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全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用
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作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 周丹 罗毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以... 传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以生长含磷材料的难题,与气源(GS)MBB和有机金属气相外延(MOCVD)相比,在成本和安全性方面具有优势,成为极具发展潜力的新一代外延生长技术。利用全固源MBE技术可生长高性能半导体光电子材料,尤其是InGaAsP系材料,其器件性能达到或超过了MOCVD、GSMBE生长的同类器件的最佳水平。 展开更多
关键词 分子束外延 全固源 半导体 光电子器件 铟镓砷
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硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究 被引量:3
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作者 毛容伟 成步文 +5 位作者 李传波 左玉华 滕学公 罗丽萍 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1783-1787,共5页
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
关键词 共振腔增强型探测器 介质键合 INGAAS 可调谐 高频响应
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微波光子集成及前沿展望(特邀) 被引量:9
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作者 李明 郝腾飞 +5 位作者 潘时龙 邹喜华 恽斌峰 邹卫文 李伟 闫连山 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第7期25-38,共14页
微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、... 微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、成本等方面仍有待提升,因此集成化是微波光子技术发展的必然趋势。文中探讨了微波光子集成技术面临的主要科学与技术问题,总结了该技术的发展现状和前沿研究进展,并对其未来发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 微波光子学 集成微波光子学 光电子学 光电集成 光子集成电路
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同谱段异频点高稳定四路集成激光器模块 被引量:1
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作者 谭俊 穆春元 +5 位作者 王跃辉 于海洋 赵泽平 陈伟 刘建国 祝宁华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期30-38,共9页
面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,... 面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,从而有效降低了伺服系统对激光器线宽的影响.将该方法应用到模块控制中,为了给它提供更加精确的温度反馈值,在硬件方面采用温度被动反馈放大电路,消除了电流分量引起的误差,实验测得温度漂移低于0.001℃,电流抖动低于0.6μA.采用外腔半导体激光器,集成为模块后四路激光器洛伦兹线宽在4.5~7.5kHz之间,阿伦方差均小于4×10^(-9).将该激光器模块应用到空间光通信中,测试了四种调制格式下的误码率,并演示验证了4×50Gb/s16QAM超高速空间相干光通信,结果表明该模块在空间光通信中具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 四路集成模块 反馈控制 自由空间光通信 半导体激光器 温度漂移 电流抖动 洛伦兹线宽 阿伦方差 16QAM
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新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展(特邀) 被引量:1
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作者 郑军 刘香全 +4 位作者 李明明 刘智 左玉华 薛春来 成步文 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期215-224,共10页
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组... 硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组分增加,锗锡光电探测器往高响应度和长探测截止波长方向发展;锗锡激光器的研究则集中在降低激射阈值、提高激射温度和电泵浦方面。本文还对锗铅材料和光电器件的研究进展进行简要介绍和展望。随着硅基高效光源和探测器研究的不断深入,IV族合金材料在硅基红外光电集成领域将继续展现重要的应用价值。 展开更多
关键词 硅基光电子 锗锡 锗铅 探测器 激光器
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采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关(英文) 被引量:1
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作者 余金中 魏红振 +2 位作者 严清峰 夏金松 张小峰 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-6,共6页
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼... 在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs. 展开更多
关键词 绝缘体 半导体 制备 多模干涉 光耦合器 光开关 集成光学 SOI技术
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多波段线性调频傅里叶域锁模光电振荡器 被引量:1
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作者 郝腾飞 石暖暖 +2 位作者 李伟 祝宁华 李明 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期640-646,共7页
提出了一种基于傅里叶域锁模光电振荡器(Fourier domain mode-locked optoelectronic oscillator, FDML OEO)的多波段可重构线性调频信号产生方案.在该方案中,由扫频多波长激光器、相位调制器和光陷波滤波器等构成FDML OEO的核心单元—... 提出了一种基于傅里叶域锁模光电振荡器(Fourier domain mode-locked optoelectronic oscillator, FDML OEO)的多波段可重构线性调频信号产生方案.在该方案中,由扫频多波长激光器、相位调制器和光陷波滤波器等构成FDML OEO的核心单元——快速扫频的多通带微波光子滤波器.将扫频多通带微波光子滤波器的扫频周期和FDML OEO的环腔延时同步,可实现傅里叶域锁模,从而在FDML OEO腔内自激振荡产生多波段线性调频微波信号.与传统的基于高速基带线性调频微波源的微波光子多波段线性调频信号产生方案相比,该方案结构简单,成本低,不需要借助外部的高速基带线性调频微波源.此外,FDML OEO所产生的多波段线性调频信号的带宽和中心频率均宽带可调.该新型多波段线性调频微波信号源在先进多波段雷达、多业务泛在接入无线通信等系统中具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 光电振荡器 傅里叶域锁模 线性调频微波波形 雷达 微波光子学
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单片集成式主振荡功率放大器研究进展 被引量:1
8
作者 谭满清 游道明 +1 位作者 郭文涛 刘维华 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期61-75,共15页
单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集... 单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集成式MOPA的主流结构,包括锥形、脊型、布拉格光栅型和三段式MOPA,以各自的工作原理和性能特征为出发点,介绍其主要的研究方向,并结合它们各自面临的问题介绍最新的发展趋势。针对单片集成式MOPA中普遍存在的高功率下光束质量退化的问题,梳理了近年在外延层结构、腔面光学薄膜和电极设置等方面的优化设计,重点总结了单片集成式MOPA在提高光束质量及高功率、容线宽及高亮度方面的重要进展。围绕不同领域的应用需求,整理了具备高功率、窄线宽、高光束质量和高亮度等性能特征的单片集成式MOPA的研究进展,最后展望了单片集成式MOPA的发展趋势。 展开更多
关键词 主振荡功率放大器 单片集成结构 半导体激光器 半导体光放大器 优化设计
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同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究 被引量:1
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作者 熊兵 王健 +1 位作者 孙长征 罗毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期19-22,共4页
对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良... 对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约8GHz的小信号调制带宽. 展开更多
关键词 同一外延层 DFB激光器 EA调制器 高速集成光源.
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宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
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作者 归强 裴为华 陈弘达 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期62-64,共3页
报道了一种在0.6~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 报道了一种在0.6~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性的探测器。封装后光电探测器在0.6~1.0μm波段的响应度大于0.2A/W,其中,在1.0μm~1.65μm波段的响应度超过0.8A/W,5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化试验,探测器的寿命可以超过105h,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。 展开更多
关键词 INGAAS/INP 宽光谱响应 高响应度 光电探测器 探测器阵列
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用于Si基RCE光电探测器SOR衬底的研制
11
作者 李成 杨沁清 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期365-368,共4页
随着波分复用技术的发展,共振腔增强(RCE)探测器由于具有波长选择特性和高和量子效率得到重视和发展。本文报道了采用智能剥离和溶胶-凝胶方法研制出一种可用于Si基RCE光电探测器SOR衬底。得到表面是单晶Si膜且具有高反向率的Si基... 随着波分复用技术的发展,共振腔增强(RCE)探测器由于具有波长选择特性和高和量子效率得到重视和发展。本文报道了采用智能剥离和溶胶-凝胶方法研制出一种可用于Si基RCE光电探测器SOR衬底。得到表面是单晶Si膜且具有高反向率的Si基片。设计和模拟了基于该衬底的SiGeRCE光电探测器,结果表明该结构可以大幅度提高Si基探测器的量子效率。 展开更多
关键词 共振腔光电探测器 计算机模拟 溶胶-凝胶方法 硅基 SOR衬底 锗化硅 量子效率
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大动态范围外延电阻淬灭型硅光电倍增器 被引量:8
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作者 刘红敏 龙金燕 +4 位作者 代雷 张鑫淦 梁琨 杨茹 韩德俊 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期535-541,共7页
外延电阻淬灭型硅光电倍增器(EQR SiPM)的特点是利用硅衬底外延层来制作器件淬灭电阻。为了进一步提高大动态范围EQR SiPM的光子探测效率,并且解决填充因子较低和增益较小等问题,在前期研究工作的基础上研制出微单元尺寸分别为15μm和7... 外延电阻淬灭型硅光电倍增器(EQR SiPM)的特点是利用硅衬底外延层来制作器件淬灭电阻。为了进一步提高大动态范围EQR SiPM的光子探测效率,并且解决填充因子较低和增益较小等问题,在前期研究工作的基础上研制出微单元尺寸分别为15μm和7μm的EQR SiPM,有源区面积均是1 mm×1 mm。通过改变EQR SiPM的微单元尺寸优化填充因子,有效提高了探测效率与增益;其微单元密度分别是4400个/mm 2和23200个/mm 2,依然保持着较大的动态范围。室温条件下(20℃),工作在5 V过偏压的EQR SiPM至少可分辨13个光电子;15μm和7μm EQR SiPM的增益分别为5.1×105和1.1×105,在400 nm波长下的峰值光探测效率分别达到40%和34%。 展开更多
关键词 硅光电倍增器 外延淬灭电阻 单光子 高探测效率 高增益 大动态范围
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SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真 被引量:3
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作者 廖雅香 张均营 +3 位作者 余凯 薛春来 李传波 成步文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期86-89,共4页
通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采... 通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、Si Ge材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06μm波长下,Si Ge探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。 展开更多
关键词 单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析
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基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成(英文) 被引量:3
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作者 袁配 王玥 +2 位作者 吴远大 安俊明 祝连庆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第8期230-236,共7页
波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200GHz的阵列波导光栅复用... 波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7dB,串扰小于-22dB。电吸收型VOA在20dB的衰减量下的功耗为572mW(106mA,5.4V)。此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0~5V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5ns和48ns。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 可调光衰减器 硅基光子学 绝缘体上硅
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植入式光电极器件发展 被引量:3
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作者 李亚民 王阳 +3 位作者 陈弘达 王毅军 刘媛媛 裴为华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第12期12-23,共12页
光遗传技术为神经科学研究提供了一种可精准、快速控制单个神经元活动的手段。为了对神经元实现光遗传调控,将光安全、高效地导入脑内,需要专门的光电极(Optrode)给予支持。光电极是光遗传工具应用的重要组成部分,其功能是把光导入脑内... 光遗传技术为神经科学研究提供了一种可精准、快速控制单个神经元活动的手段。为了对神经元实现光遗传调控,将光安全、高效地导入脑内,需要专门的光电极(Optrode)给予支持。光电极是光遗传工具应用的重要组成部分,其功能是把光导入脑内调控神经元活动,同时记录神经元电信号在光调控下变化情况的一种植入式神经接口器件。随着光遗传技术在神经环路、认知与记忆等神经科学研究中应用的深入,以及其在癫痫、感官功能损伤等疾病治疗方面的探索,与光遗传技术相配合的光电极从材料选择、器件结构、给光方式和集成工艺等方面都呈现出百花齐放的发展态势,本文将按照现有植入式光电极的结构特点,将光电极器件分成基于波导型和基于微发光二极管型两大类,论述不同类别光电极器件优缺点及演进方向,对未来植入式光电极的理想结构形态及亟待解决的问题进行了讨论和展望。 展开更多
关键词 光遗传 光电极 动作电位 光波导 微发光二极管
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一种基于光学集成芯片的紧凑型结构光产生系统
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作者 王辰 俞育德 +1 位作者 李芳 李智勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期273-278,共6页
过去的几十年中,结构光照明在三维立体成像和计算机视觉有着重要的应用。然而,传统结构光产生系统结构复杂、体积庞大,这严重限制了它的潜在应用价值。提出了一种用于产生结构光的紧凑型的光电集成芯片,这种芯片基于绝缘体上的硅(SOI)... 过去的几十年中,结构光照明在三维立体成像和计算机视觉有着重要的应用。然而,传统结构光产生系统结构复杂、体积庞大,这严重限制了它的潜在应用价值。提出了一种用于产生结构光的紧凑型的光电集成芯片,这种芯片基于绝缘体上的硅(SOI)材料。该方法具有结构简单、输出稳定、设计灵活等优势。不同于传统的结构光发生系统,该方法中,光束的强度及相位调制以及光束间的相互干涉都是由片上系统操控的。这有效避免了外界扰动对光斑质量的影响,同时提升了系统的便携性。实现了全片上调控的红外结构光产生系统。该结构光芯片大小仅为0.5×0.5 mm,可以产生约200×200μm的结构光照明区域。芯片照明区域的大小和结构光的单元结构周期与光栅的结构设计和光源波长相关。此外,通过设计合理地设计芯片上的元件布局,我们可以得到多种不同结构的照明图样。 展开更多
关键词 集成光学 结构光 片上 光栅
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基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器 被引量:17
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作者 李帅 吴远大 +4 位作者 尹小杰 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1143-1148,共6页
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽... 采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比为22.1dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4℃~60℃温度范围内实现了4.8nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰. 展开更多
关键词 绝缘硅 微环谐振 热光效应 滤波器 串扰
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基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源 被引量:11
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作者 罗毅 徐建明 +3 位作者 黄缙 孙长征 熊兵 蔡鹏飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期200-204,共5页
直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温... 直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。 展开更多
关键词 直接调制 外调制 DFB激光器 EA调制器 同一外延层结构 单片集成
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抑制光纤检波器系统光强波动影响的解调方法 被引量:14
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作者 王凯 田长栋 +4 位作者 施清平 王利威 段发阶 张敏 廖延彪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第6期1593-1600,共8页
基于海上油藏勘探领域的光纤检波器光电复合空分阵列系统,通过两路PGC干涉检波信号相除以构造非线性函数,提出了一种采用查找表实现该非线性函数解调的新方法。相比传统的两路PGC干涉检波信号线性组合的反正切解调方法,构造非线性函数... 基于海上油藏勘探领域的光纤检波器光电复合空分阵列系统,通过两路PGC干涉检波信号相除以构造非线性函数,提出了一种采用查找表实现该非线性函数解调的新方法。相比传统的两路PGC干涉检波信号线性组合的反正切解调方法,构造非线性函数解调新方案不仅可以补偿生成载波时直接调制DFB光源带来的高频光强波动干扰,也可以抑制其他因素造成的光强随机波动给采用定常系统参数解调带来的影响。实验结果表明:内调制DFB激光器,采用非线性函数解调方案比线性组合方案在谐波抑制方面优势明显,两者HSR平均值相差达26.37 dB;当系统光强降低50%,非线性函数解调方案的结果 HSR平均值优于线性组合方案得到的结果,两者相差达17.53 dB。 展开更多
关键词 光纤检波器 相位生成载波 光强波动 伴生调幅 非线性函数 查找表
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一种基于半导体照明的无线通信系统 被引量:10
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作者 朱琳 刘博 +3 位作者 杨宇 陈雄斌 裴为华 陈弘达 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期863-867,共5页
利用15W大功率白光发光二极管(LED)作为通信光源,研制出一种基于半导体照明的无线通信演示系统,该系统具有可用带宽高、保密性好、无电磁辐射等优点,可以在进行室内照明的同时实现文本、图像和声音等数据的传送。该系统采用开关键控(OOK... 利用15W大功率白光发光二极管(LED)作为通信光源,研制出一种基于半导体照明的无线通信演示系统,该系统具有可用带宽高、保密性好、无电磁辐射等优点,可以在进行室内照明的同时实现文本、图像和声音等数据的传送。该系统采用开关键控(OOK)调制方式,在波特率为115.2kbps时支持最远为3.2m的通信距离,接收信号的误码率<10^(-6)。 展开更多
关键词 无线通信 RS-232 开关键控(OOK) 射频(RF) 半导体照明
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