同被引文献6
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4李炳宗.微电子技术和应用,1997,(4):6-7.
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二级引证文献11
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2任瑛,张贵锋,董闯,姜辛.等离子体浸没式离子注入沉积技术及应用[J].真空科学与技术学报,2009,29(3):255-263. 被引量：13
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3戴传玮,顾昌鑫,孙琦,单莉英.磁控溅射薄膜生长全过程的计算机模拟研究[J].真空科学与技术学报,2009,29(6):586-592. 被引量：12
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4白传易,孙琦,顾昌鑫,单莉英.矩形离子阱质量分析过程的数值模拟[J].真空科学与技术学报,2010,30(6):571-576. 被引量：2
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5汪志健,田修波,王蓬,巩春志,杨士勤,Ricky Fu.凹模内腔等离子体离子注入数值仿真—(Ⅰ)脉冲宽度效应[J].真空科学与技术学报,2010,30(6):593-598. 被引量：4
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6巩春志,田修波,朱宗涛,杨士勤.脉冲射频/40kV高压直接耦合等离子体离子注入电源系统研制[J].真空科学与技术学报,2011,31(3):357-361.
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8王蓬,田修波,汪志健,巩春志,杨士勤.长方体三维工件的高度变化对等离子体离子注入动力学影响研究[J].真空科学与技术学报,2011,31(5):526-531. 被引量：4
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9裴宪军,巩春志,汪志健,田修波,杨士勤.等离子体离子注入PIC仿真的MATLAB实现[J].真空科学与技术学报,2012,32(6):487-492. 被引量：3
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10朱宗涛,巩春志,汪志健,田修波,杨士勤,Ricky Fu.一种新型复合加速离子注入动力学研究[J].真空科学与技术学报,2012,32(6):493-498.
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9普民.氮等离子体浸没离子植入对硅的电影响[J].等离子体应用技术快报,1998(10):19-21.
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10王家楫,唐凌.深亚微米ULSI工艺检测技术——扫描探针显微镜[J].微纳电子技术,2002,39(2):38-42. 被引量：1
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