摘要
近年来,新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2),IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式,是绝缘栅双极型晶体管。与以前的各种电力电子器件相比,IGBT具有以下特点:(1)高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;(2)高速开关特性,导通状态低损耗。
出处
《汽车维修与保养》
2020年第9期73-76,共4页
For Repair & Maintenance
作者简介
刘春晖,本刊编委会委员,高级工程师/副教授,现任山东华宇工学院汽车工程学院汽车服务工程教研室主任,有多年的一线汽车电气系统、电子控制系统维修工作经验。现从事汽车类专业学生专业课的教学工作。在各级汽车维修类杂志上公开发表论文30篇,出版汽车维修类图书23部。
