摘要
研究了掺杂Nb2O5或La2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能.结果表明:掺入0.5%(摩尔比)Nb或La后Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的居里温度向低温方向明显移动,而且介电常数显著增大,室温介电常数达30000,峰值介电常数达35000左右,同时介电损耗也明显增加.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期1320-1321,1326,共3页
Journal of Functional Materials
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB613304)
作者简介
杭联茂(1973-),男,陕西西安人,博士,主要从事铁电陶瓷与器件的研究. (E-mail:hanglm1507@sina.com),Tel: 029-82668679 通讯作者