TEOS-O_3常压CVD膜形成中的醇类添加效果
出处
《微电子技术》
1994年第4期44-49,共6页
Microelectronic Technology
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1吉村正树,黎铭.TEOS-O_3常压CVD膜形成技术[J].微电子技术,1994,22(4):23-28. 被引量：1
-
2前田和夫,益国.TEOS-O_3常压CVD膜形成中的GeO_2添加效果[J].微电子技术,1994,22(4):50-58.
-
3松浦正纯,林出吉生,陈学珍.TEOS-O_3系常压CVD技术[J].微电子技术,1994,22(4):16-22.
-
4反田哲史,益群.TEOS减压CVD膜形成中的加水效果[J].微电子技术,1994,22(4):74-80.
-
5水野晋介,松川.TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果[J].微电子技术,1994,22(4):65-73.
-
6佐藤淳一,舜添义.H_2O-TEOS等离子CVD膜形成中添加NH_3的效果[J].微电子技术,1994,22(4):59-64.
-
7达小丽,沈光地,徐晨,邹德恕,朱彦旭,张剑铭.高光提取效率的倒装GaN基LED的研究[J].中国科学（F辑:信息科学）,2009,39(9):1021-1026.
-
8施一生,周荣秋,赵特秀,刘洪图,王晓平.Pd/W/Si(111)双层膜形成硅化物的XRD研究[J].半导体技术,1993,9(5):45-48.
-
9孙祥珲,杨多荣.Nuendo 3的典型应用[J].音响技术,2008(11):49-53.
-
10蒙冕武,邓希敏,刘明登.射频溅射Sn薄膜的工艺研究[J].传感器技术,1999,18(1):7-9. 被引量：1
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