TEOS减压CVD膜形成中的加水效果
出处
《微电子技术》
1994年第4期74-80,共7页
Microelectronic Technology
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1水野晋介,松川.TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果[J].微电子技术,1994,22(4):65-73.
-
2前田和夫,益国.TEOS-O_3常压CVD膜形成中的GeO_2添加效果[J].微电子技术,1994,22(4):50-58.
-
3佐藤淳一,舜添义.H_2O-TEOS等离子CVD膜形成中添加NH_3的效果[J].微电子技术,1994,22(4):59-64.
-
4达小丽,沈光地,徐晨,邹德恕,朱彦旭,张剑铭.高光提取效率的倒装GaN基LED的研究[J].中国科学(F辑:信息科学),2009,39(9):1021-1026.
-
5吉村正树,黎铭.TEOS-O_3常压CVD膜形成技术[J].微电子技术,1994,22(4):23-28. 被引量:1
-
6池田浩一,长风.TEOS-O_3常压CVD膜形成中的醇类添加效果[J].微电子技术,1994,22(4):44-49.
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7蜡烛加水就能给手机充电:关键是还能涮麻辣烫[J].读写算(科技知识动漫),2016,0(5):4-4.
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8施一生,周荣秋,赵特秀,刘洪图,王晓平.Pd/W/Si(111)双层膜形成硅化物的XRD研究[J].半导体技术,1993,9(5):45-48.
-
9蒙冕武,邓希敏,刘明登.射频溅射Sn薄膜的工艺研究[J].传感器技术,1999,18(1):7-9. 被引量:1
-
10蔡积庆(译).印制电子用纳米油墨开发现状和课题[J].印制电路信息,2013(1):42-47. 被引量:1
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