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全固源分子束外延技术及其在光电子器件制作中的应用
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作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 周丹 罗毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页
传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以... 传统分子束外延(MBE)技术是不能生长含磷化合物的,原因在于通常情况下磷会带来很高的饱和蒸气压,使得生长难于控制。近几年来兴起的全固源MBE技术结合了裂解技术、阀门机制、“三温度区”结构及原位产生白磷的思想,它解决了传统MBE难以生长含磷材料的难题,与气源(GS)MBB和有机金属气相外延(MOCVD)相比,在成本和安全性方面具有优势,成为极具发展潜力的新一代外延生长技术。利用全固源MBE技术可生长高性能半导体光电子材料,尤其是InGaAsP系材料,其器件性能达到或超过了MOCVD、GSMBE生长的同类器件的最佳水平。 展开更多
关键词 分子束外延 全固源 半导体 光电子器件 铟镓砷
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钙钛矿薄单晶光电探测器的进展与展望
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作者 马尧 赵欣 +2 位作者 陈红旭 魏薇 沈亮 《物理化学学报》 北大核心 2025年第4期1-21,共21页
金属卤化物钙钛矿材料在光电探测领域具有突出的应用前景,但是多晶薄膜材料的晶界和缺陷问题,以及体单晶材料较厚的载流子传输距离限制了其性能。通过调控纵向尺寸制备的钙钛矿薄单晶材料理论上更适合光电探测,成为新型探测器领域的研... 金属卤化物钙钛矿材料在光电探测领域具有突出的应用前景,但是多晶薄膜材料的晶界和缺陷问题,以及体单晶材料较厚的载流子传输距离限制了其性能。通过调控纵向尺寸制备的钙钛矿薄单晶材料理论上更适合光电探测,成为新型探测器领域的研究热点。本文介绍了钙钛矿单晶生长的结晶思路和薄单晶的制备工艺,回顾了钙钛矿薄单晶光电探测器领域的代表性工作,最后讨论了目前面临的问题和未来可能的发展方向。 展开更多
关键词 钙钛矿 光电探测器 薄单晶 光电材料
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基于模板剥离法制备高性能钙钛矿单晶薄膜光电探测器
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作者 单东明 张瀚文 +2 位作者 张庆文 张虎 丁然 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期195-203,共9页
近年来,杂化钙钛矿半导体材料由于其带隙可调、吸收系数高、载流子迁移率高、成本低廉等诸多优点,在光电器件领域备受青睐,如太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等。其中,钙钛矿单晶薄膜因其无晶界、杂质和缺陷含量低等特点,展现出... 近年来,杂化钙钛矿半导体材料由于其带隙可调、吸收系数高、载流子迁移率高、成本低廉等诸多优点,在光电器件领域备受青睐,如太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等。其中,钙钛矿单晶薄膜因其无晶界、杂质和缺陷含量低等特点,展现出更为优异的光学、电学特性,成为制备高性能光电器件的理想材料体系。然而,钙钛矿单晶薄膜常采用空间限域法直接生长在空穴传输层上,不可避免地将导致界面缺陷和载流子层间输运等问题,严重制约了钙钛矿单晶薄膜光电探测器的性能。为此,本文通过引入模板剥离法工艺技术,在钙钛矿单晶薄膜两侧分别蒸镀功能层材料,制备了结构为Cu/BCP/C_(60)/MAPbBr_(3)/MoO_(3)/Ag的钙钛矿单晶薄膜光电探测器。基于模板剥离法,两侧蒸镀的功能层与钙钛矿单晶薄膜接触紧密,将有效改善载流子的注入和传输;同时,优化的器件结构以及考虑能带匹配等因素可实现高灵敏、响应快速的钙钛矿单晶薄膜光电探测器。改进后器件的开关比高达3.1×10^(3),响应度可达7.15 A/W,探测率为5.39×10^(12)Jones,外量子效率达到1794%。该工作为进一步改善和提升钙钛矿单晶薄膜光电探测器的探测性能提供了一种可行性技术方案。 展开更多
关键词 杂化钙钛矿半导体材料 钙钛矿单晶薄膜 模板剥离法 光电探测器
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袖珍式红外瓦斯检测仪的设计与实验 被引量:12
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作者 于鑫 高宗丽 +3 位作者 宋楠 刘洋 郑传涛 王一丁(指导) 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期52-57,共6页
在满足气体检测要求的前提下,为了能够使气体检测仪器的小型化以及低功耗,设计了袖珍式红外瓦斯检测仪.以集光源、光路、红外探测器于一体的红外传感模块为核心,修正了传统的气体吸收理论,采用差分式气体吸收技术设计出一种具有低成本... 在满足气体检测要求的前提下,为了能够使气体检测仪器的小型化以及低功耗,设计了袖珍式红外瓦斯检测仪.以集光源、光路、红外探测器于一体的红外传感模块为核心,修正了传统的气体吸收理论,采用差分式气体吸收技术设计出一种具有低成本、低功耗、低检测下限、高信噪比的袖珍式非线性甲烷检测仪.集成后的仪器采用干电池单电源供电,工作时总电流在150mA以内、总功耗小于0.9 W,检测仪的电路增益为43.3dB.实验中进行了单、双通道气体检测实验,采用新配气方法在甲烷爆炸限内进行双通道气体检测实验,得到低检测下限和高灵敏度测试实验,最低检测下限都能够达50ppm.与传统的壁挂式检测仪器相比,该仪器以手持式的形式完全可以满足检测有害气体的需求. 展开更多
关键词 光电检测 红外探测器 气体吸收 甲烷 袖珍式 非线性系统 单电源 电路
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利用电子传输层掺杂改善有机发光器件的效率 被引量:12
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作者 杨惠山 程加力 +2 位作者 赵毅 侯晶莹 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1364-1366,共3页
利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率器件的最大电流效率在外加电压9V时达到4.1cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相... 利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率器件的最大电流效率在外加电压9V时达到4.1cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相比效率提高了2倍多同时也减少空穴到达阴极。 展开更多
关键词 有机电致发光 掺杂 效率
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纳秒激光复合离子束刻蚀技术的CVD金刚石抛光研究
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作者 冯昱森 赵智炎 +3 位作者 于颜豪 徐颖 徐地华 李爱武 《激光杂志》 北大核心 2025年第1期214-221,共8页
高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光... 高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光复合离子束刻蚀技术抛光CVD金刚石,开展了多晶CVD金刚石激光抛光实验研究,针对激光功率和扫描速度两种激光参数研究其对CVD金刚石烧蚀深度和表面粗糙度的影响,在此基础上对激光抛光后的CVD金刚石进行离子束蚀刻抛光,研究了离子束抛光下的金刚石表面粗糙度变化,并对离子束抛光后的金刚石表面成分进行分析。通过所述方法实现了CVD金刚石样品表面粗糙度从6.687μm降到0.804μm的优异的抛光效果。此研究提供了一种旨在红外窗口、微型铣床和航天航空等领域具有应用价值的金刚石抛光方法。 展开更多
关键词 激光光学 纳秒激光抛光 离子束抛光 CVD金刚石 粗糙度
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用于食醋品质预评价的电子鼻研究 被引量:7
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作者 张厚博 梅笑冬 +2 位作者 赵万 王彪 卢革宇 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第3期62-64,共3页
设计了面向食用醋品质预评价的电子鼻系统,它包括:由5种TGS系列和1种MQ系列半导体氧化物气体传感器构建的传感器阵列、以LPC2138微处理器为核心的采集电路等硬件部分。通过USB接口将所采集的数据上传至计算机,利用上位机LabVIEW软件进... 设计了面向食用醋品质预评价的电子鼻系统,它包括:由5种TGS系列和1种MQ系列半导体氧化物气体传感器构建的传感器阵列、以LPC2138微处理器为核心的采集电路等硬件部分。通过USB接口将所采集的数据上传至计算机,利用上位机LabVIEW软件进行数据采集的实时显示,并利用主成分分析(PCA)法和线性判别式分析(LDA)法对数据进行分析。使用该设计的电子鼻对生活中常见的5种食醋进行测量,并对食醋种类、配料关系进行了分析。结果表明,电子鼻技术在食醋品质预评价中是可行的。 展开更多
关键词 食醋 电子鼻 LABVIEW 主成分分析 线性判别式分析
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微波光子集成及前沿展望(特邀) 被引量:9
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作者 李明 郝腾飞 +5 位作者 潘时龙 邹喜华 恽斌峰 邹卫文 李伟 闫连山 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第7期25-38,共14页
微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、... 微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、成本等方面仍有待提升,因此集成化是微波光子技术发展的必然趋势。文中探讨了微波光子集成技术面临的主要科学与技术问题,总结了该技术的发展现状和前沿研究进展,并对其未来发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 微波光子学 集成微波光子学 光电子学 光电集成 光子集成电路
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硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究 被引量:3
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作者 毛容伟 成步文 +5 位作者 李传波 左玉华 滕学公 罗丽萍 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1783-1787,共5页
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
关键词 共振腔增强型探测器 介质键合 INGAAS 可调谐 高频响应
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同谱段异频点高稳定四路集成激光器模块 被引量:1
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作者 谭俊 穆春元 +5 位作者 王跃辉 于海洋 赵泽平 陈伟 刘建国 祝宁华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期30-38,共9页
面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,... 面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,从而有效降低了伺服系统对激光器线宽的影响.将该方法应用到模块控制中,为了给它提供更加精确的温度反馈值,在硬件方面采用温度被动反馈放大电路,消除了电流分量引起的误差,实验测得温度漂移低于0.001℃,电流抖动低于0.6μA.采用外腔半导体激光器,集成为模块后四路激光器洛伦兹线宽在4.5~7.5kHz之间,阿伦方差均小于4×10^(-9).将该激光器模块应用到空间光通信中,测试了四种调制格式下的误码率,并演示验证了4×50Gb/s16QAM超高速空间相干光通信,结果表明该模块在空间光通信中具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 四路集成模块 反馈控制 自由空间光通信 半导体激光器 温度漂移 电流抖动 洛伦兹线宽 阿伦方差 16QAM
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一种利用双发光区的有机红光电致发光器件 被引量:1
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作者 侯晶莹 姜文龙 +2 位作者 赵毅 高强 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期407-413,共7页
针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降 ,同时色度逐渐变差的特点 ,我们引入了在NPB层和Alq3 层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压 8~ 2 0V内发光效率只下... 针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降 ,同时色度逐渐变差的特点 ,我们引入了在NPB层和Alq3 层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压 8~ 2 0V内发光效率只下降了 4 % ;而色度从 8V时的 (x =0 .6 2 87,y =0 .36 6 3)变化到 2 0V时的 (x =0 .6 0 75 ,y =0 .384 1) ;器件的发光亮度从 8V时的 178cd/m2 变化到 2 0V时的 5 96 2cd/m2 ,具有较好的性能水平。观察到器件效率基本上不依赖于外加电压的变化而变化的特性 ,同时器件也保持一个比较好的色纯度 。 展开更多
关键词 有机电致发光 发光效率 色度 双发光层掺杂
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新型硅基IV族合金材料生长及光电器件研究进展(特邀) 被引量:1
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作者 郑军 刘香全 +4 位作者 李明明 刘智 左玉华 薛春来 成步文 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期215-224,共10页
硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组... 硅基IV族锗锡和锗铅合金材料带隙随组分可调,并可转变成直接带隙半导体材料,是研制硅基红外探测和发光器件的理想材料。本文首先介绍锗锡和锗铅材料外延生长工作,然后对锗锡光电器件的研究进展进行回顾和讨论。其中,随着锗锡合金中锡组分增加,锗锡光电探测器往高响应度和长探测截止波长方向发展;锗锡激光器的研究则集中在降低激射阈值、提高激射温度和电泵浦方面。本文还对锗铅材料和光电器件的研究进展进行简要介绍和展望。随着硅基高效光源和探测器研究的不断深入,IV族合金材料在硅基红外光电集成领域将继续展现重要的应用价值。 展开更多
关键词 硅基光电子 锗锡 锗铅 探测器 激光器
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采用绝缘体上的半导体技术制备集成的多模干涉型光耦合器和光开关(英文) 被引量:1
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作者 余金中 魏红振 +2 位作者 严清峰 夏金松 张小峰 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2003年第1期1-6,共6页
在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼... 在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs. 展开更多
关键词 绝缘体 半导体 制备 多模干涉 光耦合器 光开关 集成光学 SOI技术
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多波段线性调频傅里叶域锁模光电振荡器 被引量:1
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作者 郝腾飞 石暖暖 +2 位作者 李伟 祝宁华 李明 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期640-646,共7页
提出了一种基于傅里叶域锁模光电振荡器(Fourier domain mode-locked optoelectronic oscillator, FDML OEO)的多波段可重构线性调频信号产生方案.在该方案中,由扫频多波长激光器、相位调制器和光陷波滤波器等构成FDML OEO的核心单元—... 提出了一种基于傅里叶域锁模光电振荡器(Fourier domain mode-locked optoelectronic oscillator, FDML OEO)的多波段可重构线性调频信号产生方案.在该方案中,由扫频多波长激光器、相位调制器和光陷波滤波器等构成FDML OEO的核心单元——快速扫频的多通带微波光子滤波器.将扫频多通带微波光子滤波器的扫频周期和FDML OEO的环腔延时同步,可实现傅里叶域锁模,从而在FDML OEO腔内自激振荡产生多波段线性调频微波信号.与传统的基于高速基带线性调频微波源的微波光子多波段线性调频信号产生方案相比,该方案结构简单,成本低,不需要借助外部的高速基带线性调频微波源.此外,FDML OEO所产生的多波段线性调频信号的带宽和中心频率均宽带可调.该新型多波段线性调频微波信号源在先进多波段雷达、多业务泛在接入无线通信等系统中具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 光电振荡器 傅里叶域锁模 线性调频微波波形 雷达 微波光子学
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金纳米棒自组装柔性膜的制备及比率型表面增强拉曼散射细菌传感器
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作者 田璐璐 胡松涛 +2 位作者 屈栩州 王林 董彪 《应用化学》 北大核心 2025年第2期182-191,共10页
细菌是引发感染的关键因素,定量检测对临床监测和治疗指导至关重要。通过二液相成膜法,将金纳米棒(Gold nanorods,Au NRs)自组装成致密的金属薄膜,并成功转移到超薄热塑性聚氨酯表面,形成了均匀且稳定的柔性表面增强拉曼散射(Surface-en... 细菌是引发感染的关键因素,定量检测对临床监测和治疗指导至关重要。通过二液相成膜法,将金纳米棒(Gold nanorods,Au NRs)自组装成致密的金属薄膜,并成功转移到超薄热塑性聚氨酯表面,形成了均匀且稳定的柔性表面增强拉曼散射(Surface-enhanced Raman scattering,SERS)活性基底。该基底经过4-巯基苯硼酸(4-Mercaptophenylboric acid,MPBA)修饰,能够有效固定细菌并提供参比信号。同时,该基底对修饰的MPBA分子的检测限能够达到1×10^(-9)mol/L。制备了金银核壳结构的SERS标签,利用夹层中的5,5′-二硫代双(2-硝基苯甲酸)(5,5′-Dithiobis-(2-nitrobenzoic acid),DTNB)作为目标信号,制备的基底能够将SERS标签的信号增强约54倍。将SERS标签与核酸适配体结合,实现了对大肠杆菌(Escherichia coli,E.coli)的特异性识别。通过分析目标信号与参比信号的拉曼特征峰强度比(I_(1337)/I_(1078)),在水和唾液样本中,细菌浓度在1×10^(2)~1×10^(7)CFU/mL范围内与I_(1337)/I_(1078)呈现良好的线性关系,决定系数(R^(2))为0.97126,优于仅分析目标信号的R^(2)(0.87046),显示比率型分析拟合效果更佳。这种策略在细菌检测方面具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 二液相成膜法 金纳米棒 表面增强拉曼散射 4-巯基苯硼酸 比率型分析
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光电化学生物传感器研究 被引量:10
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作者 任伟 李静 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期58-66,共9页
光电化学法是在光照射下,将化学能转换为电能的低成本方法。而光电化学生物传感技术由于具有通过生物分子氧化产生的光电流来检测生物分子的能力而引起了广泛的关注。光电化学生物传感器具有低成本、高灵敏度、高特异性、仪器操作简单... 光电化学法是在光照射下,将化学能转换为电能的低成本方法。而光电化学生物传感技术由于具有通过生物分子氧化产生的光电流来检测生物分子的能力而引起了广泛的关注。光电化学生物传感器具有低成本、高灵敏度、高特异性、仪器操作简单以及检测背景信号低等特点,在免疫检测和生物技术等重要领域具有广泛应用前景。近年来,对于光电化学生物传感器性能和检测方法的研究也取得了颇丰的成果。本文主要介绍光电化学生物传感器的概念及基本原理、分类应用及对其未来的展望。 展开更多
关键词 光电化学 生物传感器 免疫检测
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单颗粒上转换荧光光谱性质调控
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作者 李云扬 郑睿哲 +2 位作者 周延 海热古·吐逊 董彪 《应用化学》 北大核心 2025年第3期365-374,共10页
镧系掺杂的上转换(UC)微/纳米晶体因其独特的光学性能优势,在多个领域如显示科技、传感技术、生物影像以及药物传输等方面具有广阔的应用前景和潜力。尽管在上转换发光领域的研究与运用已取得显著进展,但如何实现对单颗粒水平发光晶体... 镧系掺杂的上转换(UC)微/纳米晶体因其独特的光学性能优势,在多个领域如显示科技、传感技术、生物影像以及药物传输等方面具有广阔的应用前景和潜力。尽管在上转换发光领域的研究与运用已取得显著进展,但如何实现对单颗粒水平发光晶体的颜色调控,仍然是一个亟待解决的问题。本文提出了基于热处理方法的NaYF_(4)单颗粒晶体向Y_(2)O_(3)晶体的转变策略,通过原位离子交换,成功获得了原位生长的Y_(2)O_(3)晶体,并对其荧光、形貌、结构以及尺寸进行了表征。研究发现,原位生长的Y_(2)O_(3)微米棒保留了与NaYF_(4)相同的尺寸及形貌,元素分布及高分辨(TEM)的表征结果进一步证实了Y_(2)O_(3)∶Er^(3+)/Yb^(3+)的成功制备。随着激发功率的增加,Er^(3+)在NaYF_(4)基质材料中的红光与绿光强度比(R/G)从4.5逐渐降至3.42,而在Y_(2)O_(3)基质材料中,该比值从0.84显著降至0.48。表明通过晶体的原位相变,可实现Er^(3+)在NaYF_(4)中的上转换红光向Y_(2)O_(3)中明亮的上转换绿光的实时调控。这一发现不仅拓展了单颗粒水平稀土发光晶体的研究方法,而且其单颗粒水平的多色荧光性能有望应用于精细防伪、多色成像等领域。 展开更多
关键词 稀土微米颗粒 可调节荧光发射 晶体结构转变 单颗粒
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单片集成式主振荡功率放大器研究进展 被引量:1
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作者 谭满清 游道明 +1 位作者 郭文涛 刘维华 《中国光学(中英文)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期61-75,共15页
单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集... 单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集成式MOPA的主流结构,包括锥形、脊型、布拉格光栅型和三段式MOPA,以各自的工作原理和性能特征为出发点,介绍其主要的研究方向,并结合它们各自面临的问题介绍最新的发展趋势。针对单片集成式MOPA中普遍存在的高功率下光束质量退化的问题,梳理了近年在外延层结构、腔面光学薄膜和电极设置等方面的优化设计,重点总结了单片集成式MOPA在提高光束质量及高功率、容线宽及高亮度方面的重要进展。围绕不同领域的应用需求,整理了具备高功率、窄线宽、高光束质量和高亮度等性能特征的单片集成式MOPA的研究进展,最后展望了单片集成式MOPA的发展趋势。 展开更多
关键词 主振荡功率放大器 单片集成结构 半导体激光器 半导体光放大器 优化设计
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同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究 被引量:1
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作者 熊兵 王健 +1 位作者 孙长征 罗毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期19-22,共4页
对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良... 对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约8GHz的小信号调制带宽. 展开更多
关键词 同一外延层 DFB激光器 EA调制器 高速集成光源.
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宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
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作者 归强 裴为华 陈弘达 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期62-64,共3页
报道了一种在0.6~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 报道了一种在0.6~1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性的探测器。封装后光电探测器在0.6~1.0μm波段的响应度大于0.2A/W,其中,在1.0μm~1.65μm波段的响应度超过0.8A/W,5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化试验,探测器的寿命可以超过105h,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。 展开更多
关键词 INGAAS/INP 宽光谱响应 高响应度 光电探测器 探测器阵列
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