管式PECVD制备掺杂非晶硅薄膜性能研究及TOPCon电池制备

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摘要描述了管式等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的各项沉积参数对硅太阳能电池重掺杂硅基钝化接触(SiOx/Poly-Si(n+))的影响。通过改变沉积压力、硅烷氩气流量比例,在250Pa压力,硅烷氩气流量比1:4的条件下获得无爆膜,隐含开路电压(iVoc)达到738mV以上,单面饱和电流密度J0低至4.5A/cm2的隧穿钝化结构。基于隧穿钝化结构最优沉积条件,研究了不同退火温度对接触电阻率和单面饱和电流密度的影响,在920℃退火条件制备出电池效率25.16%的TOPCon电池。

作者李兵周小荣李明黄嘉斌邓新新赵增超

机构地区湖南红太阳光电科技有限公司

出处《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》 2023年第6期107-112,共6页

关键词 PECVD TOPCon 太阳能电池掺杂多晶硅

分类号 TM7 [电气工程—电力系统及自动化]

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