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介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进——垫高电压
被引量：
6
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摘要
本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面小到10^(-1)_8cm^2的电子陷阱,且为介质膜的雪崩空穴注入提供了准确、便利和有效的技术手段。
作者
杨劲
陈蒲生
机构地区
机电部广州电器科学研究所
华南理工大学应用物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期49-52,共4页
Semiconductor Technology
基金
国家自然科学基金
关键词
介质膜
电荷陷阱
注入
垫高电压
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1991年 第4期
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