InGaAs红外探测器低频噪声研究被引量：1

Study on low frequency noise of InGaAs infrared detectors

在线阅读下载PDF

导出

摘要红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

作者黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅

机构地区传感技术国家重点实验室

出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3397-3399,共3页 Journal of Functional Materials

关键词红外探测器低频噪声空间遥感

分类号 TN21.06 [电子电信—物理电子学]

作者简介黄杨程(1977-),男,广东佛山人,在读博士,2002年于湖南大学获工学硕士学位,现在中国科学院上海技术物理研究所光传感器国家重点实验室,从事红外传感器的研究.(E-mail:huangyangcheng@sohu.com) 通讯作者

引文网络
相关文献

参考文献4

1刘家洲,陈意桥,税琼,南矿军,李爱珍,张永刚.高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制[J].功能材料与器件学报,2002,8(1):45-48. 被引量：7
2[4]Hooge F N.[J].Phys.Lett.A,1969,29:139.
3[5]Van Der Ziel A. [J]. IEEE Transactions On Electron Devices,1985, 32: 1802.
4[6]He L, Lin Y, Van Rheenen A.D., et al. [J]. J. Appl. Phys,1990, 68: 5200.

二级参考文献2

1张永刚,程宗权,蒋惠英.SMA同轴封装高速光电探测器[J].半导体光电,1995,16(1):68-72. 被引量：3
2张永刚,李爱珍.快响应光电探测器的瞬态特性测量[J].半导体光电,1997,18(2):82-88. 被引量：1

共引文献6

1杨集,冯士维,王承栋,张跃宗,李瑛,孙静莹.InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究[J].半导体技术,2006,31(8):594-597. 被引量：3
2杨集,冯士维,李瑛,吕长志,谢雪松,张小玲.InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究[J].光电工程,2006,33(12):141-144. 被引量：3
3唐恒敬,吕衍秋,张可锋,吴小利,韩冰,徐勤飞,刘洪洋,李雪,龚海梅.空间遥感用InGaAs短波红外探测器[J].激光与光电子学进展,2007,44(5):42-49. 被引量：12
4谢生,陈松岩,陈朝,毛陆虹.SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用[J].功能材料,2008,39(9):1519-1521. 被引量：1
5赵媛媛,武传龙,高鹏飞.一种InP/InGaAs PIN光电探测器芯片的设计与制作[J].电子质量,2022(7):44-47. 被引量：3
6黄杨程.空间遥感用InGaAs短波红外探测器[J].红外,2004(3):10-18. 被引量：10

同被引文献8

1黄杨程,刘大福,梁晋穗,龚海梅.短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究[J].物理学报,2005,54(5):2261-2266. 被引量：11
2Olsen G H, Joshi A M, Ban V S, et al. Multiplexed 256 element InGaAs detector arrays for 0. 8-1. 7 μm room-temperture operation[J].Proc. SPIE, 1988, 972 : 279-285.
3Kozlowski L J, Tennant W E, Zandlan M, et al. SWIR staring FPA performance at room temperature [J].Proc. SPIE, 1996, 2746: 93-100.
4Olsen G, Joshi A, Lange M, et al. A 128 × 128 InGaAs detector array for 1.0-1.7 microns[J]. Proc. SHE, 1990, 1341: 432-437.
5Moy J P, Hugon X, Chabbal J, et al. 3 000 InGaAs photodiode multiplexed linear array for the spot 4 SWIR channel[J]. Proc. SPIE, 1989, 1107: 137-151.
6Tacano M, Kanayama T, Sugiyama Y. 1/f noise in quarter-micron filaments of GaAs and InP made by focused ion-beam implantation [ J ]. Solid-State Electron. , 1991, 34: 193-196.
7Ren L, Leys M R. 1/f noise at room temperature in n-type GaAs grown by molecular beam epitaxy[J]. Physica B, 1991, 172:319-323.
8Joshi A M, Oslen G H, Ban V S, et al. Reduction of 1/f noise in multiplexes linear InGaAs detector arrays via epitaxial doping[J].IEEE Trans. on Electron Devices, 1993, 40: 303-307.

引证文献1

1吕衍秋,孟庆端,张向锋,张亮,孟超,龚海梅,孙维国.两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究[J].半导体光电,2009,30(3):339-342.

1黄杨程,曹光明,刘大福,龚海梅.InGaAs红外探测器的γ辐照研究[J].功能材料与器件学报,2005,11(1):68-70. 被引量：4
2顾聚兴.大直径InGaAs红外探测器[J].红外,1995(3):7-7.
3毛友德,刘声雷.氢化非晶硅在器件表面钝化工艺上的应用[J].微电子学与计算机,1993,10(7):43-47.
4吕衍秋,孟庆端,张向锋,张亮,孟超,龚海梅,孙维国.两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究[J].半导体光电,2009,30(3):339-342.
5李永富,唐恒敬,张可峰,李淘,宁锦华,李雪,龚海梅.平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究[J].激光与红外,2009,39(6):612-617. 被引量：5
6谢俊领,程伟,王元,常龙,牛斌,陈堂胜.SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响[J].固体电子学研究与进展,2016,36(5):424-428. 被引量：1
7李永富,唐恒敬,李淘,朱耀明,李雪,龚海梅.平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究[J].光电子．激光,2009,20(12):1580-1583. 被引量：2
8龚红,梁蓓.聚酰亚胺表面钝化工艺[J].贵州大学学报（自然科学版）,2007,24(1):90-93. 被引量：5
9吴小利,张可锋,唐恒敬,李雪,龚海梅.平面型铟镓砷红外探测器八元线列的制备与性能分析[J].红外与激光工程,2008,37(3):436-439.
10李淘,汪洋,李永富,唐恒敬,李雪,龚海梅.台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究[J].光电子．激光,2010,21(4):500-503. 被引量：3

功能材料

2004年第z1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

InGaAs红外探测器低频噪声研究被引量：1

参考文献4

二级参考文献2

共引文献6

同被引文献8

引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

InGaAs红外探测器低频噪声研究 被引量：1

参考文献4

二级参考文献2

共引文献6

同被引文献8

引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

InGaAs红外探测器低频噪声研究被引量：1