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改进的CMOS电荷灵敏前放噪声优化设计方法 被引量:2

A modified design method of noise optimization for CMOS charge sensitive preamplifier
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摘要 CMOS专用集成电荷灵敏前放的噪声性能对于辐射探测非常关键。提出了一种改进的CMOS电荷灵敏前放低噪声设计方法,通过实例计算得到的噪声结果比现有方法都有不同程度的提高。 Noise of CMOS charge sensitive preamplifier ASIC is a critical factor for radiation detection. A modified low noise design method of CMOS charge sensitive preamplifier was proposed in this paper. It is shown in a design example that the noise performance optimized by this method is more or less better than other methods currently used.
出处 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期801-804,共4页 Nuclear Electronics & Detection Technology
关键词 电荷灵敏前置放大器 CMOS专用集成电路 低噪声设计 charge sensitive preamplifier CMOS ASIC low noise design
作者简介 邓智(1977-),男,湖南益阳人,清华大学工程物理系博士生,从事核电子学设计
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Barret H H.Charge transport in arrays of semiconductor gamma-ray detectors[J].Phys Rev Lett 1995,75(1):156.
  • 2Chang ZY,et al..Low-noise wide-band amplifiers in Bipolar and CMOS technologies[M].Boston/ Dordrecht/London:Kluwer Academic Publishers,1991.
  • 3P O'Connor,Geronimo G De.Prospects for charge sensitive amplifiers in scaled CMOS[J].Nucl Instrum Methods,2002,A480:713.

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献6

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