摘要
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm；其电学参数：正向电压3．47V、正向电流350mA。对相关工艺进行了简要讨论。
The technologies of serf-aligning and flip-chip are adopted to develop GaN based high-power blue light emission diode （1mm×1mm）. The optical parameters are followed： output power 143.19 mW,luminous flux 8.8615 lm, luminous efficiency 7.29 lm/W, peak wavelength 462 nm, full width at half maximum 24 nm. The electrical parameters are： forward voltage 3.47V, forward current 350 mA. The related techniques are also introduced briefly.
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006年第8期41-43,共3页
Laser & Optoelectronics Progress
基金
国家973计划(20000683-02)
北京市教委项目(2002kj018)
北京工业大学博士启动基金(kz0204200387)
北京市科委重点项目(D0404003040221)资助课题。
关键词
大功率发光二极管
自对准
倒装
high-power light emission diode
serf-aligning
flip-chip
作者简介
邹德恕（1940-），男，北京工业大学，研究员，长期从事微电子及光电子研究工作。
联系人：E-mail：gx182@mails．bjut．edu．cn
