摘要
对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。
Dozens of types of typical devices and circuits applied to satellites are investigated on their radiation effects and annealing behaviors under different dose-rate irradiation. The experimental results show that the failure modes are different with different types of devices. The typical failure modes are as follows： a） only Enhanced Low Dose Rate Sensitivity（ELDRS） is exhibited; b） both ELDRS and Time Dependent Effect（TDE） are found in some devices; c） just shows TDE; and d） no distinctness in the degradation appears with different dose rates. The mechanisms of ELDRS which is shown in bipolar devices and operational amplifiers with JFET input-stages are discussed in detail.
出处
《信息与电子工程》
2012年第4期484-489,共6页
information and electronic engineering
作者简介
陆妩(1962-),女,浙江省淳安县人,研究员,博士生导师,长期从事微电子器件和模拟电路的辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究工作,先后主持并承担了该领域国家863、国家自然科学基金等研究项目二十余项。曾获得中国科学院科技进步一等奖等奖励4项,在国内外核心期刊上发表论文120余篇,2009年度获新疆维吾尔自治区直属机关“巾帼建功标兵”称号.email:luwu@ms.xjb.ac.cn;任迪远(1950-),男,研究员,博士生导师。长期从事半导体辐射物理领域的研究工作,先后主持或承担了国家自然科学基金、国家863、航天科技预先研究等二十余项科研课题。曾获国家科技进步三等奖1项,中科院科技进步一等奖等奖励8项,在国内外学术刊物上发表论文150余篇。多次获自治区优秀专家称号,享受国务院颁发的政府特殊津贴。
