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O_2+HCl气氛中CZSi的IG处理

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摘要高纯氧加少量HCl气氛中进行CZSi的IG处理,对抑制硅片表面热氧化层错和钝化Na^+等有良好效果,而对洁净区的形成与厚度影响不大。

作者张维连

机构地区河北工学院

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期53-54,49,共3页 Semiconductor Technology

关键词 O+HCl C2Si IG处理集成电路

分类号 TN405.3 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体技术

1990年第3期

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