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二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究 被引量:13

Disproportion Reaction of Silica in Vacuum Metallurgy of Aluminum
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摘要 本文引入"物质吉布斯自由能函数法"讨论在低价氟化法制备铝过程中,二氧化硅在不同压力和温度下生成低价氧化硅及其分解的热力学条件并进行了实验验证。研究得出:在100kPa时,二氧化硅与还原剂碳反应在1937K以上才能生成低价氧化硅;而当系统残余压力在100Pa~10Pa内时,在1463K~1352K以上即可以生成低价氧化硅;体系压力在100Pa~10Pa范围内,即低价氧化硅歧化分解温度在1535K~1415K间进行。实验结论:采用真空碳热还原铝土矿实验,在系统压力为150Pa,反应温度为1450℃时,得到含硅为4.87%的金属铝,铝纯度达到95.13%。实验验证了理论研究的正确性,为生产工艺的研究提供了热力学理论依据和实验基础。 The thermodynamic formation and disproportion reaction of sub silicon-oxide, in aluminum vacuum extraction with subfluride, was analytically studied by "Substance Gibbs' Free Energy Functional Determinant" scheme. The resuits show that the pressure significantly affects the formation temperature of the sub silicon-oxide. For instance, at 100kPa, the formation temperature is 1937 K; and at a pressure interval of 100Pa to 10Pa, the temperature ranges from 1463K to 1352K. At 150Pa and at 1450℃ ,95.13% pure aluminum with 4.87% silica impurity can be obtained in vacuum extraction of aluminum with subfluride. The calculated results were found to agree very well with the experimental ones.
出处 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期35-37,共3页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
基金 国家973计划前期研究专项(No.2007CB616908)资助
关键词 真空冶金 歧化 二氧化硅 Vacuum metallurgy, Disproportion, Silicon-dioxide, Silicon
作者简介 联系人:Tel:(0871)5161583
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