development are put forward.
出处 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期126-129,共4页 Materials Reports
基金 云南省重点基金(2009CC012) 云南省中青年学术技术带头人后备人才(2008PY054) 长江学者和创新团队发展计划
关键词 INAS量子点 应变补偿技术 太阳电池 InAs quantum dot, strain compensation technique, solar cell
作者简介 赵沛坤:女,1988年生,硕士,研究方向为量子点太阳电池E-mail:234299722@qq.com 涂洁磊:女,1972年生,博士,教授,主要从事光伏科学与工程方面研究E-mail:km-tjl@263.net
  • 相关文献

参考文献21

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共引文献7

同被引文献154

引证文献1

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